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SGT Estables de Puerta Baja de Umbral de Tensión Mosfet Para el Convertidor de CC a CC

  • SGT Stable Low Gate Threshold Voltage Mosfet For DC DC Converter
Lugar de origen Guangdong, NC
Nombre de la marca REASUNOS
Precio Confirm price based on product
Detalles de empaquetado Envases tubulares a prueba de polvo, agua y antistáticos, colocados en una caja de cartón en cartone
Tiempo de entrega 2-30 días (depende de la cantidad total)
Condiciones de pago 100% T/T por adelantado (EXW)
Capacidad de la fuente 5KK/mes

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Datos del producto
Ventajas del proceso de zanja RSP más pequeño, tanto en serie como en paralelo, se pueden combinar y utilizar libremente. Uso de proceso de SGT Conductor del motor, 5G estación base, almacenamiento de energía, interruptor de alta frecuencia, re
Proceso de estructura Trinchera/SGT Capacidad EAS Alta capacidad EAS
Nombre del producto MOSFET de bajo voltaje Resistencia RDS bajo (ENCENDIDO)
Consumo de energía Pérdida de la energía baja Aplicación del proceso de zanja Carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor CC/CC, interruptor de alta frecue
Resaltar

SGT Tensión de umbral de entrada baja Mosfet

,

Tensión de umbral de puerta baja estable Mosfet

,

Conversor de Vgs bajo Mosfet de umbral
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descripción de producto

MOSFET de voltaje de umbral bajo con alta capacidad EAS para convertidor de CC/DC en proceso de estructura de trinchera/SGT

Descripción del producto:

MOSFET de bajo voltaje: la solución ideal para sus necesidades energéticas!

¿Busca una solución eficiente y fiable para alimentar sus dispositivos electrónicos? No busque más que el MOSFET de bajo voltaje.Este transistor de puerta única es ideal para una amplia gama de aplicaciones., incluida la carga inalámbrica, la carga rápida, el conductor del motor, el convertidor DC/DC, el interruptor de alta frecuencia y la rectificación síncrona.

Para una mayor eficiencia y rendimiento, el MOSFET de bajo voltaje también está disponible en dos procesos: Trench y SGT.carga rápidaPor otro lado, el proceso SGT es ideal para el conductor del motor, la estación base 5G, el almacenamiento de energía,interruptor de alta frecuencia, y rectificación síncrona.

Cuando se trata de alimentar a su electrónica, el MOSFET de bajo voltaje es la solución perfecta y confiable.puede estar seguro de que sus aparatos electrónicos serán alimentados de manera segura y eficiente.

 

Parámetros técnicos:

Nombre del producto MOSFET de baja tensión
Proceso de estructura En el caso de las empresas de transporte de mercancías
Eficiencia Alta eficiencia y fiabilidad
Ventajas del proceso de zanja RSP más pequeño, tanto en serie y configuraciones paralelas se pueden combinar y utilizar libremente.
Resistencia Bajo Rds ((ON)
Aplicación del proceso SGT El conductor del motor, la estación base 5G, el almacenamiento de energía, el interruptor de alta frecuencia, la rectificación síncrona.
Capacidad de EAS Capacidad EAS elevada
Consumo de energía Baja pérdida de energía
Aplicación del proceso de zanja Carga inalámbrica, carga rápida, conductor del motor, convertidor de CC/CC, interruptor de alta frecuencia, rectificación síncrona.
MOSFET de baja VGS FET de baja tensión
SGT MOSFET de baja tensión La optimización de FOM, que cubre más aplicaciones.
 

Aplicaciones:

REASUNOS MOSFET de bajo voltaje es una opción ideal para aplicaciones como carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor DC / DC, interruptor de alta frecuencia,y rectificación síncrona debido a su fiabilidad y alta eficienciaEstá especialmente diseñado para baja tensión de la puerta y tiene un excelente embalaje tubular a prueba de polvo, a prueba de agua y antiestático.Todos los paquetes se colocan dentro de una caja de cartón y cartones para garantizar la máxima seguridad durante la entregaEl tiempo de entrega para este producto es de 2-30 días dependiendo de la cantidad total. Los términos de pago son 100% T/T por adelantado (EXW).La capacidad de suministro es de 5KK/mes y tiene una alta capacidad de EASTambién tiene una aplicación de proceso de zanja única que ofrece RSP más pequeño, tanto en serie como en configuraciones paralelas se pueden combinar y utilizar libremente.También tiene una optimización FOM innovadora que cubre más aplicaciones.

 

Apoyo y servicios:

Soporte técnico y servicio de MOSFET de baja tensión

Proporcionamos soporte técnico y servicios profesionales para productos MOSFET de bajo voltaje. Nuestro equipo de expertos está aquí para ayudarle con cualquier problema que pueda tener.Nuestros técnicos experimentados pueden ayudar con la instalación, solución de problemas y mantenimiento de su sistema MOSFET de bajo voltaje.

También ofrecemos capacitación y recursos educativos para ayudarle a comprender mejor la tecnología y cómo usarla.y videos para ayudarle a sacar el máximo provecho de su sistema MOSFET de Bajo Voltado.

Si alguna vez tiene alguna pregunta o necesita ayuda, no dude en contactarnos.Nuestro equipo de atención al cliente está disponible para responder a cualquier pregunta que pueda tener y brindar apoyo cuando lo necesite.

 

Embalaje y envío:

Embalaje y envío de MOSFET de baja tensión

Embalaje: el MOSFET de bajo voltaje se envasará de forma segura en una caja que contenga protección de espuma para garantizar su protección durante el transporte.

Envío: El MOSFET de bajo voltaje se enviará a través de un servicio de mensajería confiable como UPS, FedEx o DHL y se rastreará durante todo el viaje.

 

Preguntas frecuentes:

P: ¿Cuál es el nombre de marca del MOSFET de bajo voltaje?
R: El nombre de marca del MOSFET de bajo voltaje es REASUNOS.

P: ¿Dónde está el lugar de origen del MOSFET de bajo voltaje?
R: El lugar de origen del MOSFET de bajo voltaje es Guangdong, CN.

P: ¿Cuál es el precio del MOSFET de bajo voltaje?
R: El precio del MOSFET de bajo voltaje debe confirmarse en función del producto.

P: ¿Cuáles son los detalles del embalaje del MOSFET de bajo voltaje?
R: Los detalles del embalaje del MOSFET de bajo voltaje es un embalaje tubular a prueba de polvo, a prueba de agua y antiestático, colocado dentro de una caja de cartón en cartones.

P: ¿Cuánto dura el tiempo de entrega para el MOSFET de bajo voltaje?
R: El tiempo de entrega para MOSFET de bajo voltaje es de 2 a 30 días (depende de la cantidad total).

P: ¿Cuáles son las condiciones de pago para MOSFET de bajo voltaje?
R: Los términos de pago para MOSFET de bajo voltaje son 100% T/T por adelantado ((EXW).

P: ¿Cuántos MOSFET de bajo voltaje se pueden suministrar por mes?
R: La capacidad de suministro de MOSFET de bajo voltaje es de 5KK/mes.

Etiquetas:

Tensión de umbral bajo del canal N Mosfet

Mosfet de canal P de baja potencia estable

MOSFET de baja tensión de la estación base