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El conductor de LED Super Junction MOSFET Anti Surge Anti EMI Resistencia interna pequeña
| Tipo de dispositivo: | Dispositivos discretos del poder |
|---|---|
| Capacitancia: | Capacitancia de empalme ultrabaja |
| Nombre del producto: | Empalme estupendo MOSFET/SJ MOSTET |
Superjunción industrial duradera Mos, Mosfet discreto multifunción
| Nombre del producto: | Empalme estupendo MOSFET/SJ MOSTET |
|---|---|
| Aplicación: | Conductor del LED, circuito de PFC, fuente de alimentación que cambia, UPS del sistema de abastecimi |
| Ventajas: | Es hecho por proceso de múltiples capas de la epitaxia. Comparado con proceso del foso, tiene EMI An |
MOSFET de superunión del circuito PFC de tipo N
| Nombre del producto: | Empalme estupendo MOSFET/SJ MOSTET |
|---|---|
| Aplicación: | Conductor del LED, circuito de PFC, fuente de alimentación que cambia, UPS del sistema de abastecimi |
| Tipo de dispositivo: | Dispositivos discretos del poder |
MOSFET de supercruce N-canal duradero con múltiples propósitos
| Resistencia interna: | Resistencia interna ultra pequeña |
|---|---|
| Margen de la EMI: | EMI Margin grande |
| Nombre del producto: | Empalme estupendo MOSFET/SJ MOSTET |
MOSFET multifuncional de súper unión de canal N para suministro de energía UPS
| El tipo: | N |
|---|---|
| Resistencia interna: | Resistencia interna ultra pequeña |
| Nombre del producto: | Empalme estupendo MOSFET/SJ MOSTET |
Transistor de súper unión industrial estable, disipación de calor Mosfet discreto
| Margen de la EMI: | EMI Margin grande |
|---|---|
| Aplicación: | Conductor del LED, circuito de PFC, fuente de alimentación que cambia, UPS del sistema de abastecimi |
| El tipo: | N |
Suministro de energía Super Junction MOSFET Superficie de montaje Multi Función
| Aplicación: | Conductor del LED, circuito de PFC, fuente de alimentación que cambia, UPS del sistema de abastecimi |
|---|---|
| Ventajas: | Es hecho por proceso de múltiples capas de la epitaxia. Comparado con proceso del foso, tiene EMI An |
| Nombre del producto: | Empalme estupendo MOSFET/SJ MOSTET |
Estabilidad de superjunción Fet de múltiples capas para equipos de energía de nueva energía
| El tipo: | N |
|---|---|
| Ventajas: | Es hecho por proceso de múltiples capas de la epitaxia. Comparado con proceso del foso, tiene EMI An |
| Resistencia interna: | Resistencia interna ultra pequeña |
MOSFET de súper unión multipropósito N tipo 600V para controlador LED
| Ventajas: | Es hecho por proceso de múltiples capas de la epitaxia. Comparado con proceso del foso, tiene EMI An |
|---|---|
| paquete: | Paquete ultra pequeño |
| Aplicación: | Conductor del LED, circuito de PFC, fuente de alimentación que cambia, UPS del sistema de abastecimi |
Mosfet de potencia de superjunción anti-EMI, Mosfet de potencia de canal N práctico
| Capacitancia: | Capacitancia de empalme ultrabaja |
|---|---|
| paquete: | Paquete ultra pequeño |
| Tipo de dispositivo: | Dispositivos discretos del poder |