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MOSFET de baja tensión de RSP pequeño de escenas múltiples N canal de umbral bajo

  • Small RSP Low Voltage MOSFET Multi Scene N Channel Low Threshold
Lugar de origen Guangdong, NC
Nombre de la marca REASUNOS
Precio Confirm price based on product
Detalles de empaquetado Envases tubulares a prueba de polvo, agua y antistáticos, colocados en una caja de cartón en cartone
Tiempo de entrega 2-30 días (depende de la cantidad total)
Condiciones de pago 100% T/T por adelantado (EXW)
Capacidad de la fuente 5KK/mes

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Datos del producto
Capacidad EAS Alta capacidad EAS Ventajas de proceso de SGT Optimización de la brecha FOM, cubriendo más uso.
Uso de proceso de SGT Conductor del motor, 5G estación base, almacenamiento de energía, interruptor de alta frecuencia, re Aplicación del proceso de zanja Carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor CC/CC, interruptor de alta frecue
Ventajas del proceso de zanja RSP más pequeño, tanto en serie como en paralelo, se pueden combinar y utilizar libremente. Proceso de estructura Trinchera/SGT
Consumo de energía Pérdida de la energía baja eficiencia Alta eficiencia y confiable
Resaltar

MOSFET de baja tensión RSP pequeño

,

MOSFET de baja tensión de múltiples escenas

,

Tensión de umbral bajo del canal N Mosfet
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descripción de producto

FET de baja tensión Rds ((ON) con un proceso SGT confiable para la optimización de FOM innovadora

Descripción del producto:

MOSFET de baja tensión: de alta eficiencia y fiabilidad

El MOSFET de bajo voltaje es un transistor de efecto de campo con un rango de trabajo de bajo voltaje y una alta eficiencia.Proporciona una optimización superior de FOM y cubre más aplicacionesSu baja pérdida de potencia y baja Rds ((ON) ofrece baja resistencia para reducir el desperdicio de energía.Tanto las configuraciones en serie como las paralelas se pueden combinar y utilizar libremente.

 

Parámetros técnicos:

Parámetro Descripción
Nombre del producto MOSFET de baja tensión
Proceso de estructura En el caso de las empresas de transporte de mercancías
Resistencia Bajo Rds ((ON)
Eficiencia Alta eficiencia y fiabilidad
Consumo de energía Baja pérdida de energía
Capacidad de EAS Capacidad EAS elevada
Ventajas del proceso SGT La optimización de FOM, que cubre más aplicaciones.
Ventajas del proceso de zanja RSP más pequeño, tanto en serie y configuraciones paralelas se pueden combinar y utilizar libremente.
Aplicación del proceso SGT El conductor del motor, la estación base 5G, el almacenamiento de energía, el interruptor de alta frecuencia, la rectificación síncrona.
Aplicación del proceso de zanja Carga inalámbrica, carga rápida, conductor del motor, convertidor de CC/CC, interruptor de alta frecuencia, rectificación síncrona.
 

Aplicaciones:

El MOSFET de bajo voltaje de REASUNOS es la solución perfecta para cualquier necesidad de energía de bajo voltaje.Viene a prueba de polvo., envases tubulares impermeables y antistaticos, colocados en una caja de cartón en cartones, que garantizan su entrega y llegada seguras.en función de la cantidad total ordenadaLos términos de pago son 100% T/T por adelantado (EXW).

Este MOSFET de bajo voltaje tiene una baja resistencia Rds ((ON), lo que garantiza una alta eficiencia y fiabilidad.Tanto las configuraciones en serie como las paralelas se pueden combinar y utilizar libremente para obtener el máximo efecto.

 

Apoyo y servicios:

Soporte técnico y servicio de MOSFET de baja tensión

Nuestro equipo está dedicado a proporcionar a los clientes el mejor soporte técnico en productos MOSFET de bajo voltaje. Estamos disponibles para responder cualquier pregunta o inquietud que pueda tener sobre los productos.Nuestro equipo también está disponible para proporcionar servicios de solución de problemas y reparación si surge la necesidad.

Si tiene alguna pregunta o inquietud sobre los productos MOSFET de bajo voltaje, no dude en contactarnos.Esperamos escuchar de usted..

 

Embalaje y envío:

Embalaje y envío del MOSFET de bajo voltaje:

El MOSFET de bajo voltaje se empaqueta en una bolsa de seguridad ESD y se coloca en una caja antistatía para garantizar una entrega segura.Todos los paquetes serán enviados a través de un mensajero confiableLos costos de envío variarán según el destino y el peso.

 

Preguntas frecuentes:

P: ¿Qué es el MOSFET de bajo voltaje?
R: Los MOSFET de bajo voltaje son transistores de efecto de campo de semiconductores de óxido metálico (MOSFET) que están diseñados para operar a bajos niveles de voltaje.
P: ¿Cuál es la marca de este producto?
R: REASUNOS es la marca de este producto MOSFET de bajo voltaje.
P: ¿Cuál es el origen de este producto?
R: Este producto MOSFET de bajo voltaje es originario de Guangdong, CN.
P: ¿Cuál es el detalle del embalaje?
R: Este producto está envasado en un embalaje tubular a prueba de polvo, a prueba de agua y antiestático, colocado dentro de una caja de cartón en cartones.
P: ¿Cuál es el plazo de entrega?
R: El tiempo de entrega es de 2 a 30 días, que depende de la cantidad total.
Etiquetas:

Tensión de umbral bajo del canal N Mosfet

Mosfet de canal P de baja potencia estable

MOSFET de baja tensión de la estación base