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RSP à basse tension MOSFET multi-scène N-canal

  • Small RSP Low Voltage MOSFET Multi Scene N Channel Low Threshold
Lieu d'origine Guangdong, NC
Nom de marque REASUNOS
Prix Confirm price based on product
Détails d'emballage Emballages tubulaires à l'épreuve de la poussière, de l'eau et antistatiques, placés dans une boîte
Délai de livraison 2 à 30 jours (selon la quantité totale)
Conditions de paiement 100% T/T à l'avance
Capacité d'approvisionnement 5KK/mois

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Détails sur le produit
Capacité EAS Capacité EAS élevée Avantages de processus de SGT Optimisation de la percée FOM, couvrant plus d'application.
Application de processus de SGT Conducteur de moteur, station de la base 5G, stockage de l'énergie, commutateur à haute fréquence, r Application du procédé de tranchée Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen
Avantages du procédé de tranchée Un RSP plus petit, les configurations série et parallèle peuvent être librement combinées et utilisé Processus de structuration Tranchée/SGT
Consommation d'électricité Perte de puissance faible l'efficacité Haute efficacité et fiabilité
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MOSFET à basse tension à RSP de petite taille

,

MOSFET à basse tension multi-scène

,

N-canal Mosfet basse tension de seuil
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Description de produit

FET à basse tension Rds ((ON) avec un procédé SGT fiable pour l'optimisation de la FOM

Description du produit:

MOSFET basse tension: hautement efficace et fiable

Le MOSFET basse tension est un transistor à effet de champ avec une plage de travail basse tension et une efficacité élevée.Il offre une optimisation FOM supérieure et couvre plus d'applicationsSa faible perte de puissance et son faible Rds ((ON) offrent une faible résistance pour réduire le gaspillage d'énergie.Les deux séries et les configurations parallèles peuvent être librement combinées et utilisées.

 

Paramètres techniques:

Paramètre Définition
Nom du produit MOSFET à basse tension
Processus de la structure Traînée/SGT
Résistance Rds bas ((ON)
Efficacité Très efficace et fiable
Consommation d'électricité Faible perte de puissance
Capacité du SEA Capacité EAS élevée
Avantages du procédé SGT Optimisation FOM révolutionnaire, couvrant plus d'application.
Les avantages du procédé de tranchée Les RSP plus petits, à la fois en série et en parallèle, peuvent être librement combinés et utilisés.
Application du procédé SGT Conducteur, station de base 5G, stockage d'énergie, commutateur haute fréquence, rectification synchrone.
Application du procédé des tranchées Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur CC/DC, commutateur haute fréquence, rectification synchrone.
 

Applications:

Le MOSFET basse tension de REASUNOS est la solution parfaite pour tous les besoins en électricité basse tension.Il est étanche à la poussière.Les délais de livraison varient de 2 à 30 jours.selon la quantité totale commandéeLes conditions de paiement sont de 100% T/T à l'avance (EXW).

Ce MOSFET à basse tension a une faible résistance Rds ((ON), ce qui garantit une efficacité et une fiabilité élevées.Les deux séries et les configurations parallèles peuvent être librement combinées et utilisées pour un effet maximal.

 

Assistance et services:

Assistance technique et service des MOSFET basse tension

Notre équipe est dédiée à fournir aux clients le meilleur support technique sur les produits MOSFET basse tension. Nous sommes disponibles pour répondre à toutes vos questions ou préoccupations concernant les produits.Notre équipe est également disponible pour fournir des services de dépannage et de réparation en cas de besoin.

Si vous avez des questions ou des préoccupations concernant les produits MOSFET basse tension, n'hésitez pas à nous contacter.Nous sommes impatients de vous entendre..

 

Emballage et expédition

Emballage et expédition du MOSFET basse tension:

Le MOSFET basse tension est emballé dans un sac ESD-safe et placé dans une boîte antistatique pour assurer une livraison sûre.Tous les colis seront expédiés par un courrier fiable.Les frais d'expédition varient en fonction de la destination et du poids.

 

FAQ:

Q: Qu'est-ce que le MOSFET basse tension?
R: Les MOSFET basse tension sont des transistors à effet de champ à semi-conducteurs d'oxyde de métal (MOSFET) conçus pour fonctionner à bas niveaux de tension.
Q: Quelle est la marque de ce produit?
R: REASUNOS est le nom de marque de ce produit MOSFET basse tension.
Q: Quelle est l'origine de ce produit?
R: Ce produit MOSFET basse tension est originaire de Guangdong, CN.
Q: Quel est le détail de l'emballage?
R: Ce produit est emballé dans un emballage tubulaire antipoussière, imperméable à l'eau et antistatique, placé dans une boîte en carton dans des cartons.
Q: Quel est le délai de livraison?
R: Le délai de livraison est de 2 à 30 jours, ce qui dépend de la quantité totale.
Étiquettes:

N-canal Mosfet basse tension de seuil

Mosfet de canal P à faible puissance stable

MOSFET basse tension de la station de base