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Transistor à basse tension résistant à l' électricité

  • Industrial Durable Low Vgs Mosfet , Small RSP Low Voltage Switching Transistor
Lieu d'origine Guangdong, NC
Nom de marque REASUNOS
Prix Confirm price based on product
Détails d'emballage Emballages tubulaires à l'épreuve de la poussière, de l'eau et antistatiques, placés dans une boîte
Délai de livraison 2 à 30 jours (selon la quantité totale)
Conditions de paiement 100% T/T à l'avance
Capacité d'approvisionnement 5KK/mois

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Détails sur le produit
Avantages de processus de SGT Optimisation de la percée FOM, couvrant plus d'application. Consommation d'électricité Perte de puissance faible
Application du procédé de tranchée Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen Processus de structuration Tranchée/SGT
Application de processus de SGT Conducteur de moteur, station de la base 5G, stockage de l'énergie, commutateur à haute fréquence, r Résistance Le bas RDS (DESSUS)
l'efficacité Haute efficacité et fiabilité Avantages du procédé de tranchée Un RSP plus petit, les configurations série et parallèle peuvent être librement combinées et utilisé
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Mosfet industriel à faible Vg

,

Mosfet à faible Vgs durable

,

Transistors de commutation à basse tension
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Description de produit

MOSFET de processus de tranchée à faible perte de puissance avec une capacité EAS élevée et un RSP plus petit

Description du produit:

Les MOSFET basse tension sont conçus pour offrir une efficacité et une fiabilité améliorées pour une variété d'applications.Le Trench Low Voltage MOSFET est un transistor à effet de champ à basse tension (FET) à basse tension seuil et à haut rendement, ce qui en fait une solution idéale pour diverses applications de gestion de l'énergie. Il présente une faible perte d'énergie et convient à la recharge sans fil, à la recharge rapide, au pilote de moteur, au convertisseur CC/DC,commutateur à haute fréquenceAvec sa capacité EAS élevée et l'application de processus SGT, ce MOSFET basse tension est adapté pour le conducteur de moteur, la station de base 5G, le stockage d'énergie, le commutateur haute fréquence,Ce MOSFET basse tension offre une efficacité améliorée, des performances fiables et une faible perte de puissance pour une variété d'applications.

 

Paramètres techniques:

Les biens immobiliers Définition
Nom du produit MOSFET à basse tension
Processus de la structure Traînée/SGT
Voltage de seuil inférieur MOSFET
Avantages du procédé SGT Optimisation FOM révolutionnaire, couvrant plus d'applications
Capacité du système EAS Capacité EAS élevée
Application du procédé SGT Conducteur de moteur, station de base 5G, stockage d'énergie, commutateur haute fréquence, rectification synchrone
Efficacité Très efficace et fiable
MOSFET à basse tension Faible perte de puissance
Application du procédé des tranchées Chargement sans fil, chargement rapide, pilote de moteur, convertisseur CC/DC, commutateur haute fréquence, rectification synchrone
Les avantages du procédé de tranchée RSP plus petit, les configurations en série et en parallèle peuvent être librement combinées et utilisées
Conducteur de MOSFET basse tension Rds bas ((ON)
 

Applications:

RÉASUNOS MOSFET à basse tension

REASUNOS Low Voltage MOSFET est un produit de haute performance du Guangdong, en Chine, qui présente une tension de seuil basse et une faible perte de puissance.Il se caractérise par une faible résistance Rds ((ON) qui le rend idéal pour un large éventail d'applications, tels que le pilote moteur, la station de base 5G, le stockage d'énergie, l'interrupteur haute fréquence et la rectification synchrone.Le MOSFET basse tension REASUNOS fournit également des configurations en série et en parallèle qui peuvent être librement combinées et utilisées.

Le MOSFET basse tension REASUNOS est un choix idéal pour diverses industries, notamment l'automobile, l'aérospatiale, l'industrie et l'électronique grand public.Son prix est compétitif et peut être discuté en fonction des besoins du produitLe produit est emballé dans un emballage tubulaire antipoussière, imperméable à l'eau et antistatique, qui est ensuite placé dans une boîte en carton dans des cartons.La capacité d'approvisionnement est de 5KK/mois et le délai de livraison est compris entre 2 et 30 jours selon la quantité totaleLes conditions de paiement sont de 100% T/T à l'avance (EXW).

 

Assistance et services:

Assistance technique et service des MOSFET basse tension

Nous fournissons un soutien technique et un service pour les produits MOSFET basse tension.Notre équipe de support technique est composée de professionnels expérimentés qui sont bien versés dans la technologie et les opérations de nos produits MOSFET basse tension.

Nous fournissons une gamme complète de services pour aider les clients à tirer le meilleur parti de leurs produits MOSFET basse tension.et formation sur les produitsNous offrons également des conseils techniques et une assistance pour optimiser les performances des produits MOSFET basse tension.

Nous nous efforçons de fournir la meilleure expérience client avec notre support technique et notre service. Nous nous efforçons de répondre à toutes les demandes des clients rapidement et avec une grande précision.Notre équipe de service à la clientèle est disponible 24h/24 et 7j/7 pour vous aider et répondre à toutes vos questions..

Nous nous engageons à fournir à nos clients un support technique et un service exceptionnels.Notre engagement envers la satisfaction des clients se reflète dans notre engagement à fournir les dernières mises à jour de produits et versions de logicielsNous sommes impatients de continuer à vous servir avec le meilleur support technique et service pour les produits MOSFET basse tension.

 

Emballage et expédition

Emballage et expédition du MOSFET basse tension
  • Les produits sont emballés en toute sécurité dans des sacs ou des boîtes antistatiques.
  • Les emballages sont placés dans une boîte en carton ou un carton.
  • Les emballages sont fixés avec de la mousse pour empêcher les mouvements.
  • Expédition par fret aérien ou maritime.
 

FAQ:

Q: Quel est le nom de marque du MOSFET basse tension?
R: Le nom de marque du MOSFET basse tension est REASUNOS.
Q: Où le produit est-il fabriqué?
R: Le MOSFET basse tension est fabriqué à Guangdong, en Chine.
Q: Quel est le prix du produit?
R: Le prix du produit est basé sur le produit lui-même. Veuillez nous contacter pour plus d'information.
Q: Comment le produit est-il emballé?
R: Le produit est emballé dans un emballage tubulaire antipoussière, imperméable à l'eau et antistatique, placé dans une boîte en carton dans des cartons.
Q: Quelle est la durée de livraison?
R: Le délai de livraison est de 2 à 30 jours, selon la quantité totale.
Q: Quelles conditions de paiement acceptez-vous?
R: Nous acceptons 100% T/T à l'avance (EXW).
Q: Quelle est la capacité d'approvisionnement?
R: Nous sommes en mesure de fournir 5KK/mois.
Étiquettes:

N-canal Mosfet basse tension de seuil

Mosfet de canal P à faible puissance stable

MOSFET basse tension de la station de base