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Transistores industriales de potencia Sic de 1200 V, de alto voltaje estable y de canal N Mosfet
| Ventajas: | Basado en la línea de producción de normas militares nacionales, el proceso es estable y la calidad |
|---|---|
| Aplicación: | Inversor solar, convertidor CC/CC de alto voltaje, controlador de motor, fuente de alimentación UPS, |
| El poder: | Poder más elevado |
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Convertidor estable de energía Sic Mosfet, carburo de silicio ISO de energía Sic semiconductores
| Tipo de dispositivo: | MOSFET |
|---|---|
| El material: | Carburo de silicio |
| El tipo: | N |
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1200V 1500V SIC Semiconductor de potencia, semiconductor de silicio multifunción
| Válvula de tensión: | Alta tensión |
|---|---|
| RDS (encendido): | RDS bajo (ENCENDIDO) |
| Ventajas: | Proceso estable y calidad fiable |
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Diodo de alimentación barrera Schottky estable, MBR2045CT Sic rectificador Schottky
| Aplicación: | Fuente de alimentación de pantalla, fuente de alimentación de computadora portátil, fuente de alimen |
|---|---|
| Nombre del producto: | Diodos de barrera de Schottky |
| Voltaje delantero: | Baja FV |
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Semiconductores de potencia duraderos, carburo de silicio de 1700 V
| Capacitancia de empalme: | Capacidad de unión baja |
|---|---|
| disipación de calor: | Gran disipación de calor |
| RDS (encendido): | RDS bajo (ENCENDIDO) |
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Adaptadores de alta tensión Sic Mosfet Tipo N Multifunción estable
| El tipo: | N |
|---|---|
| Ventajas: | Nueva tecnología de doping variable lateral, poder especial MOS Structure, características excelente |
| Grado del voltaje: | Voltaje de alto voltaje/ultraalto |
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Diodo rectificador electrónico de Schottky, MBRF2045CT Diodo de barrera de SiC Schottky
| Fuga: | Salida baja |
|---|---|
| Nombre del producto: | Diodos de barrera de Schottky |
| Características: | Baja caída de voltaje hacia adelante baja, baja pérdida, tiempo de recuperación inversa extremadamen |
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Transistor de carburo de silicio con convertidor estable, fuente de alimentación UPS SiC FETs
| El poder: | Poder más elevado |
|---|---|
| Resistencia: | Baja resistencia |
| Aplicación: | Inversor solar, convertidor CC/CC de alto voltaje, controlador de motor, fuente de alimentación UPS, |
Proceso MOSFET de trinchera/SGT de baja eficiencia y baja pérdida de potencia
| Power consumption: | Low Power Loss |
|---|---|
| Efficiency: | High Efficiency And Reliable |
| Trench process Advantages: | Smaller RSP, Both Series And Parallel Configurations Can Be Freely Combined And Utilized. |
Proceso MOSFET de trinchera/SGT de baja eficiencia y baja pérdida de potencia
| Trench process Application: | Wireless Charging, Fast Charging, Motor Driver, DC/DC Converter, High-frequency Switch, Synchronous Rectification. |
|---|---|
| Product name: | Low Voltage MOSFET |
| EAS capability: | High EAS Capability |