ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
ชื่อผู้ติดต่อ : Anita Yin
หมายเลขโทรศัพท์ : +86 13712219843
วอทส์แอพพ์ : +8613712219843

RSP ขนาดเล็ก ความดันต่ํา MOSFET Multi Scene N Channel ต่ําขั้นต่ํา

  • Small RSP Low Voltage MOSFET Multi Scene N Channel Low Threshold
สถานที่กำเนิด กวางตุ้ง CN
ชื่อแบรนด์ REASUNOS
ราคา Confirm price based on product
รายละเอียดการบรรจุ บรรจุภัณฑ์แบบท่อกันฝุ่น กันน้ำ และป้องกันไฟฟ้าสถิต วางอยู่ภายในกล่องกระดาษแข็งในกล่องกระดาษแข็ง
เวลาการส่งมอบ 2-30 วัน (ขึ้นอยู่กับปริมาณรวม)
เงื่อนไขการชำระเงิน 100% T/T ล่วงหน้า (EXW)
สามารถในการผลิต 5KK/เดือน

ติดต่อฉันเพื่อรับตัวอย่างและคูปองฟรี

วอทส์แอพพ์:0086 18588475571

วีแชท: 0086 18588475571

สไกป์: sales10@aixton.com

หากคุณมีข้อสงสัย เราพร้อมให้ความช่วยเหลือทางออนไลน์ตลอด 24 ชั่วโมง

x
รายละเอียดสินค้า
ความสามารถของ EAS ความสามารถ EAS สูง ข้อดีของกระบวนการ SGT การเพิ่มประสิทธิภาพ FOM ที่ก้าวล้ำ ครอบคลุมการใช้งานมากขึ้น
การสมัครกระบวนการ SGT ตัวขับมอเตอร์, สถานีฐาน 5G, การจัดเก็บพลังงาน, สวิตช์ความถี่สูง, การแก้ไขแบบซิงโครนัส การประยุกต์ใช้กระบวนการร่องลึก การชาร์จแบบไร้สาย, การชาร์จอย่างรวดเร็ว, ไดรเวอร์มอเตอร์, ตัวแปลง DC/DC, สวิตช์ความถี่สูง, การแก้ไขแ
ข้อดีของกระบวนการร่องลึก RSP ที่เล็กกว่า ทั้งซีรีส์และการกำหนดค่าแบบขนานสามารถรวมและใช้งานได้อย่างอิสระ กระบวนการโครงสร้าง ร่องลึก/SGT
การใช้พลังงาน การสูญเสียพลังงานต่ำ ประสิทธิภาพ ประสิทธิภาพสูงและเชื่อถือได้
เน้น

MOSFET ความดันต่ํา RSP ขนาดเล็ก

,

MOSFET ความดันต่ํา Multi Scene

,

N Channel Mosfet ความดันขั้นต่ําต่ํา
คุณสามารถเลือกผลิตภัณฑ์ที่คุณต้องการและสื่อสารกับเราได้ในกระดานข้อความ
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
ฝากข้อความ
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
รายละเอียดสินค้า

Rds ((ON) ความดันต่ํา FET กับกระบวนการ SGT ที่น่าเชื่อถือสําหรับการปรับปรุง FOM

คําอธิบายสินค้า:

MOSFET กระแสไฟฟ้าความดันต่ํา ประสิทธิภาพสูงและน่าเชื่อถือ

MOSFET ความดันต่ํา เป็นทรานซิสเตอร์ที่มีผลสนามที่มีช่วงทํางานความดันต่ําและประสิทธิภาพสูงมันให้การปรับปรุง FOM ที่ดีเยี่ยมและครอบคลุมการใช้งานมากขึ้นการสูญเสียพลังงานที่ต่ํา และ Rds ((ON) ที่ต่ํา ให้ความต้านทานต่ําเพื่อลดการสูญเสียพลังงาน.ทั้งการจัดทําลําดับและปานกลางสามารถนําไปรวมและใช้ได้อย่างอิสระ.

 

ปริมาตรเทคนิค:

ปริมาตร คําอธิบาย
ชื่อสินค้า MOSFET ความดันต่ํา
กระบวนการโครงสร้าง กรุงเทพมหานคร
ความต้านทาน Rdsต่ํา ((ON)
ประสิทธิภาพ มี ประสิทธิภาพ และ น่า เชื่อถือ
การบริโภคพลังงาน การสูญเสียพลังงานต่ํา
ความสามารถ EAS ความสามารถ EAS ที่สูง
ข้อดีของกระบวนการ SGT การปรับปรุง FOM ที่เจริญเจริญ ครอบคลุมการใช้งานมากขึ้น
ข้อดีของกระบวนการขัง RSP ขนาดเล็กๆ สามารถรวมและใช้ได้อย่างอิสระ ทั้งแบบชุดและแบบปานกลาง
การใช้กระบวนการ SGT มอเตอร์ไดรเวอร์ สถานีฐาน 5G การเก็บพลังงาน การสลับความถี่สูง การแก้ไขร่วมกัน
การใช้งานกระบวนการ Trench การชาร์จไร้สาย, การชาร์จรวดเร็ว, คนขับมอเตอร์, เครื่องแปลง DC/DC, เครื่องสวิทช์ความถี่สูง, การแก้ไขแบบสมอง
 

