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60V 150V निम्न वोल्टेज उच्च धारा Mosfet टिकाऊ बहु समारोह

  • 60V 150V Low Voltage High Current Mosfet Durable Multi Function
उत्पत्ति के प्लेस गुआंग्डोंग, सीएन
ब्रांड नाम REASUNOS
मूल्य Confirm price based on product
पैकेजिंग विवरण डस्टप्रूफ, वॉटरप्रूफ और एंटी-स्टैटिक ट्यूबलर पैकेजिंग, डिब्बों में कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर रखी गई ह
प्रसव के समय 2-30 दिन (कुल मात्रा पर निर्भर करता है)
भुगतान शर्तें अग्रिम में 100% टी/टी (EXW)
आपूर्ति की क्षमता 5KK/माह

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उत्पाद विवरण
प्रतिरोध कम आरडीएस(चालू) दक्षता उच्च दक्षता और विश्वसनीय
ईएएस क्षमता उच्च ईएएस क्षमता एसजीटी प्रक्रिया के लाभ निर्णायक एफओएम अनुकूलन, अधिक एप्लिकेशन को कवर करता है।
बिजली की खपत कम बिजली हानि ट्रेंच प्रक्रिया आवेदन वायरलेस चार्जिंग, फास्ट चार्जिंग, मोटर ड्राइवर, डीसी/डीसी कनवर्टर, हाई-फ़्रीक्वेंसी स्विच, सिंक्रोनस
संरचना प्रक्रिया ट्रेंच/एसजीटी उत्पाद का नाम कम वोल्टेज MOSFET
प्रमुखता देना

150V निम्न वोल्टेज उच्च धारा मोस्फेट

,

निम्न वोल्टेज उच्च धारा Mosfet टिकाऊ

,

मल्टी फंक्शन मोस्फेट कम शक्ति
आप अपनी ज़रूरत के उत्पादों को टिक कर सकते हैं और हमारे साथ संदेश बोर्ड में संचार कर सकते हैं।
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
उत्पाद विवरण

एसजीटी कम वोल्टेज एमओएसएफईटी ट्रेंच/एसजीटी प्रक्रिया अधिक अनुप्रयोग को कवर करती है

उत्पाद का वर्णन:

कम वोल्टेज MOSFET

कम वोल्टेज एमओएसएफईटी एक खाई प्रक्रिया के साथ एक कम सीमा वोल्टेज एमओएसएफईटी है। यह कम बिजली का नुकसान, उच्च ईएएस क्षमता और वायरलेस चार्जिंग, फास्ट चार्जिंग, मोटर ड्राइवर,डीसी/डीसी कनवर्टर, उच्च आवृत्ति स्विच, और सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन।

कम वोल्टेज MOSFET बिजली के नुकसान को कम करने के लिए एक खाई संरचना प्रक्रिया को अपनाता है। यह कम सीमा वोल्टेज के साथ डिज़ाइन किया गया है और इसके व्यापक अनुप्रयोग हैं। इसकी उच्च ईएएस क्षमता के साथ, ईएएस के लिए एक बहुत ही उपयोगी उपकरण है।कम वोल्टेज MOSFET वायरलेस चार्जिंग जैसे विभिन्न अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त है, फास्ट चार्जिंग, मोटर ड्राइवर, डीसी/डीसी कनवर्टर, उच्च आवृत्ति स्विच और सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन।

लो वोल्टेज एमओएसएफईटी उन लोगों के लिए आदर्श विकल्प है जिन्हें कम बिजली हानि, उच्च ईएएस क्षमता और उत्कृष्ट प्रदर्शन की आवश्यकता होती है।यह अपने किसी भी कम वोल्टेज परियोजनाओं और अनुप्रयोगों के लिए एकदम सही विकल्प है.

 

तकनीकी मापदंडः

गुण खाई की प्रक्रिया एसजीटी प्रक्रिया
उत्पाद का नाम कम वोल्टेज MOSFET कम वोल्टेज MOSFET
संरचना प्रक्रिया खाई एसजीटी
निम्न सीमा वोल्टेज हाँ हाँ
सफलता FOM अनुकूलन नहीं हाँ
उच्च ईएएस क्षमता हाँ हाँ
छोटा आरएसपी हाँ नहीं
आसानी से मिलाया और इस्तेमाल किया हाँ नहीं
कम शक्ति हानि हाँ हाँ
उच्च दक्षता और विश्वसनीयता हाँ हाँ
कम आरडीएस (ऑन) हाँ हाँ
आवेदन वायरलेस चार्जिंग, फास्ट चार्जिंग, मोटर ड्राइवर, डीसी/डीसी कन्वर्टर, हाई-फ्रिक्वेन्सी स्विच, सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन मोटर ड्राइवर, 5जी बेस स्टेशन, ऊर्जा भंडारण, उच्च आवृत्ति स्विच, सिंक्रोनस सुधार
 

अनुप्रयोग:

