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60V 150V Baixa Tensão Alta Corrente Mosfet Dura Multi Função

  • 60V 150V Low Voltage High Current Mosfet Durable Multi Function
Lugar de origem Guangdong, NC
Marca REASUNOS
Preço Confirm price based on product
Detalhes da embalagem Embalagens tubulares impermeáveis ao pó, à água e antistáticas, colocadas numa caixa de cartão em ca
Tempo de entrega 2-30 dias (depende da quantidade total)
Termos de pagamento 100% T/T adiantado (EXW)
Habilidade da fonte 5KK/mês

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Detalhes do produto
Resistência Baixo RDS (SOBRE) eficiência Alta eficiência e confiável
Capacidade EAS Alta capacidade de EAS Vantagens do processo de SGT Otimização da descoberta FOM, cobrindo mais aplicação.
Consumo de energia Perda de baixa potência Aplicação de processo de vala Carregamento sem fio, carregamento rápido, driver de motor, conversor DC/DC, interruptor de alta fre
processo de estrutura Trincheira/SGT Nome do produto MOSFET de baixa tensão
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150V Mosfet de baixa tensão de alta corrente

,

Mosfet de baixa tensão de alta corrente durável

,

Mosfet multifunção de baixa potência
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrição de produto

SGT MOSFET de baixa tensão Trench/SGT Process Covering More Application

Descrição do produto:

MOSFET de baixa tensão

O MOSFET de baixa tensão é um MOSFET de baixa tensão com um processo de trincheira. Ele oferece baixa perda de energia, alta capacidade de EAS e excelente desempenho para carregamento sem fio, carregamento rápido, motor driver,Conversor DC/DC, interruptor de alta frequência e retificação síncrona.

O MOSFET de baixa tensão adota um processo de estrutura de trincheira para reduzir as perdas de energia.O MOSFET de baixa tensão é adequado para várias aplicações, como carregamento sem fio, carregamento rápido, condutor de motor, conversor DC/DC, interruptor de alta frequência e retificação síncrona.

O MOSFET de baixa tensão é uma escolha ideal para aqueles que precisam de baixa perda de energia, alta capacidade de EAS e excelente desempenho.É a escolha perfeita para qualquer um dos seus projetos de baixa tensão e aplicações.

 

Parâmetros técnicos:

Propriedades Processo de trincheira Processo SGT
Nome do produto MOSFET de baixa tensão MOSFET de baixa tensão
Processo de estrutura Trilha SGT
Voltagem de limiar baixo - Sim, sim. - Sim, sim.
Optimização FOM avançada - Não, não. - Sim, sim.
Alta capacidade de EAS - Sim, sim. - Sim, sim.
RSP menor - Sim, sim. - Não, não.
Combinados e usados livremente - Sim, sim. - Não, não.
Baixa perda de potência - Sim, sim. - Sim, sim.
Alta eficiência e fiabilidade - Sim, sim. - Sim, sim.
Baixa Rds ((ON) - Sim, sim. - Sim, sim.
Aplicação Carregamento sem fio, carregamento rápido, condutor de motor, conversor DC/DC, interruptor de alta frequência, retificação síncrona Motorista, Estação Base 5G, Armazenamento de Energia, Comutador de Alta Frequência, Rectificação Síncrona
 

Aplicações:

O REASUNOS Low Voltage MOSFET é a escolha ideal para aplicações que exigem alta eficiência e desempenho fiável.Este dispositivo de transistor de efeito de campo de baixa tensão (FET) é adequado para uso em várias aplicações, como dispositivos eletrônicos portáteisO sistema é dotado de uma alta capacidade de EAS e de um processo de estrutura SGT (Trench/SGT), proporcionando um excelente desempenho e confiabilidade.Tem um baixo consumo de energia, tornando-se uma escolha ideal para aplicações que exigem eficiência energética.

O REASUNOS Low Voltage MOSFET está disponível em diferentes embalagens, como embalagens tubulares à prova de poeira, à prova de água e antistáticas.O prazo de entrega para este produto varia de 2 a 30 dias, dependendo da quantidade totalO preço deste produto também é baseado no próprio produto. Os termos de pagamento incluem 100% T/T adiantado (EXW).

O MOSFET de baixa tensão REASUNOS possui uma baixa tensão de gate e alta capacidade de EAS, excelente desempenho e confiabilidade, baixo consumo de energia e alta eficiência.É a escolha ideal para aplicações que exigem FET de baixa tensãoO MOSFET de baixa tensão de porta, MOSFET de baixa tensão SGT e soluções de alta eficiência.

 

Apoio e Serviços:

Suporte técnico e serviço de MOSFET de baixa tensão

Fornecemos suporte técnico e serviços para MOSFET de baixa tensão, incluindo:

  • Auxílio à concepção
  • Projeto e fabrico sob medida
  • Solução de problemas e reparação
  • Suporte à selecção de dispositivos
  • Instalação e manutenção no local
  • Documentação do produto e guias de utilização

Se você tiver alguma pergunta ou precisar de mais informações, não hesite em entrar em contato conosco.

 

Embalagem e transporte:

Os produtos MOSFET de baixa tensão são embalados e enviados de forma segura e confiável.que é colocado dentro de uma caixa com borracha e outros materiais de protecçãoA caixa é então selada com fita adesiva para proteção adicional. A caixa é então colocada numa caixa maior com almofada adicional para garantir que o produto não seja danificado durante o transporte.

 

Perguntas frequentes:

P1: O que é o MOSFET de baixa tensão REASUNOS?
A1: REASUNOS MOSFET de baixa tensão é um tipo de dispositivo semicondutor de potência que é usado para controlar o fluxo de corrente elétrica em um circuito elétrico.
Q2: Onde está o local de origem do MOSFET de baixa tensão REASUNOS?
A2: O local de origem do MOSFET de baixa tensão REASUNOS é Guangdong, China.
Q3: Qual é o preço do MOSFET de baixa tensão REASUNOS?
A3: O preço do MOSFET de baixa tensão REASUNOS dependerá do produto.
Q4: Como é que o REASUNOS MOSFET de baixa tensão é embalado?
A4: O REASUNOS Low Voltage MOSFET é embalado em embalagens tubulares à prova de poeira, à prova de água e antistáticas, colocadas dentro de uma caixa de papelão em caixas de papelão.
Q5: Qual é o prazo de entrega para o MOSFET de baixa tensão REASUNOS?
R5: O prazo de entrega do MOSFET de baixa tensão REASUNOS é de 2 a 30 dias, dependendo da quantidade total.
Etiquetas:

N Canal Mosfet Baixa Tensão de limiar

Mosfet de canal P estável de baixa potência

MOSFET de baixa tensão da estação base