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Convertisseur à basse tension MOSFET polyvalent pour la charge sans fil

  • Converter Low Voltage MOSFET Multipurpose For Wireless Charging
Lieu d'origine Guangdong, NC
Nom de marque REASUNOS
Prix Confirm price based on product
Détails d'emballage Emballages tubulaires à l'épreuve de la poussière, de l'eau et antistatiques, placés dans une boîte
Délai de livraison 2 à 30 jours (selon la quantité totale)
Conditions de paiement 100% T/T à l'avance
Capacité d'approvisionnement 5KK/mois

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Détails sur le produit
Processus de structuration Tranchée/SGT Application de processus de SGT Conducteur de moteur, station de la base 5G, stockage de l'énergie, commutateur à haute fréquence, r
Application du procédé de tranchée Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen Avantages de processus de SGT Optimisation de la percée FOM, couvrant plus d'application.
Nom du produit MOSFET basse tension Capacité EAS Capacité EAS élevée
Avantages du procédé de tranchée Un RSP plus petit, les configurations série et parallèle peuvent être librement combinées et utilisé Consommation d'électricité Perte de puissance faible
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Convertisseur MOSFET basse tension

,

MOSFET à basse tension polyvalent

,

Chargement sans fil à basse tension MOSFET
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Description de produit

MOSFET à basse tension de sortie avec SGT Processus Avantages pour un processus de structure fiable

Description du produit:

Le MOSFET basse tension est un transistor basse tension avec une tension de seuil basse et une capacité EAS élevée. Il est conçu pour des applications telles que la charge sans fil, la charge rapide, le pilote de moteur,Convertisseur CC/DCIl présente les avantages d'un RSP plus petit et des configurations en série et en parallèle peuvent être librement combinées et utilisées.Il a aussi une excellente optimisation FOM, ce qui le rend adapté à une plus grande application.

Le MOSFET à basse tension offre d'excellentes performances avec son transistor à basse tension, son mosfet à basse tension seuil, son mosfet à basse tension et sa capacité EAS élevée.charge rapideAvec son optimisation FOM révolutionnaire, il peut fournir de meilleures performances et couvrir plus d'applications.En outre, il présente également les avantages d'un RSP plus petit et les configurations en série et en parallèle peuvent être librement combinées et utilisées.

Le MOSFET basse tension est un excellent choix pour ceux qui ont besoin d'une capacité EAS élevée et d'un mosfet basse tension seuil.Il présente les avantages d'un RSP plus petit et les configurations en série et en parallèle peuvent être librement combinées et utilisées.En outre, il dispose également d'une optimisation FOM innovante, ce qui le rend adapté à plus d'applications.commutateur à haute fréquence et rectification synchrone.

 

Paramètres techniques:

Paramètre Définition
Capacité du système EAS Capacité EAS élevée
Application du procédé des tranchées Chargement sans fil, chargement rapide, pilote de moteur, convertisseur CC/DC, commutateur haute fréquence, rectification synchrone
Processus de la structure Traînée/SGT
Les avantages du procédé des tranchées RSP plus petit, les configurations en série et en parallèle peuvent être librement combinées et utilisées
Résistance Rds bas ((ON)
Les avantages du procédé SGT Optimisation FOM révolutionnaire, couvrant plus d'applications
Procédure SGT Application Conducteur de moteur, station de base 5G, stockage d'énergie, commutateur haute fréquence, rectification synchrone
Efficacité Très efficace et fiable
Nom du produit MOSFET à basse tension
Consommation d'électricité Faible perte de puissance
 

Applications:

MOSFET basse tension REASUNOS - Charge sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur CC/CC, commutateur haute fréquence, rectification synchrone

REASUNOS est fier d'offrir son transistor MOSFET basse tension, qui utilise un procédé Trench/SGT pour fournir des performances supérieures dans un large éventail d'applications.Ce FET basse tension est conçu pour fournir une faible résistance Rds ((ON) et peut être utilisé pour la recharge sans filNotre mousfet à basse vitesse utilise une conception de processus de tranchée.qui permet de combiner et d'utiliser librement des RSP plus petits et des configurations en série et en parallèle.

Le FET basse tension REASUNOS est disponible à des prix compétitifs. Nous offrons un emballage tubulaire antipoussière, imperméable à l'eau et antistatique, placé dans une boîte en carton.Notre délai de livraison est de 2 à 30 jours., selon la quantité totale, et nous acceptons 100% T/T en avance ((EXW) paiements. Nous avons une capacité d'approvisionnement mensuelle de 5KK / mois.

 

Assistance et services:

Assistance technique et service des MOSFET basse tension

Nous offrons un support technique complet et un service pour nos produits MOSFET basse tension.Notre équipe d'ingénieurs expérimentés sont disponibles pour fournir des solutions à tous les problèmes techniques que vous pourriez avoir avec nos produitsNous offrons également une formation complète et des services éducatifs pour vous aider à comprendre comment utiliser nos produits de la manière la plus efficace.

Si vous avez des questions ou des préoccupations, n'hésitez pas à nous contacter.

 

Emballage et expédition

Les MOSFET basse tension sont généralement emballés et expédiés de la manière suivante:

  • Chaque dispositif est emballé individuellement dans un sac en plastique scellé sous vide.
  • Les sacs sont ensuite placés dans un sac à blindage statique homologué par l'ESD.
  • Le sac de blindage statique est ensuite placé dans un conteneur de transport.
  • Le conteneur d'expédition est alors scellé et expédié au client.
 

FAQ:

Q: Qu'est-ce que le MOSFET basse tension?

R: Le MOSFET basse tension est un type de transistor à effet de champ semi-conducteur à oxyde métallique (MOSFET) conçu pour une utilisation dans des applications basse tension.

Q: Quelle est la marque?

R: Le nom de marque du MOSFET basse tension est REASUNOS.

Q: Où se trouve le lieu d'origine?

R: Le lieu d'origine du MOSFET basse tension est le Guangdong, en Chine.

Q: Quels sont les détails de l'emballage?

R: Les détails de l'emballage du MOSFET basse tension est un emballage tubulaire antipoussière, imperméable à l'eau et antistatique, placé dans une boîte en carton dans des cartons.

Q: Quel est le délai de livraison?

R: Le délai de livraison du MOSFET basse tension est de 2 à 30 jours, selon la quantité totale.

Q: Quelles sont les conditions de paiement?

R: Les conditions de paiement du MOSFET basse tension sont de 100% T/T à l'avance (EXW).

Q: Quelle est la capacité d'approvisionnement?

R: La capacité d'approvisionnement du MOSFET basse tension est de 5KK/mois.

Étiquettes:

N-canal Mosfet basse tension de seuil

Mosfet de canal P à faible puissance stable

MOSFET basse tension de la station de base