Pequeno RSP MOSFET de baixa tensão Multi Scene N Channel Low Threshold

Lugar de origem Guangdong, NC
Marca REASUNOS
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Detalhes da embalagem Embalagens tubulares impermeáveis ao pó, à água e antistáticas, colocadas numa caixa de cartão em ca
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Detalhes do produto
Capacidade EAS Alta capacidade de EAS Vantagens do processo de SGT Otimização da descoberta FOM, cobrindo mais aplicação.
Aplicação do processo de SGT Motorista do motor, 5G estação base, armazenamento de energia, interruptor de alta frequência, corre Aplicação de processo de vala Carregamento sem fio, carregamento rápido, driver de motor, conversor DC/DC, interruptor de alta fre
Vantagens do processo de vala RSP menor, configurações em série e paralelas podem ser livremente combinadas e utilizadas. processo de estrutura Trincheira/SGT
Consumo de energia Perda de baixa potência eficiência Alta eficiência e confiável
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MOSFET de baixa tensão RSP pequeno

,

MOSFET Multi Scene de Baixa Tensão

,

N Canal Mosfet Baixa Tensão de limiar

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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrição de produto

FET de baixa tensão Rds ((ON) com processo SGT confiável para otimização de FOM de avanço

Descrição do produto:

MOSFET de baixa tensão: alta eficiência e confiabilidade

O MOSFET de baixa tensão é um transistor de efeito de campo com baixa tensão de trabalho e alta eficiência.fornece otimização superior FOM e abrange mais aplicaçõesA sua baixa perda de potência e baixa Rds ((ON) oferece baixa resistência para reduzir o desperdício de energia.As configurações em série e paralelas podem ser combinadas e utilizadas livremente.

 

Parâmetros técnicos:

Parâmetro Descrição
Nome do produto MOSFET de baixa tensão
Processo de estrutura Tranche/SGT
Resistência Baixa Rds ((ON)
Eficiência Alta eficiência e fiabilidade
Consumo de energia Baixa perda de potência
Capacidade do EAS Alta capacidade de EAS
Vantagens do processo SGT Otimização FOM avançada, cobrindo mais aplicações.
Vantagens do processo de trincheira RSPs menores, com configurações em série e paralelas, podem ser combinadas e utilizadas livremente.
Aplicação do processo SGT Motorista, Estação Base 5G, Armazenamento de Energia, Comutador de Alta Frequência, Rectificação Sincrónica.
Aplicação do processo de trincheira Carregamento sem fio, carregamento rápido, motorista, conversor DC/DC, interruptor de alta frequência, retificação síncrona.
 

Aplicações:

O MOSFET de baixa tensão da REASUNOS é a solução perfeita para qualquer necessidade de energia de baixa tensão.Ele vem à prova de pó., embalagem tubular impermeável e antistática, colocada dentro de uma caixa de cartão em caixas de papelão, garantindo a sua entrega e chegada em segurança.Dependendo da quantidade total encomendadaOs termos de pagamento são 100% T/T antecipadamente (EXW).

Este MOSFET de baixa tensão tem uma baixa resistência Rds ((ON), o que garante alta eficiência e confiabilidade.Tanto as configurações em série como as paralelas podem ser livremente combinadas e utilizadas para obter o máximo efeito.

 

Apoio e Serviços:

Suporte técnico e serviço de MOSFET de baixa tensão

Nossa equipe é dedicada a fornecer aos clientes o melhor suporte técnico em produtos MOSFET de baixa tensão. Estamos disponíveis para responder a quaisquer perguntas ou preocupações que você possa ter sobre os produtos.A nossa equipa também está disponível para fornecer serviços de solução de problemas e reparação caso surja a necessidade.

Se tiver quaisquer dúvidas ou preocupações sobre os produtos MOSFET de baixa tensão, não hesite em contactar-nos.Estamos ansiosos para ouvir de você..

 

Embalagem e transporte:

Embalagem e transporte de MOSFET de baixa tensão:

O MOSFET de baixa tensão é embalado em um saco seguro para ESD e colocado em uma caixa antistática para garantir a entrega segura.Todos os pacotes serão enviados através de um correio confiávelOs custos de envio variam dependendo do destino e do peso.

 

Perguntas frequentes:

P: O que é um MOSFET de baixa tensão?
R: MOSFET de baixa tensão são transistores de efeito de campo de óxido de metal-semicondutor (MOSFETs) que são projetados para operar em níveis de baixa tensão.
P: Qual é a marca deste produto?
R: REASUNOS é a marca deste produto MOSFET de Baixa Tensão.
P: Qual é a origem deste produto?
R: Este produto MOSFET de baixa tensão é originário de Guangdong, CN.
P: Qual é o detalhe da embalagem?
R: Este produto é embalado em embalagens tubulares impermeáveis à poeira, à água e antistáticas, colocadas dentro de uma caixa de papelão em caixas de papelão.
P: Qual é o prazo de entrega?
R: O prazo de entrega é de 2 a 30 dias, dependendo da quantidade total.