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60V 150V basse tension haut courant Mosfet durable multi-fonction

  • 60V 150V Low Voltage High Current Mosfet Durable Multi Function
Lieu d'origine Guangdong, NC
Nom de marque REASUNOS
Prix Confirm price based on product
Détails d'emballage Emballages tubulaires à l'épreuve de la poussière, de l'eau et antistatiques, placés dans une boîte
Délai de livraison 2 à 30 jours (selon la quantité totale)
Conditions de paiement 100% T/T à l'avance
Capacité d'approvisionnement 5KK/mois

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Détails sur le produit
Résistance Le bas RDS (DESSUS) l'efficacité Haute efficacité et fiabilité
Capacité EAS Capacité EAS élevée Avantages de processus de SGT Optimisation de la percée FOM, couvrant plus d'application.
Consommation d'électricité Perte de puissance faible Application du procédé de tranchée Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen
Processus de structuration Tranchée/SGT Nom du produit MOSFET basse tension
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Mosfet à haute tension de basse tension de 150 V

,

Basse tension haut courant Mosfet Durable

,

Mosfet multi-fonction à faible puissance
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Description de produit

SGT basse tension MOSFET Trench/SGT procédé couvrant plus d'application

Description du produit:

MOSFET à basse tension

Le MOSFET basse tension est un MOSFET basse tension avec un processus de tranchée. Il offre une faible perte de puissance, une capacité EAS élevée et d'excellentes performances pour la recharge sans fil, la recharge rapide, le pilote de moteur,Convertisseur CC/DC, commutateur à haute fréquence et rectification synchrone.

Le MOSFET basse tension adopte un procédé de structure de tranchée pour réduire les pertes de puissance. Il est conçu avec une tension de seuil bas et a un large éventail d'applications.le MOSFET basse tension convient à diverses applications telles que la recharge sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur CC/CC, commutateur haute fréquence et rectification synchrone.

Le MOSFET basse tension est un choix idéal pour ceux qui ont besoin d'une faible perte de puissance, d'une capacité EAS élevée et d'excellentes performances.C'est le choix parfait pour tous vos projets et applications basse tension.

 

Paramètres techniques:

Propriétés Le processus de la tranchée Procédure SGT
Nom du produit MOSFET à basse tension MOSFET à basse tension
Processus de la structure Une tranchée GTS
Voltage de seuil inférieur - Oui, oui. - Oui, oui.
Optimisation FOM de pointe Je ne veux pas. - Oui, oui.
Capacité EAS élevée - Oui, oui. - Oui, oui.
RSP plus petit - Oui, oui. Je ne veux pas.
Combiné et utilisé librement - Oui, oui. Je ne veux pas.
Faible perte de puissance - Oui, oui. - Oui, oui.
Très efficace et fiable - Oui, oui. - Oui, oui.
Rds bas ((ON) - Oui, oui. - Oui, oui.
Application du projet Chargement sans fil, chargement rapide, pilote de moteur, convertisseur CC/DC, commutateur haute fréquence, rectification synchrone Conducteur de moteur, station de base 5G, stockage d'énergie, commutateur haute fréquence, rectification synchrone
 

Applications:

Le MOSFET basse tension REASUNOS est le choix idéal pour les applications nécessitant un rendement élevé et fiable.Ce transistor à effet de champ à basse tension (FET) est adapté à diverses applications telles que les appareils électroniques portables.Il est doté d'une capacité EAS élevée et d'un processus de structure SGT (Trench/SGT), offrant d'excellentes performances et fiabilité.Il a une faible consommation d'énergie, ce qui en fait un choix idéal pour les applications nécessitant une efficacité énergétique.

Le MOSFET basse tension REASUNOS est disponible dans différents emballages, tels que des emballages tubulaires imperméables à la poussière, à l'eau et antistatiques.Le délai de livraison de ce produit varie de 2 à 30 jours selon la quantité totaleLe prix de ce produit est également basé sur le produit lui-même. Les conditions de paiement comprennent 100% T/T à l'avance (EXW).

Le MOSFET basse tension REASUNOS présente une basse tension de passerelle et une capacité EAS élevée, d'excellentes performances et fiabilité, une faible consommation d'énergie et une efficacité élevée.C'est le choix idéal pour les applications nécessitant un FET à basse tensionIl a une capacité d'approvisionnement mensuelle de 5KK et est disponible à un prix compétitif.

 

Assistance et services:

Assistance technique et service des MOSFET basse tension

Nous fournissons un soutien technique et des services pour les MOSFET basse tension, notamment:

  • Aide à la conception
  • Conception et fabrication sur mesure
  • Résolution de problèmes et réparation
  • Prise en charge de la sélection des appareils
  • Installation et maintenance sur site
  • Documentation du produit et guides d'utilisation

Si vous avez des questions ou avez besoin de plus d'informations, n'hésitez pas à nous contacter.

 

Emballage et expédition

Les produits MOSFET basse tension sont emballés et expédiés de manière sûre et fiable.qui est placé dans une boîte avec enveloppe à bulles et autres matériaux de protectionLa boîte est ensuite scellée avec du ruban adhésif pour une protection supplémentaire. La boîte est ensuite placée dans une boîte plus grande avec un rembourrage supplémentaire pour s'assurer que le produit n'est pas endommagé pendant l'expédition.

 

FAQ:

Q1: Qu'est-ce que le MOSFET basse tension de REASUNOS?
A1: REASUNOS Le MOSFET basse tension est un type de dispositif semi-conducteur de puissance qui est utilisé pour contrôler le flux de courant électrique dans un circuit électrique.
Q2: Quel est le lieu d'origine du MOSFET basse tension REASUNOS?
R2: Le lieu d'origine du MOSFET basse tension REASUNOS est le Guangdong, en Chine.
Q3: Quel est le prix du MOSFET basse tension REASUNOS?
R3: Le prix du MOSFET basse tension REASUNOS dépendra du produit. Veuillez nous contacter pour un prix confirmé.
Q4: Comment le MOSFET basse tension REASUNOS est-il emballé?
A4: Le MOSFET basse tension REASUNOS est emballé dans un emballage tubulaire antipoussière, imperméable à l'eau et antistatique, placé dans une boîte en carton dans des cartons.
Q5: Quel est le délai de livraison du MOSFET basse tension REASUNOS?
R5: Le délai de livraison du MOSFET basse tension REASUNOS est de 2 à 30 jours, selon la quantité totale.
Étiquettes:

N-canal Mosfet basse tension de seuil

Mosfet de canal P à faible puissance stable

MOSFET basse tension de la station de base