جميع المنتجات
اتصل شخص : Anita Yin
رقم الهاتف : +86 13712219843
ال WhatsApp : +8613712219843

60 فولت 150 فولت الجهد المنخفض التيار العالي موسبيت

  • 60V 150V Low Voltage High Current Mosfet Durable Multi Function
مكان المنشأ قوانغدونغ ، CN
اسم العلامة التجارية REASUNOS
الأسعار Confirm price based on product
تفاصيل التغليف عبوات أنبوبية مقاومة للغبار والماء ومضادة للكهرباء الساكنة، موضوعة داخل صندوق من الورق المقوى في علب
وقت التسليم 2-30 يومًا (يعتمد على الكمية الإجمالية)
شروط الدفع 100% T/T مقدمًا (EXW)
القدرة على العرض 5 مليون/شهر

اتصل بي للحصول على عينات مجانية وكوبونات.

ال WhatsApp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

سكايب: sales10@aixton.com

إذا كان لديك أي قلق ، فنحن نقدم مساعدة عبر الإنترنت على مدار 24 ساعة.

x
تفاصيل المنتج
مقاومة الطرق المنخفضة (ON) الكفاءة كفاءة عالية وموثوقة
قدرة شرق آسيا قدرة EAS عالية مزايا عملية SGT اختراق FOM الأمثل، ويغطي المزيد من التطبيقات.
استهلاك الطاقة فقدان منخفض للطاقة تطبيق عملية الخندق الشحن اللاسلكي، الشحن السريع، محرك المحرك، محول DC/DC، مفتاح عالي التردد، تصحيح متزامن.
عملية الهيكلة خندق / الرقيب اسم المنتج موسفيت الجهد المنخفض
إبراز

150 فولت منخفضة التيار الكهربائي العالي,الجهد المنخفض التيار العالي Mosfet دائمة,مزدوج الوظائف Mosfet طاقة منخفضة

,

Low Voltage High Current Mosfet Durable

,

Multi Function Mosfet Low Power
يمكنك تحديد المنتجات التي تحتاجها والتواصل معنا في لوحة الرسائل.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
اترك رسالة
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
منتوج وصف

SGT MOSFET منخفضة الجهد خندق / عملية SGT تغطي المزيد من التطبيقات

وصف المنتج:

MOSFET منخفضة الجهد

MOSFET منخفضة الجهد هو MOSFET منخفضة الجهد مع عملية الخندق. ويوفر خسارة طاقة منخفضة وقدرة EAS عالية وأداء ممتاز للشحن اللاسلكي ، الشحن السريع ، سائق المحرك ،محول DC/DC، مفتاح التردد العالي، وتصحيح متزامن.

يتبنى MOSFET منخفض الجهد عملية هيكل خندق للحد من خسائر الطاقة. تم تصميمه بجهد عتبة منخفض ولديه مجموعة واسعة من التطبيقات. مع قدرته العالية على EAS ، يستخدم MOSFET في جميع أنحاء العالم.موزفيت الجهد المنخفض مناسب لتطبيقات مختلفة مثل الشحن اللاسلكيشحن سريع، محرك محرك، محول DC / DC، مفتاح التردد العالي، وتصحيح متزامن.

الـ MOSFET منخفض الجهد هو الخيار المثالي لأولئك الذين يحتاجون إلى خسارة طاقة منخفضة وقدرة EAS عالية وأداء ممتاز.إنه الاختيار المثالي لأي من مشاريع و تطبيقات الجهد المنخفض.

 

المعلمات التقنية:

الخصائص عملية الخندق عملية SGT
اسم المنتج MOSFET منخفضة الجهد MOSFET منخفضة الجهد
عملية الهيكل خندق SGT
الجهد المنخفض نعم.. نعم..
اختراق في تحسين FOM لا.. نعم..
قدرة عالية على EAS نعم.. نعم..
RSP أصغر نعم.. لا..
يجمعون و يستخدمون بسهولة نعم.. لا..
خسارة طاقة منخفضة نعم.. نعم..
كفاءة عالية وموثوقية نعم.. نعم..
Rds ((ON)) منخفضة نعم.. نعم..
التطبيق شحن لاسلكي، شحن سريع، سائق محرك، محول DC / DC، مفتاح التردد العالي، تصحيح متزامن سائق المحرك، محطة قاعدة 5G، تخزين الطاقة، مفتاح التردد العالي، تصحيح متزامن
 

التطبيقات:

REASUNOS الجهد المنخفض MOSFET هو الخيار المثالي للتطبيقات التي تتطلب كفاءة عالية وأداء موثوق به.هذا الجهاز المنخفض الجهد المنطقي (FET) مناسب للاستخدام في تطبيقات مختلفة مثل الأجهزة الإلكترونية المحمولةيحتوي على قدرة عالية على EAS وعملية هيكل SGT (Trench / SGT) ، مما يوفر أداءً وموثوقية ممتازة.لديه استهلاك طاقة منخفض، مما يجعلها الخيار المثالي للتطبيقات التي تتطلب كفاءة الطاقة.

