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小型RSP低電圧MOSFET多シーンNチャンネル低しきい値

  • Small RSP Low Voltage MOSFET Multi Scene N Channel Low Threshold
起源の場所 広東省、CN
ブランド名 REASUNOS
価格 Confirm price based on product
パッケージの詳細 防塵,防水,防静的管状の包装,紙箱の中に詰め込まれる
受渡し時間 2~30日 (総量によって異なります)
支払条件 100%T/T 前払い (EXW)
供給の能力 5KK/月

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商品の詳細
EAS機能 高い EAS 機能 SGTのプロセス利点 より多くの適用をカバーする進歩FOMの最適化。
SGTのプロセス適用 モーター運転者、5G基地局、エネルギー蓄積、高周波スイッチ、同期改正。 トレンチプロセスの適用 ワイヤレス充電、急速充電、モータードライバー、DC/DCコンバーター、高周波スイッチ、同期整流。
トレンチプロセスの利点 より小型のRSP、直列・並列構成を自由に組み合わせて活用できます。 構造プロセス トレンチ/SGT
電力消費量 低い電力の損失 効率性 高効率と信頼性
ハイライト

小型RSP低電圧MOSFET

,

低電圧 MOSFET マルチシーン

,

Nチャネル モスフェット 低スローレッジ電圧
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
メッセージ
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
製品の説明

低Rds ((ON) ストレージFETと信頼性の高いSGTプロセスで突破的なFOM最適化

製品説明:

低電圧 MOSFET: 高効率で信頼性

低電圧MOSFETは,低電圧作業範囲と高効率のフィールド効果トランジスタです.優れたFOM最適化を提供し,より多くのアプリケーションをカバーします低電源損失と低Rds ((ON) は,エネルギー浪費を減らすために低抵抗性を提供します.また,RSPを大幅に削減する先進的なトレントプロセスも備えています.連続式と並列式の両方が自由に組み合わせられ,利用できます.

 

技術パラメータ:

パラメータ 記述
製品名 低電圧MOSFET
構造プロセス トレンチ/SGT
抵抗力 低Rds ((ON)
効率性 高効率 で 信頼 できる
電力消費量 低電力損失
EAS 能力 高いEAS能力
SGT プロセスの利点 突破的なFOM最適化により多くのアプリケーションをカバーします
トレンチ プロセス の 利点 小型のRSPでは,連続型と並行型の両方が自由に組み合わせて利用できます.
SGTプロセスの適用 モータードライバー,5Gベースステーション エネルギー貯蔵 高周波スイッチ 同期修正
トレンチプロセスの応用 ワイヤレス充電 急速充電 モータードライバー DC/DC変換 高周波スイッチ シンクロノス修正
 

応用:

REASUNOS の低電圧 MOSFET は,低電圧の電源需要に対する完璧なソリューションです.この MOSFET は,中国広東出身で,卓越した品質を無敵な価格で提供しています.防塵で提供されています送料は2~30日程度で,送料は2~30日程度で,送料は2~30日程度です.注文した総量によって. 支払条件は100%T/T (EXW) 前もってです. 供給能力は5KK/月です.

この低電圧MOSFETは低Rds ((ON) 抵抗性があり,高効率と信頼性を保証する.また,より小さなRSPを提供するユニークな溝/SGTプロセスを誇っています.連続と並列の構成の両方が最大効果のために自由に組み合わせられ,利用することができます.

 

サポートとサービス

低電圧MOSFETの技術サポートとサービス

私たちのチームは,低電圧MOSFET製品に関する最高の技術サポートを顧客に提供することに専念しています.私たちは製品に関する質問や懸念に答えることができます.必要に応じてトラブルシューティングと修理サービスを提供するために私たちのチームも利用可能です.

低電圧MOSFET製品に関する質問や懸念がある場合は,ご連絡ください.連絡を期待しています.

 

梱包と輸送:

低電圧MOSFETの梱包と輸送:

低電圧MOSFETは,ESD安全な袋に包装され,安全な配送を確保するために,反静的箱に入れます.箱には製品名,モデル番号,量が表示されています.すべての包裹は信頼できる宅配便で送られますFedEx,UPS,DHL などです.送料は,目的地と重量によって異なります.

 

FAQ:

Q:低電圧MOSFETとは何か?
A:低電圧MOSFETは,低電圧で動作するように設計された金属酸化半導体場効果トランジスタ (MOSFET) です.
Q: この商品のブランド名は何ですか?
REASUNOSは この低電圧MOSFET製品のブランド名です
Q: この商品の原産地は?
A: この低電圧MOSFET製品は CNの広東出身です.
Q: 梱包の詳細は?
A: この製品 は 防塵,防水,防静的 管状 の 包装 に 詰め られ, 紙箱 に 詰め られ て い ます.
Q: 配達時間は?
A: 配達時間は2~30日で,総量によって異なります.
札:

Nチャネル モスフェット 低スローレッジ電圧

安定低電源Pチャネルモスフェット

ベースステーション低電圧MOSFET