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Piccolo RSP MOSFET a bassa tensione multi-scena N Channel Low Threshold

  • Small RSP Low Voltage MOSFET Multi Scene N Channel Low Threshold
Luogo di origine Guangdong, CN
Marca REASUNOS
Prezzo Confirm price based on product
Imballaggi particolari Imballaggi tubulari antipolvere, impermeabili e antistatici, collocati all'interno di una scatola di
Tempi di consegna 2-30 giorni (a seconda della quantità totale)
Termini di pagamento 100% T/T in anticipo (EXW)
Capacità di alimentazione 5KK/mese

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Dettagli
Funzionalità EAS Elevata capacità EAS Vantaggi trattati di SGT Ottimizzazione di innovazione FOM, riguardante più applicazione.
Applicazione trattata di SGT Driver del motore, 5G stazione base, immagazzinamento dell'energia, commutatore ad alta frequenza, r Applicazione del processo di trincea Ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenz
Vantaggi del processo di trincea RSP più piccoli, entrambe le configurazioni in serie e in parallelo possono essere combinate e utili Processo di struttura Trincea/SGT
Consumo di energia Perdita di potere basso efficienza Alta efficienza e affidabilità
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MOSFET a bassa tensione RSP di piccole dimensioni

,

MOSFET a bassa tensione Multi Scene

,

N canale Mosfet bassa tensione di soglia
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrizione di prodotto

FET a bassa tensione Rds ((ON) con un processo SGT affidabile per ottimizzare la FOM

Descrizione del prodotto:

MOSFET a bassa tensione: elevata efficienza e affidabilità

Il MOSFET a bassa tensione è un transistor ad effetto campo con un intervallo di lavoro a bassa tensione e un'elevata efficienza.offre ottimizzazione FOM superiore e copre più applicazioniLa sua bassa perdita di potenza e il suo basso Rds ((ON) offrono una bassa resistenza per ridurre lo spreco di energia.Sia le configurazioni in serie che quelle parallele possono essere liberamente combinate e utilizzate.

 

Parametri tecnici:

Parametro Descrizione
Nome del prodotto MOSFET a bassa tensione
Processo di struttura Fossa/SGT
Resistenza Basso Rds ((ON)
Efficienza Alta efficienza e affidabilità
Consumo di energia Basse perdite di potenza
Capacità EAS Capacità elevata di EAS
Vantaggi del processo SGT Ottimizzazione FOM rivoluzionaria, che copre più applicazioni.
Vantaggi del processo di trincea RSP più piccole, sia le configurazioni in serie che parallele possono essere liberamente combinate e utilizzate.
Applicazione del processo SGT Motor Driver, Stazione base 5G, Immagazzinamento di energia, Interruttore ad alta frequenza, Rettifica sincrona.
Applicazione del processo di trincea Ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenza, rettifica sincrona.
 

Applicazioni:

Il MOSFET a bassa tensione di REASUNOS è la soluzione perfetta per qualsiasi esigenza di energia a bassa tensione.E' a prova di polvere., impermeabile e antistatico, inserito in una scatola di cartone in cartone, garantendo la sicurezza della consegna e dell'arrivo.a seconda della quantità totale ordinataLe condizioni di pagamento sono il 100% T/T in anticipo (EXW).

Questo MOSFET a bassa tensione ha una bassa resistenza Rds ((ON), che garantisce un'elevata efficienza e affidabilità.Entrambe le configurazioni in serie e parallele possono essere liberamente combinate e utilizzate per ottenere il massimo effetto.

 

Supporto e servizi:

Supporto tecnico e servizio di MOSFET a bassa tensione

Il nostro team è dedicato a fornire ai clienti il miglior supporto tecnico sui prodotti MOSFET a bassa tensione.Il nostro team è disponibile anche per fornire servizi di risoluzione dei problemi e riparazione in caso di necessità.

Ci sforziamo di fornire la massima qualità di servizio e supporto.Non vediamo l'ora di sentirti..

 

Imballaggio e trasporto:

Imballaggio e spedizione del MOSFET a bassa tensione:

Il MOSFET a bassa tensione è confezionato in un sacchetto protetto da ESD e collocato in una scatola antistatica per garantire una consegna sicura.Tutti i pacchi saranno spediti tramite un corriere affidabileI costi di spedizione variano a seconda della destinazione e del peso.

 

FAQ:

D: Cos'è il MOSFET a bassa tensione?
R: I MOSFET a bassa tensione sono transistor a effetto campo metallo-ossido-semiconduttore (MOSFET) progettati per funzionare a bassi livelli di tensione.
D: Qual è il marchio di questo prodotto?
R: REASUNOS è il marchio di questo prodotto MOSFET a bassa tensione.
D: Da dove proviene questo prodotto?
R: Questo prodotto MOSFET a bassa tensione è originario del Guangdong, CN.
D: Qual è il dettaglio dell'imballaggio?
R: Questo prodotto è confezionato in un imballaggio tubulare antistatico, impermeabile alla polvere e anti-acqua, inserito in una scatola di cartone in cartone.
D: Qual è il tempo di consegna?
R: Il tempo di consegna è di 2-30 giorni, che dipende dalla quantità totale.
Etichette:

N canale Mosfet bassa tensione di soglia

Mosfet di canale P stabile a bassa potenza

MOSFET a bassa tensione della stazione base