Función múltiple de MOSFET de baja tensión SGT duradera con RSP más pequeño

Lugar de origen Guangdong, NC
Nombre de la marca REASUNOS
Precio Confirm price based on product
Detalles de empaquetado Envases tubulares a prueba de polvo, agua y antistáticos, colocados en una caja de cartón en cartone
Tiempo de entrega 2-30 días (depende de la cantidad total)
Condiciones de pago 100% T/T por adelantado (EXW)
Capacidad de la fuente 5KK/mes

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Datos del producto
Uso de proceso de SGT Conductor del motor, 5G estación base, almacenamiento de energía, interruptor de alta frecuencia, re Resistencia RDS bajo (ENCENDIDO)
Aplicación del proceso de zanja Carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor CC/CC, interruptor de alta frecue Proceso de estructura Trinchera/SGT
Nombre del producto MOSFET de bajo voltaje Capacidad EAS Alta capacidad EAS
Consumo de energía Pérdida de la energía baja Ventajas del proceso de zanja RSP más pequeño, tanto en serie como en paralelo, se pueden combinar y utilizar libremente.
Resaltar

MOSFET de baja tensión duradero

,

MOSFET de bajo voltaje con múltiples funciones

,

MOSFET RSP SGT más pequeño

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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descripción de producto

MOSFET de bajo voltaje de zanja con RSP más pequeño para rectificación síncrona

Descripción del producto:

El MOSFET de bajo voltaje es un tipo de transistor de efecto de campo (FET) de bajo voltaje umbral que proporciona una alta capacidad EAS, alta eficiencia y pérdida de potencia confiable.Se puede utilizar en una variedad de aplicaciones, incluido el controlador del motor, la estación base 5G, el almacenamiento de energía, el interruptor de alta frecuencia, la rectificación síncrona, la carga inalámbrica, la carga rápida, el convertidor CC/CC, etc.El MOSFET de baja tensión presenta una tensión de umbral bajaCon su excelente capacidad EAS, puede utilizarse en aplicaciones de conmutadores de alta frecuencia, como estaciones base 5G, almacenamiento de energía,conductor de motorAdemás, puede proporcionar una pérdida de potencia confiable y un bajo consumo de energía para aplicaciones de carga inalámbrica, carga rápida y convertidores DC / DC.

 

Parámetros técnicos:

Nombre del producto MOSFET de baja tensión
Proceso de estructura En el caso de las empresas de transporte de mercancías
Proceso SGT Ventajas La optimización de FOM, que cubre más aplicaciones.
Eficiencia Alta eficiencia y fiabilidad
Capacidad de EAS Capacidad EAS elevada
Proceso de zanja Ventajas RSP más pequeño, tanto en serie y configuraciones paralelas se pueden combinar y utilizar libremente.
Proceso SGT Aplicación El conductor del motor, la estación base 5G, el almacenamiento de energía, el interruptor de alta frecuencia, la rectificación síncrona.
Proceso de zanja Aplicación Carga inalámbrica, carga rápida, conductor del motor, convertidor de CC/CC, interruptor de alta frecuencia, rectificación síncrona.
la resistencia Bajo Rds ((ON)
Consumo de energía Baja pérdida de energía
 

Aplicaciones:

MOSFET de bajo voltaje de REASUNOS, Guangdong

El transistor de efecto de campo de bajo voltaje (MOSFET) de REASUNOS es la opción ideal para aplicaciones de energía de bajo voltaje.estos FET de baja tensión vienen en ambos procesos de estructura SGT y TrenchEl proceso SGT ofrece una optimización FOM innovadora y abarca más aplicaciones,Mientras que el proceso de la zanja ofrece RSP más pequeño y permite libremente combinado y utilizado serie y configuraciones paralelas.

Los MOSFET de bajo voltaje de REASUNOS se ofrecen a precios competitivos, y están empaquetados con embalajes tubulares a prueba de polvo, a prueba de agua y antiestáticos,colocados dentro de una caja de cartón en cartones para su entrega seguraCon una capacidad de suministro de 5KK / mes, los pedidos pueden cumplirse dentro de 2-30 días dependiendo de la cantidad total.

 

Apoyo y servicios:

El soporte técnico y el servicio para los MOSFET de bajo voltaje están disponibles para garantizar el rendimiento óptimo de nuestros productos.Nuestros expertos están disponibles para proporcionar asistencia técnica para cualquier pregunta o problema relacionado con la instalación, operación y mantenimiento de los MOSFET de bajo voltaje.

También ofrecemos servicios complementarios como reparación, reemplazo y actualización de productos.Nuestros técnicos e ingenieros con mucha experiencia siempre están disponibles para ayudar con cualquier problema técnico que pueda surgir.

En Low Voltage MOSFETs, nos esforzamos por proporcionar a nuestros clientes un soporte técnico y servicio superiores.

 

Embalaje y envío:

Los MOSFET de bajo voltaje deben empaquetarse y enviarse de una manera que maximice su protección contra golpes mecánicos, abrasión y otros peligros ambientales.El embalaje debe estar diseñado para reducir el riesgo de descargas eléctricas y otros peligros.Cuando se envían, los MOSFET de bajo voltaje deben colocarse en contenedores sellados diseñados para protegerse contra las vibraciones y las temperaturas extremas.

 

Preguntas frecuentes:

Las preguntas frecuentes del MOSFET de baja tensión
P1: ¿Cuál es el nombre de marca del MOSFET de bajo voltaje?

R1: El nombre de marca del MOSFET de bajo voltaje es REASUNOS.

P2: ¿Dónde está el lugar de origen del MOSFET de bajo voltaje?

A2: El lugar de origen del MOSFET de bajo voltaje es Guangdong, CN.

P3: ¿Cuál es el precio del MOSFET de bajo voltaje?

A3: El precio del MOSFET de bajo voltaje es el precio confirmado basado en el producto.

P4: ¿Cuáles son los detalles del embalaje del MOSFET de bajo voltaje?

A4: Los detalles del embalaje del MOSFET de bajo voltaje es un embalaje tubular a prueba de polvo, a prueba de agua y antiestático, colocado dentro de una caja de cartón en cajas de cartón.

P5: ¿Cuánto dura el tiempo de entrega del MOSFET de bajo voltaje?

R5: El tiempo de entrega del MOSFET de bajo voltaje es de 2 a 30 días (depende de la cantidad total).

P6: ¿Cuáles son las condiciones de pago del MOSFET de bajo voltaje?

R6: Los términos de pago de MOSFET de bajo voltaje son 100% T/T por adelantado (EXW).

P7: ¿Cuál es la capacidad de suministro del MOSFET de bajo voltaje?

R7: La capacidad de suministro de MOSFET de bajo voltaje es de 5KK / mes.