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Conducción del motor baja tensión Fet estable para el interruptor de alta frecuencia

  • Motor Driver Low Voltage Fet Stable For High Frequency Switch
Lugar de origen Guangdong, NC
Nombre de la marca REASUNOS
Precio Confirm price based on product
Detalles de empaquetado Envases tubulares a prueba de polvo, agua y antistáticos, colocados en una caja de cartón en cartone
Tiempo de entrega 2-30 días (depende de la cantidad total)
Condiciones de pago 100% T/T por adelantado (EXW)
Capacidad de la fuente 5KK/mes

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Datos del producto
eficiencia Alta eficiencia y confiable Capacidad EAS Alta capacidad EAS
Resistencia RDS bajo (ENCENDIDO) Aplicación del proceso de zanja Carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor CC/CC, interruptor de alta frecue
Consumo de energía Pérdida de la energía baja Nombre del producto MOSFET de bajo voltaje
Ventajas del proceso de zanja RSP más pequeño, tanto en serie como en paralelo, se pueden combinar y utilizar libremente. Uso de proceso de SGT Conductor del motor, 5G estación base, almacenamiento de energía, interruptor de alta frecuencia, re
Resaltar

Conducción de motor de baja tensión

,

Bajo voltaje Fet estable

,

Interruptor de baja potencia
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descripción de producto

Capacidad EAS alta MOSFET de baja Rds ((ON) para aplicaciones de conmutadores de alta frecuencia

Descripción del producto:

El MOSFET de bajo voltaje es un producto revolucionario que proporciona un rendimiento excepcional en varias aplicaciones, como carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor DC / DC,interruptor de alta frecuenciaTiene una excelente baja tensión de puerta y una baja Rds ((ON), lo que permite una baja pérdida de potencia y una alta capacidad EAS.También adopta la optimización de FOM innovadora y cubre más aplicaciones con la ayuda del proceso de zanja y el proceso SGT.

 

Parámetros técnicos:

Nombre del producto Parámetros
MOSFET de baja tensión Ventajas del proceso SGT: Optimización FOM de avance,Cubriendo más aplicaciones.
MOSFET de baja tensión Eficiencia: Alta eficiencia y fiabilidad
MOSFET de baja tensión Aplicación del proceso de trinchera: carga inalámbrica, carga rápida, conductor del motor, convertidor DC/DC, interruptor de alta frecuencia, rectificación síncrona
MOSFET de baja tensión Ventajas del proceso de trinchera: RSP más pequeño, ambas configuraciones en serie y paralelas se pueden combinar y utilizar libremente.
MOSFET de baja tensión Resistencia: baja Rds ((ON)
MOSFET de baja tensión Proceso de estructura: zanja/SGT
MOSFET de baja tensión Capacidad EAS: Capacidad EAS alta
MOSFET de baja tensión Consumo de energía: baja pérdida de energía
MOSFET de baja tensión Aplicación del proceso SGT: conductor del motor, estación base 5G, almacenamiento de energía, interruptor de alta frecuencia, rectificación síncrona
 

Aplicaciones:

MOSFET de baja tensión

REASUNOS Low Voltage MOSFET es un dispositivo único y potente de Guangdong, China. Es adecuado para varias aplicaciones debido a su bajo voltaje de puerta, baja pérdida de energía y alta capacidad EAS.También tiene un proceso de estructura Trench/SGT, lo que lo hace adecuado para la carga inalámbrica, la carga rápida, el controlador del motor, el convertidor DC / DC, el interruptor de alta frecuencia y la rectificación síncrona.El precio del producto se determina en función del productoEl producto está empaquetado en un embalaje tubular a prueba de polvo, impermeable y antiestático, y colocado dentro de una caja de cartón en cartones.Las condiciones de pago son 100% T/T por adelantadoLa capacidad de suministro es de hasta 5KK/mes.

 

Apoyo y servicios:

Soporte técnico y servicio de MOSFET de baja tensión

Proporcionamos una amplia gama de soporte técnico y servicio para productos MOSFET de bajo voltaje.Nuestro equipo de ingenieros experimentados está disponible para responder cualquier pregunta y proporcionar asistencia con la selección de productos, diseño y solución de problemas.

Apoyo técnico

Nuestro equipo de ingenieros está disponible para responder cualquier pregunta técnica que pueda tener sobre los productos MOSFET de bajo voltaje.ayuda para la solicitud, y apoyo para la resolución de problemas.

Asistencia en la selección de productos

Podemos ayudarle a elegir el MOSFET de bajo voltaje adecuado para su aplicación. Nuestros ingenieros pueden proporcionar orientación sobre la selección de piezas, consideraciones de diseño y requisitos de rendimiento.

Guía de diseño

Nuestros ingenieros pueden asesorarle sobre el diseño de circuitos, la selección de componentes y el diseño.

Apoyo para solucionar problemas

Si tiene problemas con su MOSFET de bajo voltaje, nuestros ingenieros están disponibles para brindarle soporte de solución de problemas.

 

Embalaje y envío:

Embalaje y envío del MOSFET de bajo voltaje:

Los MOSFET de bajo voltaje deben empaquetarse en una bolsa antiestática para evitar daños por descarga electrostática.La bolsa debe colocarse en una caja de cartón resistente con relleno protector para evitar golpes y impactos durante el transporte.La caja debe estar claramente etiquetada con el nombre del producto, la dirección del destinatario y la dirección de envío.

 

Preguntas frecuentes:

  • P: ¿Qué es el MOSFET de bajo voltaje REASUNOS?
  • R: REASUNOS MOSFET de bajo voltaje es un componente de transistor de efecto de campo de semiconductores de óxido metálico (MOSFET) que opera a bajos voltajes.
  • P: ¿Dónde se fabrica el MOSFET de bajo voltaje REASUNOS?
  • R: El MOSFET de bajo voltaje REASUNOS se fabrica en Guangdong, China.
  • P: ¿Cuál es el precio del MOSFET de baja tensión REASUNOS?
  • R: El precio del MOSFET de baja tensión REASUNOS depende del producto.
  • P: ¿Cómo se empaqueta el MOSFET de bajo voltaje REASUNOS?
  • R: REASUNOS MOSFET de baja tensión está envasado en un embalaje tubular a prueba de polvo, a prueba de agua y antiestático, colocado dentro de una caja de cartón en cartones.
  • P: ¿Cuánto tiempo dura la entrega del MOSFET de baja tensión REASUNOS?
  • R: El plazo de entrega de REASUNOS MOSFET de baja tensión es de 2 a 30 días, dependiendo de la cantidad total.
Etiquetas:

Tensión de umbral bajo del canal N Mosfet

Mosfet de canal P de baja potencia estable

MOSFET de baja tensión de la estación base