تتوفر REASUNOS Low Voltage MOSFET في حزم مختلفة مثل حزم أنبوبية مضادة للغبار والماء ومضادة للستاتيكية. يتم وضع الحزمة في صندوق من الورق المقوى وتشحنها في صناديق الكرتون.وقت التسليم لهذا المنتج يختلف من 2 إلى 30 يوماً اعتماداً على الكمية الكليةسعر هذا المنتج يعتمد أيضا على المنتج نفسه. شروط الدفع تشمل 100٪ T / T مقدما (EXW).

تميز REASUNOS Low Voltage MOSFET بتوتر بوابة منخفض وقدرة EAS عالية وأداء موثوق به ممتاز واستهلاك طاقة منخفض وكفاءة عالية.إنه الخيار المثالي للتطبيقات التي تتطلب FET منخفضة الجهد، MOSFET منخفضة الجهد ، SGT MOSFET منخفضة الجهد ، وحلول عالية الكفاءة. لديها قدرة إمداد شهريّة تبلغ 5KK وتتوفر بسعر تنافسي.

 

الدعم والخدمات:

الدعم التقني وخدمة MOSFET منخفضة الجهد

نحن نقدم الدعم التقني والخدمات لموسفيت منخفضة الجهد، بما في ذلك:

  • المساعدة في التصميم
  • تصميم وتصنيع حسب الطلب
  • حل المشاكل وإصلاحها
  • دعم اختيار الجهاز
  • التثبيت والصيانة في الموقع
  • وثائق المنتج ودلائل المستخدم

إذا كان لديك أي أسئلة أو تحتاج إلى مزيد من المعلومات، يرجى عدم التردد في الاتصال بنا.

 

التعبئة والشحن:

يتم تعبئة منتجات MOSFET منخفضة الجهد وشحنها بطريقة آمنة وموثوقة. عادة ما يتم شحنها في كيس مضاد للولايات،والذي يتم وضعه داخل صندوق مع غلاف الفقاعات وغيرها من مواد الحمايةثم يتم إغلاق الصندوق بالشريط لحماية إضافية. ثم يتم وضع الصندوق في صندوق أكبر مع غطاء إضافي لضمان عدم تلف المنتج أثناء الشحن.

 

الأسئلة الشائعة:

س1: ما هي REASUNOS MOSFET منخفضة الجهد؟
A1: REASUNOS MOSFET منخفض الجهد هو نوع من أجهزة أشباه الموصلات التي تستخدم لتحكم تدفق التيار الكهربائي في الدائرة الكهربائية.
س2: أين هو مكان المنشأ لـ REASUNOS MOSFET منخفضة الجهد؟
ج2: مكان المنشأ لـ REASUNOS MOSFET منخفض الجهد هو غوانغدونغ ، الصين.
س3: ما هو سعر REASUNOS MOSFET منخفض الجهد؟
A3: سعر REASUNOS MOSFET منخفض الجهد يعتمد على المنتج. يرجى الاتصال بنا للحصول على سعر مؤكد.
س4: كيف يتم تعبئة REASUNOS MOSFET منخفضة الجهد؟
A4: يتم تعبئة REASUNOS Low Voltage MOSFET في عبوات أنبوبية مقاومة للغبار والماء ومضادة للثبات ، وضعت داخل صندوق من الورق المقوى في الكرتون.
س5: ما هو وقت التسليم لـ REASUNOS MOSFET منخفضة الجهد؟
ج5: وقت التسليم لـ REASUNOS MOSFET منخفض الجهد هو 2-30 يومًا ، اعتمادًا على الكمية الإجمالية.
بطاقة:

N القناة Mosfet الجهد الحد الأدنى,مستقر منخفضة الطاقة قناة P Mosfet,محطة قاعدة MOSFET منخفضة الجهد

150 فولت منخفضة التيار الكهربائي العالي,الجهد المنخفض التيار العالي Mosfet دائمة,مزدوج الوظائف Mosfet طاقة منخفضة

Base Station Low Voltage MOSFET