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Fonction multi MOSFET SGT à basse tension durable avec RSP plus petit

  • Durable SGT Low Voltage MOSFET Multi Function With Smaller RSP
Lieu d'origine Guangdong, NC
Nom de marque REASUNOS
Prix Confirm price based on product
Détails d'emballage Emballages tubulaires à l'épreuve de la poussière, de l'eau et antistatiques, placés dans une boîte
Délai de livraison 2 à 30 jours (selon la quantité totale)
Conditions de paiement 100% T/T à l'avance
Capacité d'approvisionnement 5KK/mois

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Détails sur le produit
Application de processus de SGT Conducteur de moteur, station de la base 5G, stockage de l'énergie, commutateur à haute fréquence, r Résistance Le bas RDS (DESSUS)
Application du procédé de tranchée Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen Processus de structuration Tranchée/SGT
Nom du produit MOSFET basse tension Capacité EAS Capacité EAS élevée
Consommation d'électricité Perte de puissance faible Avantages du procédé de tranchée Un RSP plus petit, les configurations série et parallèle peuvent être librement combinées et utilisé
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MOSFET à basse tension durable

,

MOSFET à basse tension multi-fonction

,

RSP SGT MOSFET plus petit
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Description de produit

MOSFET à basse tension de tranchée avec RSP plus petit pour la rectification synchrone

Description du produit:

Le MOSFET basse tension est un type de transistor à effet de champ à basse tension seuil (FET) qui offre une capacité EAS élevée, une efficacité élevée et une perte de puissance fiable.Il peut être utilisé dans diverses applications., y compris le pilote moteur, la station de base 5G, le stockage d'énergie, l'interrupteur haute fréquence, la rectification synchrone, la recharge sans fil, la recharge rapide, le convertisseur CC/CC, etc.Le MOSFET à basse tension présente une tension de seuil basseAvec son excellente capacité EAS, il peut être utilisé dans des applications de commutation haute fréquence, telles que la station de base 5G, le stockage d'énergie,conducteur automobileEn outre, il peut fournir une perte de puissance fiable et une faible consommation d'énergie pour les applications de recharge sans fil, de recharge rapide et de convertisseur CC/DC.

 

Paramètres techniques:

Nom du produit MOSFET à basse tension
Processus de la structure Traînée/SGT
Les avantages du procédé SGT Optimisation FOM révolutionnaire, couvrant plus d'application.
Efficacité Très efficace et fiable
Capacité du système EAS Capacité EAS élevée
Les avantages du procédé des tranchées Les RSP plus petits, à la fois en série et en parallèle, peuvent être librement combinés et utilisés.
Procédure SGT Application Conducteur, station de base 5G, stockage d'énergie, commutateur haute fréquence, rectification synchrone.
Application du procédé des tranchées Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur CC/DC, commutateur haute fréquence, rectification synchrone.
résistance Rds bas ((ON)
Consommation d'électricité Faible perte de puissance
 

Applications:

MOSFET à basse tension de REASUNOS, Guangdong

Le transistor à effet de champ à basse tension (MOSFET) de REASUNOS est le choix idéal pour les applications de puissance à basse tension.Ces FET à basse tension sont disponibles dans les processus de structure SGT et TrenchLe processus SGT offre une optimisation FOM révolutionnaire et couvre un plus grand nombre d'applications,tandis que le processus de Trench offre un RSP plus petit et permet de combiner et d'utiliser librement des séries et des configurations parallèles.

Les MOSFET basse tension de REASUNOS sont proposés à des prix compétitifs et sont emballés avec un emballage tubulaire antipoussière, imperméable à l'eau et antistatique,placés dans une boîte en carton dans des cartons pour une livraison sûreAvec une capacité d'approvisionnement de 5KK/mois, les commandes peuvent être exécutées dans un délai de 2 à 30 jours en fonction de la quantité totale.

 

Assistance et services:

Le support technique et le service pour les MOSFET basse tension sont disponibles pour assurer les performances optimales de nos produits.Nos experts sont disponibles pour fournir une assistance technique pour toute question ou problème lié à l'installation, l'exploitation et la maintenance des MOSFET basse tension.

Nous fournissons également des services gratuits tels que la réparation, le remplacement et la mise à jour des produits.Nos techniciens et ingénieurs hautement expérimentés sont toujours disponibles pour vous aider avec tout problème technique qui pourrait survenir..

Chez Low Voltage MOSFETs, nous nous efforçons de fournir à nos clients un support technique et un service supérieurs. Nous nous engageons à fournir une expérience de produit sûre, fiable et efficace.

 

Emballage et expédition

Les MOSFET basse tension doivent être emballés et expédiés de manière à maximiser leur protection contre les chocs mécaniques, l'abrasion et d'autres dangers environnementaux.L'emballage doit être conçu de manière à réduire le risque de choc électrique et d'autres dangers.Lors de l'expédition, les MOSFET basse tension doivent être placés dans des conteneurs scellés conçus pour protéger contre les vibrations et les températures extrêmes.

 

FAQ:

FAQ sur le MOSFET basse tension
Q1: Quel est le nom de marque du MOSFET basse tension?

R1: Le nom de marque du MOSFET basse tension est REASUNOS.

Q2: Où se trouve le lieu d'origine du MOSFET basse tension?

R2: Le lieu d'origine du MOSFET basse tension est Guangdong, CN.

Q3: Quel est le prix du MOSFET basse tension?

R3: Le prix du MOSFET basse tension est le prix confirmé basé sur le produit.

Q4: Quels sont les détails de l'emballage du MOSFET basse tension?

A4: Les détails de l'emballage du MOSFET basse tension est un emballage tubulaire antipoussière, imperméable à l'eau et antistatique, placé dans une boîte en carton dans des cartons.

Q5: Quelle est la durée de livraison du MOSFET basse tension?

R5: Le délai de livraison du MOSFET basse tension est de 2 à 30 jours (dépend de la quantité totale).

Q6: Quelles sont les conditions de paiement du MOSFET basse tension?

R6: Les conditions de paiement du MOSFET basse tension sont de 100% T/T à l'avance ((EXW).

Q7: Quelle est la capacité d'approvisionnement du MOSFET basse tension?

R7: La capacité d'approvisionnement du MOSFET basse tension est de 5KK/mois.

Étiquettes:

N-canal Mosfet basse tension de seuil

Mosfet de canal P à faible puissance stable

MOSFET basse tension de la station de base