60V 150V Basso Voltaggio Alta Corrente Mosfet Durable Multi Function

Luogo di origine Guangdong, CN
Marca REASUNOS
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Imballaggi particolari Imballaggi tubulari antipolvere, impermeabili e antistatici, collocati all'interno di una scatola di
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Dettagli
Resistenza RDS basso (SOPRA) efficienza Alta efficienza e affidabilità
Funzionalità EAS Elevata capacità EAS Vantaggi trattati di SGT Ottimizzazione di innovazione FOM, riguardante più applicazione.
Consumo di energia Perdita di potere basso Applicazione del processo di trincea Ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenz
Processo di struttura Trincea/SGT Nome del prodotto MOSFET a bassa tensione
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Mosfet a bassa tensione ad alta corrente 150V

,

Basso Voltaggio Alta Corrente Mosfet Durable

,

Mosfet multifunzione a bassa potenza

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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrizione di prodotto

SGT Low Voltage MOSFET Trench/SGT Process coprendo più applicazioni

Descrizione del prodotto:

MOSFET a bassa tensione

Il MOSFET a bassa tensione è un MOSFET a bassa tensione di soglia con un processo di trincea. Offre basse perdite di potenza, elevate capacità EAS e prestazioni eccellenti per la ricarica wireless, la ricarica rapida, il driver del motore,Convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenza e rettifica sincrona.

Il MOSFET a bassa tensione adotta un processo di struttura di trincea per ridurre le perdite di potenza.il MOSFET a bassa tensione è adatto a varie applicazioni come la ricarica wireless, ricarica rapida, motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenza e rettifica sincrona.

Il MOSFET a bassa tensione è una scelta ideale per coloro che hanno bisogno di basse perdite di potenza, elevate capacità EAS e prestazioni eccellenti.E'la scelta perfetta per qualsiasi dei vostri progetti e applicazioni a bassa tensione.

 

Parametri tecnici:

Proprietà Processo di trincea Processo SGT
Nome del prodotto MOSFET a bassa tensione MOSFET a bassa tensione
Processo di struttura Trincea SGT
Tensione di soglia bassa - Sì, sì. - Sì, sì.
Ottimizzazione FOM - No, no. - Sì, sì.
Capacità elevata di EAS - Sì, sì. - Sì, sì.
RSP più piccolo - Sì, sì. - No, no.
Combinati e utilizzati liberamente - Sì, sì. - No, no.
Basse perdite di potenza - Sì, sì. - Sì, sì.
Alta efficienza e affidabilità - Sì, sì. - Sì, sì.
Basso Rds ((ON) - Sì, sì. - Sì, sì.
Applicazione Ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenza, rettifica sincrona Motor driver, stazione base 5G, accumulo di energia, interruttore ad alta frequenza, rettifica sincrona
 

Applicazioni:

REASUNOS Low Voltage MOSFET è la scelta ideale per applicazioni che richiedono un'elevata efficienza e prestazioni affidabili.questo dispositivo a effetto campo a bassa tensione (FET) è adatto per l'uso in varie applicazioni come dispositivi elettronici portatili, sistemi alimentati a batteria e sistemi a bassa perdita di potenza.Ha un basso consumo energetico, che lo rende una scelta ideale per applicazioni che richiedono efficienza energetica.

REASUNOS Low Voltage MOSFET è disponibile in diverse confezioni, come confezioni tubolari antistatiche, impermeabili e antirughe.Il tempo di consegna di questo prodotto varia da 2 a 30 giorni a seconda della quantità totaleIl prezzo di questo prodotto è anche basato sul prodotto stesso. Le condizioni di pagamento includono il 100% T/T in anticipo (EXW).

REASUNOS Low Voltage MOSFET presenta una bassa tensione di cancello e una elevata capacità EAS, prestazioni e affidabilità eccellenti, basso consumo energetico e elevata efficienza.È la scelta ideale per le applicazioni che richiedono FET a bassa tensione, MOSFET a bassa tensione, SGT MOSFET a bassa tensione e soluzioni ad alta efficienza.

 

Supporto e servizi:

Supporto tecnico e servizio di MOSFET a bassa tensione

Forniamo supporto tecnico e servizi per MOSFET a bassa tensione, tra cui:

  • Assistenza alla progettazione
  • Progettazione e fabbricazione su misura
  • Risoluzione e riparazione dei problemi
  • Supporto per la selezione dei dispositivi
  • Installazione e manutenzione in loco
  • Documentazione del prodotto e guide per l'utente

Se avete domande o avete bisogno di ulteriori informazioni, non esitate a contattarci.

 

Imballaggio e trasporto:

I prodotti MOSFET a bassa tensione sono confezionati e spediti in modo sicuro e affidabile.che è collocato in una scatola con fascia a bolle e altri materiali protettiviLa scatola viene quindi sigillata con nastro adesivo per una protezione supplementare.

 

FAQ:

Q1: Cos'è il MOSFET a bassa tensione REASUNOS?
A1: REASUNOS MOSFET a bassa tensione è un tipo di dispositivo semiconduttore di potenza che viene utilizzato per controllare il flusso di corrente elettrica in un circuito elettrico.
Q2: Qual è il luogo di origine del MOSFET a bassa tensione REASUNOS?
R2: Il luogo di origine del MOSFET a bassa tensione REASUNOS è il Guangdong, in Cina.
Q3: Qual è il prezzo del MOSFET a bassa tensione REASUNOS?
R3: Il prezzo del MOSFET a bassa tensione REASUNOS dipenderà dal prodotto.
Q4: Come viene confezionato il MOSFET a bassa tensione REASUNOS?
A4: REASUNOS Low Voltage MOSFET è confezionato in imballaggi tubolari antistatici, impermeabili e antirughe, collocati in una scatola di cartone in cartone.
Q5: Qual è il tempo di consegna per REASUNOS MOSFET a bassa tensione?
R5: Il tempo di consegna per il MOSFET a bassa tensione REASUNOS è di 2-30 giorni, a seconda della quantità totale.