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MOSFET práctico de baja tensión multifuncional de N canales de baja Rds

  • Practical Low Voltage MOSFET Multifunctional N Channel Low Rds
Lugar de origen Guangdong, NC
Nombre de la marca REASUNOS
Precio Confirm price based on product
Detalles de empaquetado Envases tubulares a prueba de polvo, agua y antistáticos, colocados en una caja de cartón en cartone
Tiempo de entrega 2-30 días (depende de la cantidad total)
Condiciones de pago 100% T/T por adelantado (EXW)
Capacidad de la fuente 5KK/mes

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Datos del producto
Proceso de estructura Trinchera/SGT eficiencia Alta eficiencia y confiable
Ventajas de proceso de SGT Optimización de la brecha FOM, cubriendo más uso. Ventajas del proceso de zanja RSP más pequeño, tanto en serie como en paralelo, se pueden combinar y utilizar libremente.
Nombre del producto MOSFET de bajo voltaje Consumo de energía Pérdida de la energía baja
Uso de proceso de SGT Conductor del motor, 5G estación base, almacenamiento de energía, interruptor de alta frecuencia, re Aplicación del proceso de zanja Carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor CC/CC, interruptor de alta frecue
Resaltar

MOSFET de baja tensión práctico

,

MOSFET de baja tensión multifuncional

,

MOSFET Rds bajo canal N
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descripción de producto

Capacidad EAS alta MOSFET de baja tensión Trench/SGT Proceso de estructura Rds bajos ((ON)

Descripción del producto:

El MOSFET de bajo voltaje es un tipo de transistor de efecto de campo (FET) que funciona bajo bajo voltaje.con una frecuencia de transmisión superior a 100 Hz,Este MOSFET de bajo voltaje presenta una baja resistencia Rds ((ON), una alta eficiencia y un rendimiento confiable, así como una alta capacidad EAS.El proceso de estructura adoptado para este MOSFET de baja tensión es el proceso de zanja/SGTCon su tecnología avanzada, este MOSFET de bajo voltaje es capaz de proporcionar un excelente rendimiento en diferentes aplicaciones.

 

Parámetros técnicos:

Nombre del producto Ventajas
MOSFET de bajo voltaje (proceso de trinchera) RSP más pequeño, tanto en serie y configuraciones paralelas se pueden combinar y utilizar libremente.
MOSFET de bajo voltaje (proceso SGT) La optimización de FOM, que cubre más aplicaciones.
Consumo de energía Capacidad de EAS
Baja pérdida de energía Capacidad EAS elevada
Aplicación Eficiencia
Carga inalámbrica, carga rápida, conductor del motor, convertidor de CC/CC, interruptor de alta frecuencia, rectificación síncrona (proceso de trinchera) Alta eficiencia y fiabilidad
Conducción del motor, estación base 5G, almacenamiento de energía, interruptor de alta frecuencia, rectificación síncrona (proceso SGT) - ¿Qué quieres decir?
Proceso de estructura Resistencia
En el caso de las empresas de transporte de mercancías Bajo Rds ((ON)
 

Aplicaciones:

REASUNOS Low Voltage MOSFET es un MOSFET de proceso SGT de alto rendimiento con baja Rds ((ON) y alta capacidad EAS. Se utiliza ampliamente en aplicaciones como carga inalámbrica, carga rápida,conductor de motorSe produce en Guangdong, China, y está disponible para los clientes a un precio EXW con una cantidad mínima de pedido de 5KK / mes.El producto está envasado en una caja a prueba de polvoEn el caso de los productos fabricados en la Comunidad, el plazo de entrega es de 2 a 30 días, dependiendo de la cantidad total.

 

Apoyo y servicios:

Soporte técnico y servicio de MOSFET de baja tensión

Estamos dedicados a proporcionar soporte técnico y servicio integral para todos nuestros productos MOSFET de bajo voltaje.Nuestro equipo de ingenieros y técnicos experimentados puede ayudarle en cada etapa del proceso, desde el diseño y la selección hasta la instalación y el mantenimiento.

Ofrecemos una gama de servicios que incluyen:

  • Asistencia en el diseño y la selección
  • Apoyo para la instalación y el mantenimiento
  • Solución de problemas y diagnóstico
  • Actualizaciones de software y firmware
  • Formación y educación sobre productos

Nuestro equipo está disponible las 24 horas del día, los 7 días de la semana para responder cualquier pregunta, ofrecer consejos y resolver cualquier problema que pueda tener.

 

Embalaje y envío:

Embalaje y envío del MOSFET de baja tensión

Por razones de seguridad y protección, los MOSFET de bajo voltaje se empaquetarán y enviarán en una caja de cartón resistente con envoltura de burbujas en el interior para proteger los componentes de daños externos.La caja deberá estar debidamente sellada y etiquetada con una etiqueta de advertencia que diga:.

El embalaje también incluirá un manual de instrucciones detallado para los fines de instalación y uso..

Los MOSFET de bajo voltaje serán enviados a través de una compañía de envío confiable y serán rastreados con un número de seguimiento único.El tiempo de envío dependerá del destino y puede tardar entre 3 y 7 días.

 

Preguntas frecuentes:

FAQ: MOSFET de baja tensión
P1: ¿Qué marca es el MOSFET de bajo voltaje?

R1: El MOSFET de bajo voltaje es de la marca REASUNOS.

P2: ¿Dónde se fabrica el MOSFET de bajo voltaje?

R2: El MOSFET de bajo voltaje es fabricado en Guangdong, China.

P3: ¿Cuál es el precio del MOSFET de bajo voltaje?

R3: El precio del MOSFET de bajo voltaje depende del producto.

P4: ¿Cómo está el embalaje del MOSFET de bajo voltaje?

A4: El MOSFET de bajo voltaje está envasado en un embalaje tubular a prueba de polvo, a prueba de agua y antistatico, colocado dentro de una caja de cartón en cajas de cartón.

P5: ¿Cuánto tiempo para la entrega del MOSFET de bajo voltaje?

R5: La entrega del MOSFET de bajo voltaje es de 2 a 30 días dependiendo de la cantidad total.

Etiquetas:

Tensión de umbral bajo del canal N Mosfet

Mosfet de canal P de baja potencia estable

MOSFET de baja tensión de la estación base