Convertidor MOSFET de baja tensión multipropósito para carga inalámbrica

Lugar de origen Guangdong, NC
Nombre de la marca REASUNOS
Precio Confirm price based on product
Detalles de empaquetado Envases tubulares a prueba de polvo, agua y antistáticos, colocados en una caja de cartón en cartone
Tiempo de entrega 2-30 días (depende de la cantidad total)
Condiciones de pago 100% T/T por adelantado (EXW)
Capacidad de la fuente 5KK/mes

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Datos del producto
Proceso de estructura Trinchera/SGT Uso de proceso de SGT Conductor del motor, 5G estación base, almacenamiento de energía, interruptor de alta frecuencia, re
Aplicación del proceso de zanja Carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor CC/CC, interruptor de alta frecue Ventajas de proceso de SGT Optimización de la brecha FOM, cubriendo más uso.
Nombre del producto MOSFET de bajo voltaje Capacidad EAS Alta capacidad EAS
Ventajas del proceso de zanja RSP más pequeño, tanto en serie como en paralelo, se pueden combinar y utilizar libremente. Consumo de energía Pérdida de la energía baja
Resaltar

MOSFET de bajo voltaje

,

MOSFET de baja tensión polivalente

,

MOSFET de carga inalámbrica de baja tensión de puerta

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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descripción de producto

MOSFET de baja tensión de puerta con ventajas del proceso SGT para un proceso de estructura confiable

Descripción del producto:

El MOSFET de bajo voltaje es un transistor de bajo voltaje con voltaje umbral bajo y alta capacidad EAS. Está diseñado para aplicaciones como carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor,Conversor de corriente continuaEl RSP tiene las ventajas de ser más pequeño y puede combinarse y utilizarse libremente tanto en serie como en paralelo.También tiene la optimización de FOM de la brecha, lo que lo hace adecuado para una mayor aplicación.

El MOSFET de bajo voltaje ofrece un gran rendimiento con su transistor de bajo voltaje, mosfet de voltaje de umbral bajo, mosfet de bajo voltaje y alta capacidad EAS.carga rápida, controlador de motor, convertidor de CC/CC, interruptor de alta frecuencia, rectificación síncrona y más.Además, también tiene las ventajas de un RSP más pequeño y tanto las configuraciones en serie como las paralelas pueden combinarse y utilizarse libremente.

El MOSFET de bajo voltaje es una excelente opción para aquellos que necesitan una alta capacidad EAS y un mosfet de voltaje de umbral bajo.Tiene las ventajas de RSP más pequeño y tanto serie y configuraciones paralelas se pueden combinar libremente y utilizarAdemás, también tiene una optimización FOM innovadora, lo que lo hace adecuado para más aplicaciones. Es la opción ideal para carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor DC / DC,con una frecuencia de transmisión superior a 100 Hz,.

 

Parámetros técnicos:

Parámetro Descripción
Capacidad de EAS Capacidad EAS elevada
Proceso de zanja Aplicación Carga inalámbrica, carga rápida, conductor del motor, convertidor de CC/DC, interruptor de alta frecuencia, rectificación síncrona
Proceso de estructura En el caso de las empresas de transporte de mercancías
Proceso de zanja Ventajas RSP más pequeño, tanto en serie como en configuraciones paralelas pueden combinarse y utilizarse libremente
Resistencia Bajo Rds ((ON)
Proceso SGT Ventajas Optimización FOM de gran avance, que cubre más aplicaciones
Proceso SGT Aplicación El conductor del motor, la estación base 5G, el almacenamiento de energía, el interruptor de alta frecuencia, la rectificación síncrona.
Eficiencia Alta eficiencia y fiabilidad
Nombre del producto MOSFET de baja tensión
Consumo de energía Baja pérdida de energía
 

Aplicaciones:

MOSFET de baja tensión REASUNOS - Carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor de CC/DC, interruptor de alta frecuencia, rectificación síncrona

REASUNOS se enorgullece de ofrecer su transistor MOSFET de bajo voltaje, que utiliza un proceso Trench / SGT para proporcionar un rendimiento superior en una amplia gama de aplicaciones.Este FET de bajo voltaje está diseñado para proporcionar baja resistencia Rds ((ON) y se puede utilizar para carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor DC/DC, interruptor de alta frecuencia y rectificación síncrona.que permite combinar y utilizar libremente RSP más pequeños y configuraciones tanto en serie como en paralelo.

El REASUNOS FET de baja tensión está disponible a precios competitivos. Ofrecemos embalajes tubulares a prueba de polvo, a prueba de agua y antistáticos, colocados dentro de una caja de cartón en cartones.Nuestro tiempo de entrega es de 2 a 30 días., dependiendo de la cantidad total, y aceptamos el 100% de T/T por adelantado (EXW).

 

Apoyo y servicios:

Soporte técnico y servicio de MOSFET de baja tensión

Ofrecemos soporte técnico completo y servicio para nuestros productos MOSFET de bajo voltaje.Nuestro equipo de ingenieros experimentados está disponible para proporcionar soluciones a cualquier problema técnico que pueda tener con nuestros productosTambién ofrecemos servicios integrales de formación y educación para ayudarle a comprender cómo utilizar nuestros productos de la manera más eficiente y efectiva.

Si tiene alguna pregunta o inquietud, no dude en ponerse en contacto con nosotros. Nuestro equipo de servicio al cliente siempre está disponible para brindarle asistencia y responder a cualquier pregunta que pueda tener.

 

Embalaje y envío:

Los MOSFET de bajo voltaje generalmente se empaquetan y envían de la siguiente manera:

  • Cada dispositivo está empaquetado individualmente en una bolsa de plástico sellada al vacío.
  • Las bolsas se colocan en una bolsa de blindaje estático homologada por el DEA.
  • La bolsa de protección estática se coloca luego en un contenedor de envío.
  • El contenedor de envío se sella y se envía al cliente.
 

Preguntas frecuentes:

P: ¿Qué es el MOSFET de bajo voltaje?

R: El MOSFET de bajo voltaje es un tipo de transistor de efecto de campo de semiconductores de óxido metálico (MOSFET) diseñado para su uso en aplicaciones de bajo voltaje.

P: ¿Cuál es la marca?

R: El nombre de marca del MOSFET de bajo voltaje es REASUNOS.

P: ¿Dónde está el lugar de origen?

R: El lugar de origen del MOSFET de bajo voltaje es Guangdong, China.

P: ¿Cuáles son los detalles del embalaje?

R: Los detalles del embalaje del MOSFET de bajo voltaje es un embalaje tubular a prueba de polvo, a prueba de agua y antistatico, colocado dentro de una caja de cartón en cajas de cartón.

P: ¿Cuál es el plazo de entrega?

R: El tiempo de entrega del MOSFET de bajo voltaje es de 2 a 30 días, dependiendo de la cantidad total.

P: ¿Cuáles son las condiciones de pago?

R: Los términos de pago de MOSFET de bajo voltaje son 100% T/T por adelantado (EXW).

P: ¿Cuál es la capacidad de suministro?

R: La capacidad de suministro de MOSFET de bajo voltaje es de 5KK / mes.