Convertidor MOSFET de baja tensión multipropósito para carga inalámbrica
Lugar de origen | Guangdong, NC |
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Nombre de la marca | REASUNOS |
Precio | Confirm price based on product |
Detalles de empaquetado | Envases tubulares a prueba de polvo, agua y antistáticos, colocados en una caja de cartón en cartone |
Tiempo de entrega | 2-30 días (depende de la cantidad total) |
Condiciones de pago | 100% T/T por adelantado (EXW) |
Capacidad de la fuente | 5KK/mes |

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xProceso de estructura | Trinchera/SGT | Uso de proceso de SGT | Conductor del motor, 5G estación base, almacenamiento de energía, interruptor de alta frecuencia, re |
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Aplicación del proceso de zanja | Carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor CC/CC, interruptor de alta frecue | Ventajas de proceso de SGT | Optimización de la brecha FOM, cubriendo más uso. |
Nombre del producto | MOSFET de bajo voltaje | Capacidad EAS | Alta capacidad EAS |
Ventajas del proceso de zanja | RSP más pequeño, tanto en serie como en paralelo, se pueden combinar y utilizar libremente. | Consumo de energía | Pérdida de la energía baja |
Resaltar | MOSFET de bajo voltaje,MOSFET de baja tensión polivalente,MOSFET de carga inalámbrica de baja tensión de puerta |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
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1 | RS2301E | P | -2.3 | -20 | 70 | 110 | SOT-23 | 3000 | |
2 | RS3415E | P | -4 | -20 | 33 | 50 | SOT-23 | 3000 | |
3 | RS2302E | N | 2.1 | 20 | 32 | 45 | SOT-23 | 3000 | |
4 | RS2300E | N | 4.5 | 20 | 21 | 32 | SOT-23 | 3000 | |
5 | RS2N7002E | N | 0.34 | 60 | 1300 | 5000 | SOT-23 | 3000 | |
6 | RS20N90D | N | 90 | 20 | 3.7 | 5 | TO-252 | 2500 | |
7 | RS3401E | P | -4.2 | -30 | 50 | 65 | SOT-23 | 3000 | |
8 | RS4435 | P | -10 | -30 | 15 | 20 | SOP-8 | 4000 | |
9 | RS3400E | N | 5.8 | 30 | 27 | 35 | SOT-23 | 3000 | |
10 | RS30N30K | N | 30 | 30 | 5.8 | 9 | DFN3*3 | 5000 | |
11 | RS30N50K | N | 50 | 30 | 3.8 | 5.5 | DFN3*3 | 5000 | |
12 | RS30N60D | N | 60 | 30 | 6.2 | 7.5 | TO-252 | 2500 | |
13 | RS30N86D | N | 86 | 30 | 4.7 | 5.5 | TO-252 | 2500 | |
14 | RS30N120G | N | 120 | 30 | 3 | 4 | DFN5*6 | 5000 | |
15 | RS30N150D | N | 150 | 30 | 3 | 4 | TO-252 | 2500 | |
16 | RS30N150T | N | 150 | 30 | 3 | 4 | TO-220 | 1000 | |
17 | RS40N100G | N | 100 | 40 | 2.8 | 3.5 | DFN5*6 | 5000 | |
18 | RS40N120D | N | 120 | 40 | 2.8 | 3.5 | TO-252 | 2500 | |
19 | RS40N120T | N | 120 | 40 | 2.8 | 3.5 | TO-220 | 1000 | |
20 | RS150N105T | N | 105 | 150 | 9.8 | 11 | TO-220 | 1000 | |
21 | RS76N20T | N | 76 | 200 | 17 | 20 | TO-220 | 1000 | |
22 | RS2310E | N | 3 | 60 | 70 | 105 | SOT-23 | 3000 | |
23 | RS60N30D | N | 30 | 60 | 22 | 35 | TO-252 | 2500 | |
24 | RS60N50D | N | 50 | 60 | 14 | 22 | TO-252 | 2500 | |
25 | RS60N50T | N | 50 | 60 | 14 | 22 | TO-220 | 1000 | |
26 | RS80N25W | N | 80 | 250 | 30 | 35 | TO-247 | 600 | |
27 | RS630D | N | 9 | 200 | 250 | 300 | TO-252 | 2500 | |