การใช้งาน:

MOSFET ความดันต่ําจาก REASUNOS เป็นคําตอบที่สมบูรณ์แบบสําหรับความต้องการพลังงานความดันต่ําใด ๆ MOSFET นี้มาจากกวางดง, จีนและมีคุณภาพยอดเยี่ยมในราคาที่ไม่แพ้มันมีกันฝุ่น, ป้องกันน้ําและต้านสแตติก กระเป๋าท่อบรรจุในกล่องกระดาษกล่องในกล่องการ์ด, การันตีการจัดส่งและการมาถึงที่ปลอดภัย.ขึ้นอยู่กับปริมาณทั้งหมดที่สั่งซื้อ.เงื่อนไขการชําระเงินคือ 100% T / T ในล่วงหน้า (EXW). ความสามารถในการจําหน่ายคือ 5KK / เดือน

MOSFET ความดันต่ํานี้มีความต้านทาน Rds ((ON) ต่ํา ซึ่งทําให้มีประสิทธิภาพและความน่าเชื่อถือสูง นอกจากนี้ยังมีกระบวนการ trench / SGT ที่เป็นเอกลักษณ์ที่ทําให้ RSP น้อยกว่าทั้งลําดับและการตั้งค่าคู่เคียงสามารถนําไปรวมและใช้ได้อย่างอิสระสําหรับผลสัมฤทธิ์สูงสุด.

 

การสนับสนุนและบริการ:

การสนับสนุนและบริการด้านเทคนิค MOSFET ความดันต่ํา

ทีมงานของเรามุ่งมั่นที่จะให้บริการแก่ลูกค้าด้วยการสนับสนุนทางเทคนิคที่ดีที่สุดเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ MOSFET ความดันต่ํา เราพร้อมที่จะตอบคําถามหรือข้อสงสัยใด ๆ ที่คุณอาจมีเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ทีมงานของเรายังมีให้บริการในการแก้ไขปัญหาและการซ่อมแซม หากจําเป็น.

เราพยายามให้บริการและการสนับสนุนที่มีคุณภาพสูงสุด หากคุณมีคําถามหรือข้อสงสัยเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ MOSFET ความดันต่ํา, กรุณาไม่ลังเลที่จะติดต่อเรา.เรารอคอยที่จะได้ยินจากคุณ.

 

การบรรจุและการขนส่ง

การบรรจุและการจัดส่ง MOSFET ความดันต่ํา:

MOSFET ความดันต่ําถูกบรรจุในถุงที่ปลอดภัยจาก ESD และวางในกล่องกันสแตตติกเพื่อรับรองการจัดส่งที่ปลอดภัยกล่องถูกติดป้ายด้วยชื่อสินค้า, เลขรุ่น, และปริมาณส่งของทั้งหมดจะส่งผ่านตัวส่งที่เชื่อถือได้ค่าจัดส่งจะแตกต่างกันขึ้นอยู่กับจุดหมายปลายทางและน้ําหนัก

 

FAQ:

คําถาม: MOSFET ความดันต่ําคืออะไร?
ตอบ: MOSFET ความดันต่ํา เป็นทรานซิสเตอร์ที่มีผลสนามโลหะ-ออกไซด์-ครึ่งนํา (MOSFETs) ที่ถูกออกแบบให้ทํางานในระดับความดันต่ํา
คําถาม: ชื่อแบรนด์ของสินค้านี้คืออะไร?
ตอบ: REASUNOS คือชื่อแบรนด์ของสินค้า MOSFET ความดันต่ํานี้
คําถาม: สินค้านี้มาจากไหน?
ตอบ: สินค้า MOSFET ความดันต่ํานี้มีต้นกําเนิดจากกวางดง, CN
คําถาม: รายละเอียดการบรรจุคืออะไร?
ตอบ: สินค้านี้ถูกบรรจุในบรรจุท่อกันฝุ่น กันน้ํา และกันสแตติก ใส่ในกล่องกระดาษกล่อง
คําถาม: ระยะเวลาในการจัดส่งคืออะไร?
A: เวลาในการจัดส่งคือ 2-30 วัน ซึ่งขึ้นอยู่กับปริมาณทั้งหมด
แท็ก:

N Channel Mosfet ความดันขั้นต่ําต่ํา

โมสเฟตช่อง P ที่มั่นคงพลังงานต่ํา

สถานีฐาน MOSFET ความดันต่ํา

แนะนำผลิตภัณฑ์