Semua produk
Kontak Person : Anita Yin
Nomor telepon : +86 13712219843
Ada apa : +8613712219843

60V 150V tegangan rendah arus tinggi Mosfet tahan lama multi fungsi

  • 60V 150V Low Voltage High Current Mosfet Durable Multi Function
Tempat asal Guangdong, CN
Nama merek REASUNOS
Harga Confirm price based on product
Kemasan rincian Kemasan berbentuk tabung tahan debu, tahan air, dan antistatis, ditempatkan di dalam kotak karton da
Waktu pengiriman 2-30 hari (Tergantung Jumlah Total)
Syarat-syarat pembayaran 100% T/T di Muka (EXW)
Menyediakan kemampuan 5KK/bulan

Hubungi saya untuk sampel dan kupon gratis.

Ada apa:0086 18588475571

Wechat wechat: 0086 18588475571

Skype: sales10@aixton.com

Jika Anda memiliki kekhawatiran, kami menyediakan bantuan online 24 jam.

x
Detail produk
Perlawanan Rds Rendah (AKTIF) efisiensi Efisiensi Tinggi Dan Andal
kemampuan EAS Kemampuan EAS Tinggi Keuntungan proses SGT Terobosan Optimasi FOM, Mencakup Lebih Banyak Aplikasi.
Konsumsi daya Kehilangan Daya Rendah Aplikasi proses parit Pengisian Nirkabel, Pengisian Cepat, Driver Motor, Konverter DC/DC, Sakelar Frekuensi Tinggi, Rektif
Proses struktur Parit/SGT Nama produk MOSFET Tegangan Rendah
Menyoroti

150V tegangan rendah Mosfet arus tinggi

,

Tegangan rendah Mosfet arus tinggi tahan lama

,

Multi Fungsi Mosfet Daya Rendah
Anda dapat mencentang produk yang Anda butuhkan dan berkomunikasi dengan kami di papan pesan.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
Tinggalkan pesan
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Deskripsi Produk

SGT Low Voltage MOSFET Trench/SGT Process yang mencakup lebih banyak aplikasi

Deskripsi produk:

MOSFET Tegangan Rendah

MOSFET Tegangan Rendah adalah MOSFET tegangan ambang rendah dengan proses parit. Ini menawarkan kehilangan daya yang rendah, kemampuan EAS yang tinggi dan kinerja yang sangat baik untuk pengisian nirkabel, pengisian cepat, driver motor,Konverter DC/DC, high-frequency switch, dan rectification sinkron.

MOSFET Tegangan Rendah mengadopsi proses struktur parit untuk mengurangi kerugian daya.MOSFET Tegangan Rendah cocok untuk berbagai aplikasi seperti pengisian nirkabel, pengisian cepat, driver motor, DC/DC converter, switch frekuensi tinggi, dan rectifikasi sinkron.

MOSFET Tegangan Rendah adalah pilihan yang ideal bagi mereka yang membutuhkan kehilangan daya rendah, kemampuan EAS yang tinggi, dan kinerja yang sangat baik.Ini adalah pilihan yang sempurna untuk setiap proyek tegangan rendah dan aplikasi Anda.

 

Parameter teknis:

Properti Proses Parit Proses SGT
Nama produk MOSFET Tegangan Rendah MOSFET Tegangan Rendah
Proses Struktur Parit SGT
Tegangan ambang rendah Ya, aku tahu. Ya, aku tahu.
Terobosan Optimasi FOM Tidak. Ya, aku tahu.
Kemampuan EAS yang tinggi Ya, aku tahu. Ya, aku tahu.
RSP yang lebih kecil Ya, aku tahu. Tidak.
Digabungkan dan Digunakan dengan Bebas Ya, aku tahu. Tidak.
Kerugian Daya Rendah Ya, aku tahu. Ya, aku tahu.
Efisiensi Tinggi dan Dapat Diandalkan Ya, aku tahu. Ya, aku tahu.
Rds rendah ((ON) Ya, aku tahu. Ya, aku tahu.
Aplikasi Pengisian nirkabel, pengisian cepat, driver motor, DC/DC converter, switch frekuensi tinggi, koreksi sinkron Pengemudi Motor, Stasiun Basis 5G, Penyimpanan Energi, Saklar Frekuensi Tinggi, Rektifisasi Sinkron
 

