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Multiscène 20V Mosfet basse tension, station de base 5G Transistor à faible puissance

  • Multiscene 20V Mosfet Low Voltage , 5G Base Station Low Power Transistor
Lieu d'origine Guangdong, NC
Nom de marque REASUNOS
Prix Confirm price based on product
Détails d'emballage Emballages tubulaires à l'épreuve de la poussière, de l'eau et antistatiques, placés dans une boîte
Délai de livraison 2 à 30 jours (selon la quantité totale)
Conditions de paiement 100% T/T à l'avance
Capacité d'approvisionnement 5KK/mois

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Détails sur le produit
Résistance Le bas RDS (DESSUS) Processus de structuration Tranchée/SGT
Nom du produit MOSFET basse tension Application du procédé de tranchée Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen
Consommation d'électricité Perte de puissance faible Avantages du procédé de tranchée Un RSP plus petit, les configurations série et parallèle peuvent être librement combinées et utilisé
Capacité EAS Capacité EAS élevée Avantages de processus de SGT Optimisation de la percée FOM, couvrant plus d'application.
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La tension de basse fréquence de Mosfet

,

20V Mosfet basse tension

,

Transistors à basse puissance de la station de base
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Description de produit

MOSFET basse tension de la station de base 5G avec processus SGT à faible perte de puissance

Description du produit:

Le MOSFET basse tension est une sorte d'appareil semi-conducteur de puissance présentant une faible perte de puissance et une grande capacité EAS.Il est généralement utilisé dans les applications à basse tension et les avantages du procédé de tranchée lui permettent d'avoir un RSP plus petit et librement combiné et utilisé à la fois en série et en configuration parallèleLes avantages du procédé SGT permettent d'optimiser la FOM et de couvrir plus d'applications.Le MOSFET basse tension est un choix idéal pour un contrôle de puissance efficace et fiable.

 

Paramètres techniques:

Nom du produit MOSFET à basse tension
Processus de la structure Traînée/SGT
Capacité du système EAS Capacité EAS élevée
Les avantages du procédé SGT Optimisation FOM révolutionnaire, couvrant plus d'application.
Procédure SGT Application Conducteur, station de base 5G, stockage d'énergie, commutateur haute fréquence, rectification synchrone.
Application du procédé des tranchées Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur CC/DC, commutateur haute fréquence, rectification synchrone.
Consommation d'électricité Faible perte de puissance
Efficacité Très efficace et fiable
Les avantages du procédé des tranchées Les RSP plus petits, à la fois en série et en parallèle, peuvent être librement combinés et utilisés.
résistance Rds bas ((ON)
 

Applications:

Le MOSFET basse tension, un type de transistor basse tension, est un dispositif semi-conducteur fiable et hautement efficace avec une basse tension de passerelle, une faible résistance et des configurations en série et en parallèle.Il est largement utilisé dans diverses applications telles que la recharge sans filLa marque REASUNOS, fabriquée à Guangdong, en Chine, est une marque de télécommunications électroniques de haute fréquence, de télécommunications électroniques, de télécommunications électroniques, de télécommunications électroniques, de télécommunications électroniques, de télécommunications électroniques, de télécommunications électroniques, de télécommunications électroniques, de télécommunications électroniques, de télécommunications électroniques, de télécommunications électroniques, de télécommunications électroniques, de télécommunications électroniques, de télécommunications électroniques, de télécommunications électroniques, de télécommunications électroniques, de télécommunications électroniques, de télécommunications électroniques, de télécommunications électroniques, de télécommunications électroniques, de télécommunications électroniques, de télécommunications électronique, de télécommunications électronique,est disponible à un prix convenu, avec un emballage tubulaire antipoussière, imperméable à l'eau et antistatique et peut être livré dans un délai de 2 à 30 jours, selon la quantité totale.Les conditions de paiement sont 100% T/T à l'avance (EXW) et il a une capacité d'approvisionnement de 5KK/mois.
 

Assistance et services:

Assistance technique et service des MOSFET basse tension

Notre équipe d'experts peut vous aider à chaque étape de votre projet,de la conception et du prototypage à la production et à la post-productionNous avons un large éventail de ressources, y compris des tutoriels, une documentation en ligne, des webinaires, etc. Nous fournissons également un soutien sur place pour nos clients si nécessaire.

Notre équipe d'assistance technique et de service est disponible 24 heures sur 24 et 7 jours sur 7 pour répondre à toutes vos questions.Nous nous engageons à fournir à nos clients des produits et des services de la plus haute qualité.

Si vous avez des questions ou si vous avez besoin d'aide, veuillez nous contacter à tout moment.

 

Emballage et expédition

Le produit MOSFET basse tension doit être emballé dans un sac de décharge électrostatique (ESD) et expédié dans une boîte antistatique pour protéger contre l'électricité statique.

 

FAQ:

Questions et réponses sur le MOSFET basse tension
  • - Je ne sais pas.Quel est le nom de marque de ce MOSFET basse tension?
    A: Je suis désolé.Le nom de marque de ce MOSFET basse tension est REASUNOS.
  • - Je ne sais pas.Quelle est l'origine du produit?
    A: Je suis désolé.L'origine du produit est Guangdong, CN.
  • - Je ne sais pas.Quel est le prix de ce MOSFET basse tension?
    A: Je suis désolé.Le prix de ce MOSFET basse tension sera confirmé en fonction du produit.
  • - Je ne sais pas.Comment ce MOSFET à basse tension sera-t-il emballé?
    A: Je suis désolé.Ce MOSFET à basse tension sera emballé avec un emballage tubulaire antipoussière, imperméable à l'eau et antistatique, placé dans une boîte en carton dans des cartons.
  • - Je ne sais pas.Combien de temps faut-il pour que ce MOSFET basse tension soit livré?
    A: Je suis désolé.Le délai de livraison de ce MOSFET basse tension dépend de la quantité totale et prend généralement 2 à 30 jours.
  • - Je ne sais pas.Quelles conditions de paiement proposez-vous?
    A: Je suis désolé.Nous offrons 100% T/T à l'avance (EXW) comme conditions de paiement.
  • - Je ne sais pas.Quelle est la capacité d'alimentation de ce MOSFET basse tension?
    A: Je suis désolé.Nous avons une capacité d'approvisionnement de 5K / mois pour ce MOSFET basse tension.
Étiquettes:

N-canal Mosfet basse tension de seuil

Mosfet de canal P à faible puissance stable

MOSFET basse tension de la station de base