28 | RS630T | N | 9 | 200 | 250 | 300 | TO-220 | 1000 | |
29 | RS640D | N | 18 | 200 | 120 | 150 | TO-252 | 2500 | |
30 | RS640T | N | 18 | 200 | 120 | 150 | TO-220 | 1000 | |
31 | RS40N130G | N | 130 | 40 | 1.45 | 1.75 | DFN5*6 | 5000 | |
32 | RS40N180T | N | 180 | 40 | 1.6 | 2 | TO-220 | 1000 | |
33 | RS60N130G | N | 130 | 60 | 2.1 | 2.5 | DFN5*6 | 5000 | |
34 | RS60N200T | N | 200 | 60 | 2.5 | 3.2 | TO-220 | 1000 | |
35 | RS85N140T | N | 140 | 85 | 4.5 | 5.3 | TO-220 | 1000 | |
36 | RS85N140S | N | 140 | 85 | 4.5 | 5.3 | TO-263 | 800 | |
37 | RS85N150T | N | 150 | 85 | 2.8 | 3.6 | TO-220 | 1000 | |
38 | RS85N150S | N | 150 | 85 | 2.7 | 3.4 | TO-263 | 800 | |
39 | RS100N78HT | N | 78 | 100 | 8.2 | 9.5 | TO-220 | 1000 | |
40 | RS100N78T | N | 78 | 100 | 8.2 | 9.5 | TO-220 | 1000 | |
41 | RS100N100T | N | 100 | 100 | 7 | 8.5 | TO-220 | 1000 | |
42 | RS100N135T | N | 135 | 100 | 3.7 | 4.2 | TO-220 | 1000 | |
43 | RS100N135HT | N | 135 | 100 | 3.7 | 4.2 | TO-220 | 1000 | |
44 | RS100N135HS | N | 135 | 100 | 4.2 | 5 | TO-263 | 800 | |
45 | RS100N180T | N | 180 | 100 | 3 | 3.8 | TO-220 | 1000 | |
46 | RS100N180S | N | 180 | 100 | 2.9 | 3.6 | TO-263 | 800 | |
47 | RS100N190T | N | 190 | 100 | 2.3 | 3 | TO-220 | 1000 | |
48 | RS100N190S | N | 190 | 100 | 2.2 | 2.8 | TO-263 | 800 | |
49 | RS110N200T | N | 200 | 110 | 3.4 | 4 | TO-220 | 1000 | |
50 | RS110N200S | N | 200 | 110 | 3.4 | 4 | TO-263 | 800 | |
51 | RS100N210S | N | 200 | 100 | 1.9 | 2.4 | TO-263 | 800 | |
52 | RS100N210T | N | 210 | 100 | 1.9 | 2.4 | TO-220 | 1000 | |
53 | RS100N300I | N | 300 | 100 | 1.7 | 2.2 | TOLL | 2000 | |
54 | RS100N60G | N | 60 | 100 | 7.5 | 8.5 | DFN5*6 | 5000 | |
55 | RS100N60HG | N | 60 | 100 | 7.5 | 8.5 | DFN5*6 | 5000 | |
56 | RS100N85G | N | 85 | 100 | 6 | 7.5 | DFN5*6 | 5000 | |
57 | RS100N85HG | N | 85 | 100 | 6 | 7.5 | DFN5*6 | 5000 | |
58 | RS100N125G | N | 125 | 100 | 4 | 4.6 | DFN5*6 | 5000 | |
59 | RS100N125HG | N | 125 | 100 | 4 | 4.6 | DFN5*6 | 5000 | |
60 | RS100N150HG | N | 150 | 100 | 3.5 | 4.2 | DFN5*6 | 5000 |
MOSFET de baja tensión de puerta con ventajas del proceso SGT para un proceso de estructura confiable
Descripción del producto:
El MOSFET de bajo voltaje es un transistor de bajo voltaje con voltaje umbral bajo y alta capacidad EAS. Está diseñado para aplicaciones como carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor,Conversor de corriente continuaEl RSP tiene las ventajas de ser más pequeño y puede combinarse y utilizarse libremente tanto en serie como en paralelo.También tiene la optimización de FOM de la brecha, lo que lo hace adecuado para una mayor aplicación.
El MOSFET de bajo voltaje ofrece un gran rendimiento con su transistor de bajo voltaje, mosfet de voltaje de umbral bajo, mosfet de bajo voltaje y alta capacidad EAS.carga rápida, controlador de motor, convertidor de CC/CC, interruptor de alta frecuencia, rectificación síncrona y más.Además, también tiene las ventajas de un RSP más pequeño y tanto las configuraciones en serie como las paralelas pueden combinarse y utilizarse libremente.