Aplikasi:

REASUNOS Low Voltage MOSFET adalah pilihan ideal untuk aplikasi yang membutuhkan efisiensi tinggi dan kinerja yang dapat diandalkan.perangkat transistor efek medan tegangan rendah (FET) ini cocok untuk digunakan dalam berbagai aplikasi seperti perangkat elektronik portabelIni memiliki kemampuan EAS yang tinggi dan proses struktur SGT (Trench / SGT), memberikan kinerja dan keandalan yang sangat baik.Ini memiliki konsumsi daya yang rendah, menjadikannya pilihan ideal untuk aplikasi yang membutuhkan efisiensi energi.

REASUNOS Low Voltage MOSFET tersedia dalam kemasan yang berbeda seperti kemasan tabung anti debu, anti air, dan anti statis.Waktu pengiriman untuk produk ini bervariasi dari 2-30 hari tergantung pada jumlah totalHarga produk ini juga didasarkan pada produk itu sendiri. Syarat pembayaran termasuk 100% T / T di muka (EXW).

REASUNOS Low Voltage MOSFET memiliki tegangan gerbang rendah dan kemampuan EAS yang tinggi, kinerja dan keandalan yang sangat baik, konsumsi daya rendah, dan efisiensi tinggi.Ini adalah pilihan yang ideal untuk aplikasi yang membutuhkan tegangan rendah FET, low gate voltage MOSFET, SGT Low Voltage MOSFET, dan solusi efisiensi tinggi.

 

Dukungan dan Layanan:

Dukungan dan Layanan Teknis MOSFET Tegangan Rendah

Kami menyediakan dukungan teknis dan layanan untuk MOSFET Tegangan Rendah, termasuk:

  • Bantuan desain
  • Desain dan pembuatan khusus
  • Penanganan dan perbaikan masalah
  • Dukungan pemilihan perangkat
  • Pemasangan dan pemeliharaan di lokasi
  • Dokumen produk dan panduan pengguna

Jika Anda memiliki pertanyaan atau membutuhkan informasi lebih lanjut, jangan ragu untuk menghubungi kami.

 

Kemasan dan Pengiriman:

Produk MOSFET Tegangan Rendah dikemas dan dikirim dengan cara yang aman dan dapat diandalkan.yang ditempatkan di dalam kotak dengan bungkus gelembung dan bahan pelindung lainnyaKotak kemudian disegel dengan pita untuk perlindungan tambahan. Kotak kemudian ditempatkan dalam kotak yang lebih besar dengan bantalan tambahan untuk memastikan produk tidak rusak selama pengiriman.

 

FAQ:

Q1: Apa itu REASUNOS MOSFET Tegangan Rendah?
A1: REASUNOS MOSFET Tegangan Rendah adalah jenis perangkat semikonduktor daya yang digunakan untuk mengontrol aliran arus listrik dalam sirkuit listrik.
Q2: Di mana Tempat Asal REASUNOS MOSFET Tegangan Rendah?
A2: Tempat Asal REASUNOS MOSFET Tegangan Rendah adalah Guangdong, Cina.
T3: Berapa Harga MOSFET Tegangan Rendah REASUNOS?
A3: Harga MOSFET Tegangan Rendah REASUNOS akan tergantung pada produk. Silakan hubungi kami untuk harga yang dikonfirmasi.
Q4: Bagaimana REASUNOS MOSFET Tegangan Rendah dikemas?
A4: REASUNOS Low Voltage MOSFET dikemas dalam kemasan tabung anti debu, anti air, dan anti statis, ditempatkan di dalam kotak karton dalam karton.
Q5: Berapa Waktu Pengiriman untuk REASUNOS MOSFET Tegangan Rendah?
A5: Waktu pengiriman untuk REASUNOS Low Voltage MOSFET adalah 2-30 hari, tergantung pada jumlah total.
Tag:

N Saluran Mosfet Tegangan Sempadan Rendah

Stabil Low Power P Channel Mosfet

MOSFET tegangan rendah stasiun dasar