REASUNOS लो वोल्टेज MOSFET उच्च दक्षता और विश्वसनीय प्रदर्शन की आवश्यकता अनुप्रयोगों के लिए आदर्श विकल्प है।यह कम वोल्टेज क्षेत्र प्रभाव ट्रांजिस्टर (FET) डिवाइस पोर्टेबल इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों जैसे विभिन्न अनुप्रयोगों में उपयोग के लिए उपयुक्त हैइसमें उच्च ईएएस क्षमता और एसजीटी (ट्रेंच/एसजीटी) संरचना प्रक्रिया है, जो उत्कृष्ट प्रदर्शन और विश्वसनीयता प्रदान करती है।इसमें कम बिजली की खपत होती हैऊर्जा दक्षता की आवश्यकता वाले अनुप्रयोगों के लिए यह एक आदर्श विकल्प है।

REASUNOS लो वोल्टेज MOSFET विभिन्न पैकेजिंग में उपलब्ध है जैसे धूल, जलरोधक, और विरोधी स्थैतिक ट्यूबलर पैकेजिंग। पैकेजिंग एक कार्डबोर्ड बॉक्स में रखा जाता है और कार्टन में भेज दिया जाता है।इस उत्पाद के लिए डिलीवरी का समय कुल मात्रा के आधार पर 2-30 दिनों से भिन्न होता हैइस उत्पाद की कीमत भी उत्पाद पर ही आधारित है। भुगतान की शर्तों में अग्रिम में 100% टी/टी (एक्सडब्ल्यू) शामिल है।

REASUNOS लो वोल्टेज MOSFET में कम गेट वोल्टेज और उच्च ईएएस क्षमता, उत्कृष्ट प्रदर्शन और विश्वसनीयता, कम बिजली की खपत और उच्च दक्षता है।यह उन अनुप्रयोगों के लिए आदर्श विकल्प है जिनके लिए कम वोल्टेज FET की आवश्यकता होती है, कम गेट वोल्टेज एमओएसएफईटी, एसजीटी कम वोल्टेज एमओएसएफईटी, और उच्च दक्षता वाले समाधान। इसकी मासिक आपूर्ति क्षमता 5KK है और यह प्रतिस्पर्धी मूल्य पर उपलब्ध है।

 

सहायता एवं सेवाएं:

कम वोल्टेज MOSFET तकनीकी सहायता और सेवा

हम निम्न वोल्टेज MOSFET के लिए तकनीकी सहायता और सेवाएं प्रदान करते हैं, जिनमें शामिल हैंः

  • डिजाइन सहायता
  • कस्टम डिजाइन और निर्माण
  • समस्या निवारण और मरम्मत
  • उपकरण चयन समर्थन
  • साइट पर स्थापना और रखरखाव
  • उत्पाद प्रलेखन और उपयोगकर्ता गाइड

यदि आपके कोई प्रश्न हैं या अधिक जानकारी की आवश्यकता है, तो कृपया हमसे संपर्क करने में संकोच न करें।

 

पैकिंग और शिपिंगः

निम्न वोल्टेज MOSFET उत्पादों को सुरक्षित और विश्वसनीय तरीके से पैक और शिप किया जाता है। वे आम तौर पर एक एंटीस्टेटिक बैग में शिप किए जाते हैं,जो बुलबुला लपेट और अन्य सुरक्षात्मक सामग्री के साथ एक बॉक्स के अंदर रखा जाता हैइसके बाद अतिरिक्त सुरक्षा के लिए बॉक्स को टेप से सील कर दिया जाता है। फिर शिपिंग के दौरान उत्पाद को क्षतिग्रस्त न होने के लिए बॉक्स को अतिरिक्त पैडिंग के साथ एक बड़े बॉक्स में रखा जाता है।

 

अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न:

Q1: REASUNOS कम वोल्टेज MOSFET क्या है?
A1: REASUNOS लो वोल्टेज MOSFET एक प्रकार का पावर सेमीकंडक्टर उपकरण है जिसका उपयोग विद्युत सर्किट में विद्युत धारा के प्रवाह को नियंत्रित करने के लिए किया जाता है।
Q2: REASUNOS कम वोल्टेज MOSFET का मूल स्थान कहाँ है?
A2: REASUNOS लो वोल्टेज MOSFET का मूल स्थान गुआंग्डोंग, चीन है।
Q3: REASUNOS कम वोल्टेज MOSFET की कीमत क्या है?
A3: REASUNOS लो वोल्टेज MOSFET की कीमत उत्पाद पर निर्भर करेगी। कृपया पुष्टि मूल्य के लिए हमसे संपर्क करें।
Q4: REASUNOS कम वोल्टेज MOSFET कैसे पैक किया जाता है?
A4: REASUNOS लो वोल्टेज MOSFET को धूल, पानी और एंटी-स्टैटिक ट्यूबलर पैकेजिंग में पैक किया जाता है, जो एक कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर कार्टन में रखा जाता है।
Q5: REASUNOS कम वोल्टेज MOSFET के लिए डिलीवरी का समय क्या है?
A5: REASUNOS लो वोल्टेज MOSFET के लिए डिलीवरी का समय कुल मात्रा के आधार पर 2-30 दिन है।
टैग:

एन चैनल मोस्फेट निम्न सीमा वोल्टेज

स्थिर निम्न शक्ति पी चैनल मोस्फेट

बेस स्टेशन कम वोल्टेज MOSFET

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