El MOSFET de bajo voltaje es una excelente opción para aquellos que necesitan una alta capacidad EAS y un mosfet de voltaje de umbral bajo.Tiene las ventajas de RSP más pequeño y tanto serie y configuraciones paralelas se pueden combinar libremente y utilizarAdemás, también tiene una optimización FOM innovadora, lo que lo hace adecuado para más aplicaciones. Es la opción ideal para carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor DC / DC,con una frecuencia de transmisión superior a 100 Hz,.
Parámetros técnicos:
Parámetro | Descripción |
---|---|
Capacidad de EAS | Capacidad EAS elevada |
Proceso de zanja Aplicación | Carga inalámbrica, carga rápida, conductor del motor, convertidor de CC/DC, interruptor de alta frecuencia, rectificación síncrona |
Proceso de estructura | En el caso de las empresas de transporte de mercancías |
Proceso de zanja Ventajas | RSP más pequeño, tanto en serie como en configuraciones paralelas pueden combinarse y utilizarse libremente |
Resistencia | Bajo Rds ((ON) |
Proceso SGT Ventajas | Optimización FOM de gran avance, que cubre más aplicaciones |
Proceso SGT Aplicación | El conductor del motor, la estación base 5G, el almacenamiento de energía, el interruptor de alta frecuencia, la rectificación síncrona. |
Eficiencia | Alta eficiencia y fiabilidad |
Nombre del producto | MOSFET de baja tensión |
Consumo de energía | Baja pérdida de energía |
Aplicaciones:
REASUNOS se enorgullece de ofrecer su transistor MOSFET de bajo voltaje, que utiliza un proceso Trench / SGT para proporcionar un rendimiento superior en una amplia gama de aplicaciones.Este FET de bajo voltaje está diseñado para proporcionar baja resistencia Rds ((ON) y se puede utilizar para carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor DC/DC, interruptor de alta frecuencia y rectificación síncrona.que permite combinar y utilizar libremente RSP más pequeños y configuraciones tanto en serie como en paralelo.
El REASUNOS FET de baja tensión está disponible a precios competitivos. Ofrecemos embalajes tubulares a prueba de polvo, a prueba de agua y antistáticos, colocados dentro de una caja de cartón en cartones.Nuestro tiempo de entrega es de 2 a 30 días., dependiendo de la cantidad total, y aceptamos el 100% de T/T por adelantado (EXW).
Apoyo y servicios:
Ofrecemos soporte técnico completo y servicio para nuestros productos MOSFET de bajo voltaje.Nuestro equipo de ingenieros experimentados está disponible para proporcionar soluciones a cualquier problema técnico que pueda tener con nuestros productosTambién ofrecemos servicios integrales de formación y educación para ayudarle a comprender cómo utilizar nuestros productos de la manera más eficiente y efectiva.
Si tiene alguna pregunta o inquietud, no dude en ponerse en contacto con nosotros. Nuestro equipo de servicio al cliente siempre está disponible para brindarle asistencia y responder a cualquier pregunta que pueda tener.
Embalaje y envío:
Los MOSFET de bajo voltaje generalmente se empaquetan y envían de la siguiente manera:
- Cada dispositivo está empaquetado individualmente en una bolsa de plástico sellada al vacío.
- Las bolsas se colocan en una bolsa de blindaje estático homologada por el DEA.
- La bolsa de protección estática se coloca luego en un contenedor de envío.
- El contenedor de envío se sella y se envía al cliente.
Preguntas frecuentes:
R: El MOSFET de bajo voltaje es un tipo de transistor de efecto de campo de semiconductores de óxido metálico (MOSFET) diseñado para su uso en aplicaciones de bajo voltaje.
R: El nombre de marca del MOSFET de bajo voltaje es REASUNOS.
R: El lugar de origen del MOSFET de bajo voltaje es Guangdong, China.
R: Los detalles del embalaje del MOSFET de bajo voltaje es un embalaje tubular a prueba de polvo, a prueba de agua y antistatico, colocado dentro de una caja de cartón en cajas de cartón.
R: El tiempo de entrega del MOSFET de bajo voltaje es de 2 a 30 días, dependiendo de la cantidad total.
R: Los términos de pago de MOSFET de bajo voltaje son 100% T/T por adelantado (EXW).
R: La capacidad de suministro de MOSFET de bajo voltaje es de 5KK / mes.