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MOSFET multiscene de ultrabaja tensión estable para carga rápida

  • Stable Ultra Low Voltage MOSFET Multiscene For Fast Charging
Lugar de origen Guangdong, NC
Nombre de la marca REASUNOS
Precio Confirm price based on product
Detalles de empaquetado Envases tubulares a prueba de polvo, agua y antistáticos, colocados en una caja de cartón en cartone
Tiempo de entrega 2-30 días (depende de la cantidad total)
Condiciones de pago 100% T/T por adelantado (EXW)
Capacidad de la fuente 5KK/mes

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Datos del producto
Ventajas de proceso de SGT Optimización de la brecha FOM, cubriendo más uso. Aplicación del proceso de zanja Carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor CC/CC, interruptor de alta frecue
Consumo de energía Pérdida de la energía baja Uso de proceso de SGT Conductor del motor, 5G estación base, almacenamiento de energía, interruptor de alta frecuencia, re
eficiencia Alta eficiencia y confiable Ventajas del proceso de zanja RSP más pequeño, tanto en serie como en paralelo, se pueden combinar y utilizar libremente.
Resistencia RDS bajo (ENCENDIDO) Nombre del producto MOSFET de bajo voltaje
Resaltar

MOSFET de baja tensión estable

,

Multiscene de MOSFET de baja tensión

,

Carga rápida con Mosfet de ultra bajo voltaje
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descripción de producto

Transistor de proceso de trinchera de baja Rds ((ON) para aplicaciones de conductor de motor

Descripción del producto:

El MOSFET de bajo voltaje es un transistor de efecto de campo de bajo voltaje. Es una opción ideal para aplicaciones de control de potencia en controlador de motor, estación base 5G, almacenamiento de energía, interruptor de alta frecuencia,Rectificación sincrónica, carga inalámbrica, carga rápida y convertidor DC/DC, etc. El proceso SGT proporciona un RSP pequeño, tanto las configuraciones en serie como las paralelas se pueden combinar y utilizar libremente, y una baja pérdida de energía.Proceso de zanja tiene una alta eficiencia y rendimiento fiableEs ampliamente utilizado en el conductor del motor, convertidor DC / DC, interruptor de alta frecuencia y rectificación síncrona.

 

Parámetros técnicos:

Nombre del producto MOSFET de baja tensión
Proceso de estructura En el caso de las empresas de transporte de mercancías
Capacidad de EAS Capacidad EAS elevada
Consumo de energía Baja pérdida de energía
Aplicación del proceso de zanja Carga inalámbrica, carga rápida, conductor del motor, convertidor de CC/CC, interruptor de alta frecuencia, rectificación síncrona.
Resistencia Bajo Rds ((ON)
Aplicación del proceso SGT El conductor del motor, la estación base 5G, el almacenamiento de energía, el interruptor de alta frecuencia, la rectificación síncrona.
Eficiencia Alta eficiencia y fiabilidad
Ventajas del proceso SGT La optimización de FOM, que cubre más aplicaciones.
Ventajas del proceso de zanja RSP más pequeño, tanto en serie y configuraciones paralelas se pueden combinar y utilizar libremente.
 

Aplicaciones:

El MOSFET de baja tensión REASUNOS está diseñado con un proceso SGT avanzado y un proceso de zanja, que garantiza una alta eficiencia y fiabilidad, así como una baja pérdida de potencia.Estación base 5G, Almacenamiento de energía, conmutador de alta frecuencia, rectificación síncrona, carga inalámbrica, carga rápida y convertidor DC/DC, etc. Este producto está fabricado en Guangdong,China con excelente calidad y precio competitivoViene con embalaje tubular resistente al polvo, al agua y antistático, colocado dentro de una caja de cartón en cartones.y el tiempo de entrega es de 2 a 30 días (depende de la cantidad total)Los términos de pago son 100% T/T por adelantado (EXW).

 

Apoyo y servicios:

Soporte técnico y servicio de MOSFET de baja tensión

En xx, estamos dedicados a proporcionar la más alta calidad de servicio y apoyo para nuestros productos MOSFET de bajo voltaje.Nuestro equipo de expertos está aquí para brindarle la asistencia que necesita para obtener el máximo provecho de su producto..

Ofrecemos una variedad de servicios de apoyo técnico, entre los que se incluyen:

  • Asistencia en la instalación y puesta en marcha del producto
  • Documentación del producto en línea y FAQ
  • Solución de problemas y reparación del producto
  • Apoyo técnico por correo electrónico, teléfono o chat en línea

También ofrecemos una selección de planes de servicio, con opciones de servicio de emergencia de hasta 24 horas.Nuestros técnicos experimentados están aquí para ayudar..

Para obtener más información sobre nuestro soporte técnico y servicios de MOSFET de bajo voltaje, póngase en contacto con nosotros hoy.

 

Embalaje y envío:

Embalaje y envío

Los MOSFET de baja tensión deben empaquetarse en recipientes seguros para ESD y enviarse con cuidado.Los MOSFET de bajo voltaje también deben estar debidamente etiquetados para una fácil identificación en caso de devoluciónEl embalaje también debe incluir la documentación necesaria, como las especificaciones del producto e instrucciones de instalación.

 

Preguntas frecuentes:

P1: ¿Cuál es la marca de los productos MOSFET de bajo voltaje?A1:La marca de los productos MOSFET de bajo voltaje es REASUNOS.
P2: ¿Cuál es el lugar de origen de los productos MOSFET de baja tensión?A2:El lugar de origen de los productos MOSFET de bajo voltaje es Guangdong, CN.
P3: ¿Cuánto cuesta el MOSFET de bajo voltaje?A3:El precio del MOSFET de bajo voltaje se confirma en función del producto específico.
P4: ¿Qué tipo de embalaje utiliza el MOSFET de bajo voltaje?A4:El MOSFET de baja tensión utiliza un embalaje tubular a prueba de polvo, a prueba de agua y antiestático, colocado dentro de una caja de cartón en cajas de cartón.
P5: ¿Cuál es el tiempo de entrega para MOSFET de bajo voltaje?R5:El tiempo de entrega del MOSFET de bajo voltaje es de 2 a 30 días, dependiendo de la cantidad total.
Etiquetas:

Tensión de umbral bajo del canal N Mosfet

Mosfet de canal P de baja potencia estable

MOSFET de baja tensión de la estación base