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MOSFET multiscene de ultrabaja tensión estable para carga rápida
| Ventajas de proceso de SGT: | Optimización de la brecha FOM, cubriendo más uso. |
|---|---|
| Aplicación del proceso de zanja: | Carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor CC/CC, interruptor de alta frecue |
| Consumo de energía: | Pérdida de la energía baja |
Transistor de conmutación de baja tensión de RSP pequeño
| Ventajas de proceso de SGT: | Optimización de la brecha FOM, cubriendo más uso. |
|---|---|
| Consumo de energía: | Pérdida de la energía baja |
| Aplicación del proceso de zanja: | Carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor CC/CC, interruptor de alta frecue |
MOSFET práctico de baja tensión multifuncional de N canales de baja Rds
| Proceso de estructura: | Trinchera/SGT |
|---|---|
| eficiencia: | Alta eficiencia y confiable |
| Ventajas de proceso de SGT: | Optimización de la brecha FOM, cubriendo más uso. |
Conducción del motor baja tensión Fet estable para el interruptor de alta frecuencia
| eficiencia: | Alta eficiencia y confiable |
|---|---|
| Capacidad EAS: | Alta capacidad EAS |
| Resistencia: | RDS bajo (ENCENDIDO) |
Convertidor MOSFET de baja tensión multipropósito para carga inalámbrica
| Proceso de estructura: | Trinchera/SGT |
|---|---|
| Uso de proceso de SGT: | Conductor del motor, 5G estación base, almacenamiento de energía, interruptor de alta frecuencia, re |
| Aplicación del proceso de zanja: | Carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor CC/CC, interruptor de alta frecue |
Multiscene 20V Mosfet baja tensión, estación base 5G Transistor de baja potencia
| Resistencia: | RDS bajo (ENCENDIDO) |
|---|---|
| Proceso de estructura: | Trinchera/SGT |
| Nombre del producto: | MOSFET de bajo voltaje |
Función múltiple de MOSFET de baja tensión SGT duradera con RSP más pequeño
| Uso de proceso de SGT: | Conductor del motor, 5G estación base, almacenamiento de energía, interruptor de alta frecuencia, re |
|---|---|
| Resistencia: | RDS bajo (ENCENDIDO) |
| Aplicación del proceso de zanja: | Carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor CC/CC, interruptor de alta frecue |
SGT Estables de Puerta Baja de Umbral de Tensión Mosfet Para el Convertidor de CC a CC
| Ventajas del proceso de zanja: | RSP más pequeño, tanto en serie como en paralelo, se pueden combinar y utilizar libremente. |
|---|---|
| Uso de proceso de SGT: | Conductor del motor, 5G estación base, almacenamiento de energía, interruptor de alta frecuencia, re |
| Proceso de estructura: | Trinchera/SGT |
MOSFET de baja tensión polivalente de alta eficiencia para el conductor de motor
| Proceso de estructura: | Trinchera/SGT |
|---|---|
| Aplicación del proceso de zanja: | Carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor CC/CC, interruptor de alta frecue |
| Capacidad EAS: | Alta capacidad EAS |
Conmutador Mosfet práctico de baja potencia, transistor multifuncional de baja tensión
| Aplicación del proceso de zanja: | Carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor CC/CC, interruptor de alta frecue |
|---|---|
| Resistencia: | RDS bajo (ENCENDIDO) |
| Capacidad EAS: | Alta capacidad EAS |