MOSFET multi-scène à ultra-faible tension stable pour une charge rapide

Lieu d'origine Guangdong, NC
Nom de marque REASUNOS
Prix Confirm price based on product
Détails d'emballage Emballages tubulaires à l'épreuve de la poussière, de l'eau et antistatiques, placés dans une boîte
Délai de livraison 2 à 30 jours (selon la quantité totale)
Conditions de paiement 100% T/T à l'avance
Capacité d'approvisionnement 5KK/mois

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Détails sur le produit
Avantages de processus de SGT Optimisation de la percée FOM, couvrant plus d'application. Application du procédé de tranchée Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen
Consommation d'électricité Perte de puissance faible Application de processus de SGT Conducteur de moteur, station de la base 5G, stockage de l'énergie, commutateur à haute fréquence, r
l'efficacité Haute efficacité et fiabilité Avantages du procédé de tranchée Un RSP plus petit, les configurations série et parallèle peuvent être librement combinées et utilisé
Résistance Le bas RDS (DESSUS) Nom du produit MOSFET basse tension
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MOSFET à basse tension stable

,

Multiscène MOSFET basse tension

,

Chargement rapide à très basse tension

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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Description de produit

Transistors de processus de tranchée à faible Rds ((ON) pour l'application du pilote à moteur

Description du produit:

Le MOSFET basse tension est un transistor à effet de champ basse tension. Il est un choix idéal pour les applications de contrôle de puissance dans le pilote de moteur, la station de base 5G, le stockage d'énergie, le commutateur haute fréquence,rectification synchroneLe procédé SGT fournit un petit RSP, les configurations en série et en parallèle peuvent être librement combinées et utilisées, et une faible perte de puissance.Le processus de tranchée a une efficacité élevée et des performances fiablesIl est largement utilisé dans le pilote de moteur, le convertisseur CC/CC, le commutateur haute fréquence et la rectification synchrone.

 

Paramètres techniques:

Nom du produit MOSFET à basse tension
Processus de la structure Traînée/SGT
Capacité du SEA Capacité EAS élevée
Consommation d'électricité Faible perte de puissance
Application du procédé des tranchées Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur CC/DC, commutateur haute fréquence, rectification synchrone.
Résistance Rds bas ((ON)
Application du procédé SGT Conducteur, station de base 5G, stockage d'énergie, commutateur haute fréquence, rectification synchrone.
Efficacité Très efficace et fiable
Avantages du procédé SGT Optimisation FOM révolutionnaire, couvrant plus d'application.
Les avantages du procédé de tranchée Les RSP plus petits, à la fois en série et en parallèle, peuvent être librement combinés et utilisés.
 

Applications:

Le MOSFET basse tension REASUNOS est conçu avec un procédé SGT avancé et un procédé de tranchée, ce qui garantit une efficacité et une fiabilité élevées, ainsi qu'une faible perte de puissance.Station de base 5G, stockage d'énergie, commutateur haute fréquence, rectification synchrone, recharge sans fil, recharge rapide et convertisseur CC/DC, etc. Ce produit est fabriqué à Guangdong,Chine avec une excellente qualité et un prix compétitifIl est livré avec un emballage tubulaire anti-poussière, imperméable à l'eau et antistatique, placé dans une boîte en carton dans des cartons.et le délai de livraison est de 2 à 30 jours (dépend de la quantité totale)Les conditions de paiement sont 100% T/T à l'avance (EXW).

 

Assistance et services:

Assistance technique et service des MOSFET basse tension

Chez xx, nous nous engageons à fournir la plus haute qualité de service et de support pour nos produits MOSFET basse tension.Notre équipe d'experts est là pour vous fournir l'assistance dont vous avez besoin pour tirer le meilleur parti de votre produit..

Nous offrons une variété de services d'assistance technique, notamment:

  • Assistance à l'installation et à la mise en place du produit
  • Documentation du produit en ligne et FAQ
  • Détection et réparation de défauts du produit
  • Assistance technique par courriel, par téléphone ou par chat en ligne

Nous offrons également une sélection de plans de service, avec des options pour un service d'urgence jusqu'à 24 heures.Nos techniciens expérimentés sont là pour vous aider..

Pour plus d'informations sur notre support technique et nos services MOSFET basse tension, veuillez nous contacter dès aujourd'hui.

 

Emballage et expédition

Emballage et expédition

Les MOSFET à basse tension doivent être emballés dans des contenants sûrs contre les ESD et expédiés avec précaution.Les MOSFET basse tension doivent également être correctement étiquetés pour une identification facile en cas de retourL'emballage doit également comporter la documentation nécessaire, telle que les spécifications du produit et les instructions d'installation.

 

FAQ:

Q1:Quel est le nom de marque des produits MOSFET basse tension?R1:La marque des produits MOSFET basse tension est REASUNOS.
Q2:Quel est le lieu d'origine des produits MOSFET basse tension?A2:Le lieu d'origine des produits MOSFET basse tension est Guangdong, CN.
Q3:Combien coûte le MOSFET basse tension?R3:Le prix du MOSFET basse tension est confirmé en fonction du produit spécifique.
Q4:Quel type d'emballage le MOSFET basse tension utilise-t-il?A4:Le MOSFET basse tension utilise un emballage tubulaire à l'épreuve de la poussière, de l'eau et de l'antistatique, placé dans une boîte en carton dans des cartons.
Q5:Quel est le délai de livraison pour le MOSFET basse tension?R5:Le délai de livraison du MOSFET basse tension est de 2 à 30 jours, selon la quantité totale.