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Transistor de conmutación de baja tensión de RSP pequeño

  • Industrial Durable Low Vgs Mosfet , Small RSP Low Voltage Switching Transistor
Lugar de origen Guangdong, NC
Nombre de la marca REASUNOS
Precio Confirm price based on product
Detalles de empaquetado Envases tubulares a prueba de polvo, agua y antistáticos, colocados en una caja de cartón en cartone
Tiempo de entrega 2-30 días (depende de la cantidad total)
Condiciones de pago 100% T/T por adelantado (EXW)
Capacidad de la fuente 5KK/mes

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Datos del producto
Ventajas de proceso de SGT Optimización de la brecha FOM, cubriendo más uso. Consumo de energía Pérdida de la energía baja
Aplicación del proceso de zanja Carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor CC/CC, interruptor de alta frecue Proceso de estructura Trinchera/SGT
Uso de proceso de SGT Conductor del motor, 5G estación base, almacenamiento de energía, interruptor de alta frecuencia, re Resistencia RDS bajo (ENCENDIDO)
eficiencia Alta eficiencia y confiable Ventajas del proceso de zanja RSP más pequeño, tanto en serie como en paralelo, se pueden combinar y utilizar libremente.
Resaltar

Mosfet industrial de bajo Vgs

,

Mosfet de baja Vgs duradero

,

Transistor de conmutación de bajo voltaje RSP pequeño
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descripción de producto

MOSFET de proceso de trinchera de baja pérdida de potencia con alta capacidad EAS y RSP más pequeño

Descripción del producto:

Los MOSFET de bajo voltaje están diseñados para ofrecer una mayor eficiencia y fiabilidad para una variedad de aplicaciones.El Trench Low Voltage MOSFET es un transistor de efecto de campo de bajo voltaje (FET) con bajo voltaje umbral y alta eficiencia, lo que lo convierte en una solución ideal para diversas aplicaciones de gestión de energía. Cuenta con baja pérdida de energía y es adecuado para carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor DC/DC,interruptor de alta frecuenciaCon su alta capacidad de EAS y aplicación de proceso SGT, este MOSFET de bajo voltaje es adecuado para conductor de motor, estación base 5G, almacenamiento de energía, interruptor de alta frecuencia,Este MOSFET de bajo voltaje proporciona una mayor eficiencia, un rendimiento confiable y una baja pérdida de energía para una variedad de aplicaciones.

 

Parámetros técnicos:

Propiedad Descripción
Nombre del producto MOSFET de baja tensión
Proceso de estructura En el caso de las empresas de transporte de mercancías
Tensión de umbral bajo MOSFET
Ventajas del proceso SGT Optimización FOM de gran avance, que cubre más aplicaciones
Capacidad de EAS Capacidad EAS elevada
Aplicación del proceso SGT El conductor del motor, la estación base 5G, el almacenamiento de energía, el interruptor de alta frecuencia, la rectificación síncrona.
Eficiencia Alta eficiencia y fiabilidad
MOSFET de baja tensión Baja pérdida de energía
Aplicación del proceso de zanja Carga inalámbrica, carga rápida, conductor del motor, convertidor de CC/DC, interruptor de alta frecuencia, rectificación síncrona
Ventajas del proceso de zanja RSP más pequeño, tanto en serie como en configuraciones paralelas pueden combinarse y utilizarse libremente
El conductor del MOSFET de baja tensión Bajo Rds ((ON)
 

Aplicaciones:

MOSFET de baja tensión

REASUNOS Low Voltage MOSFET es un producto de alto rendimiento de Guangdong, China, que presenta un voltaje umbral bajo y una baja pérdida de potencia.Se caracteriza por una baja resistencia Rds ((ON) que lo hace ideal para una amplia gama de aplicaciones, como el conductor del motor, la estación base 5G, el almacenamiento de energía, el interruptor de alta frecuencia y la rectificación síncrona.El MOSFET de baja tensión REASUNOS también proporciona configuraciones tanto en serie como paralelas que se pueden combinar y utilizar libremente.

El MOSFET de bajo voltaje REASUNOS es una opción ideal para varias industrias, incluidas la automotriz, la aeroespacial, la industrial y la electrónica de consumo.Su precio es competitivo y puede ser discutido en función de los requisitos del productoEl producto está envasado en un embalaje tubular a prueba de polvo, impermeable y antiestático, que luego se coloca dentro de una caja de cartón en cartones.La capacidad de suministro es de 5KK/mes y el tiempo de entrega es de entre 2-30 días dependiendo de la cantidad total.Los términos de pago son 100% T/T por adelantado (EXW).

 

Apoyo y servicios:

Soporte técnico y servicio de MOSFET de baja tensión

Proporcionamos soporte técnico y servicio para productos MOSFET de bajo voltaje.Nuestro equipo de soporte técnico está compuesto por profesionales experimentados que están bien versados en la tecnología y las operaciones de nuestros productos MOSFET de bajo voltaje.

Proporcionamos una amplia gama de servicios para ayudar a los clientes a sacar el máximo provecho de sus productos MOSFET de bajo voltaje.y capacitación de productosTambién ofrecemos asesoramiento técnico y asistencia para optimizar el rendimiento de los productos MOSFET de bajo voltaje.

Nos esforzamos por proporcionar la mejor experiencia al cliente con nuestro soporte técnico y servicio. Nos esforzamos por responder a todas las consultas de los clientes con prontitud y con gran precisión.Nuestro equipo de atención al cliente está disponible las 24 horas del día, los 7 días de la semana para brindarle asistencia y responder cualquier pregunta que pueda tener..

Nos dedicamos a proporcionar a nuestros clientes un apoyo técnico y servicio excepcionales.Nuestro compromiso con la satisfacción del cliente se refleja en nuestro compromiso de proporcionar las últimas actualizaciones de productos y versiones de softwareEsperamos seguir sirviéndole con el mejor soporte técnico y servicio para productos MOSFET de bajo voltaje.

 

Embalaje y envío:

Embalaje y envío del MOSFET de baja tensión
  • Los productos se empaquetan de forma segura en bolsas o cajas antistaticas.
  • Los paquetes se colocan en una caja de cartón o cartón.
  • Los envases están asegurados con espuma para evitar el movimiento.
  • Envío por vía aérea o marítima.
 

Preguntas frecuentes:

P: ¿Cuál es la marca del MOSFET de bajo voltaje?
R: La marca del MOSFET de bajo voltaje es REASUNOS.
P: ¿Dónde se fabrica el producto?
R: El MOSFET de bajo voltaje se fabrica en Guangdong, China.
P: ¿Cuál es el precio del producto?
R: El precio del producto está basado en el producto en sí mismo.
P: ¿Cómo se empaqueta el producto?
R: El producto está envasado en un embalaje tubular a prueba de polvo, a prueba de agua y antiestático, colocado dentro de una caja de cartón en cartones.
P: ¿Cuánto tiempo dura la entrega?
R: El tiempo de entrega es de 2 a 30 días, dependiendo de la cantidad total.
P: ¿Qué condiciones de pago acepta?
A: Aceptamos el 100% de T/T por adelantado (EXW).
P: ¿Cuál es la capacidad de suministro?
R: Somos capaces de suministrar 5KK/mes.
Etiquetas:

Tensión de umbral bajo del canal N Mosfet

Mosfet de canal P de baja potencia estable

MOSFET de baja tensión de la estación base