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60V 150V Baja tensión Alta corriente Mosfet Función múltiple duradera

  • 60V 150V Low Voltage High Current Mosfet Durable Multi Function
Lugar de origen Guangdong, NC
Nombre de la marca REASUNOS
Precio Confirm price based on product
Detalles de empaquetado Envases tubulares a prueba de polvo, agua y antistáticos, colocados en una caja de cartón en cartone
Tiempo de entrega 2-30 días (depende de la cantidad total)
Condiciones de pago 100% T/T por adelantado (EXW)
Capacidad de la fuente 5KK/mes

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Datos del producto
Resistencia RDS bajo (ENCENDIDO) eficiencia Alta eficiencia y confiable
Capacidad EAS Alta capacidad EAS Ventajas de proceso de SGT Optimización de la brecha FOM, cubriendo más uso.
Consumo de energía Pérdida de la energía baja Aplicación del proceso de zanja Carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor CC/CC, interruptor de alta frecue
Proceso de estructura Trinchera/SGT Nombre del producto MOSFET de bajo voltaje
Resaltar

Mosfet de alta corriente de baja tensión de 150 V

,

Baja tensión Mosfet de alta corriente Durable

,

Mosfet de múltiples funciones de baja potencia
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descripción de producto

SGT MOSFET de baja tensión de trinchera/proceso SGT que cubre más aplicaciones

Descripción del producto:

MOSFET de baja tensión

El MOSFET de bajo voltaje es un MOSFET de bajo voltaje de umbral con un proceso de trinchera.Conversor de corriente continua, conmutador de alta frecuencia y rectificación síncrona.

El MOSFET de bajo voltaje adopta un proceso de estructura de zanja para reducir las pérdidas de energía. Está diseñado con voltaje umbral bajo y tiene una amplia gama de aplicaciones.el MOSFET de bajo voltaje es adecuado para diversas aplicaciones como la carga inalámbrica, carga rápida, conductor del motor, convertidor DC/DC, interruptor de alta frecuencia y rectificación síncrona.

El MOSFET de bajo voltaje es una opción ideal para aquellos que necesitan una baja pérdida de energía, una alta capacidad EAS y un excelente rendimiento.Es la elección perfecta para cualquiera de sus proyectos de bajo voltaje y aplicaciones.

 

Parámetros técnicos:

Propiedades Proceso de las zanjas Proceso de SGT
Nombre del producto MOSFET de baja tensión MOSFET de baja tensión
Proceso de estructura En la zanja SGT
Tensión de umbral bajo - ¿ Qué? - ¿ Qué?
Optimización de FOM de avance - No, no lo sé. - ¿ Qué?
Capacidad EAS elevada - ¿ Qué? - ¿ Qué?
RSP más pequeño - ¿ Qué? - No, no lo sé.
Libre combinación y uso - ¿ Qué? - No, no lo sé.
Baja pérdida de energía - ¿ Qué? - ¿ Qué?
Alta eficiencia y fiabilidad - ¿ Qué? - ¿ Qué?
Bajo Rds ((ON) - ¿ Qué? - ¿ Qué?
Aplicación Carga inalámbrica, carga rápida, conductor del motor, convertidor de CC/DC, interruptor de alta frecuencia, rectificación síncrona El conductor del motor, la estación base 5G, el almacenamiento de energía, el interruptor de alta frecuencia, la rectificación síncrona.
 

Aplicaciones:

REASUNOS MOSFET de bajo voltaje es la opción ideal para aplicaciones que requieren una alta eficiencia y un rendimiento confiable.Este transistor de efecto de campo de bajo voltaje (FET) es adecuado para su uso en varias aplicaciones como dispositivos electrónicos portátilesSe caracteriza por una alta capacidad EAS y un proceso de estructura SGT (Trench/SGT), que proporciona un excelente rendimiento y fiabilidad.Tiene un bajo consumo de energía, por lo que es una opción ideal para aplicaciones que requieren eficiencia energética.

REASUNOS MOSFET de bajo voltaje está disponible en diferentes envases, tales como embalaje tubular a prueba de polvo, a prueba de agua y antiestático.El plazo de entrega de este producto varía de 2 a 30 días en función de la cantidad totalEl precio de este producto también se basa en el producto en sí mismo. Los términos de pago incluyen el 100% T/T por adelantado (EXW).

REASUNOS MOSFET de bajo voltaje presenta un voltaje de puerta bajo y una alta capacidad EAS, un excelente rendimiento y fiabilidad, un bajo consumo de energía y una alta eficiencia.Es la opción ideal para aplicaciones que requieren FET de bajo voltaje, MOSFET de baja tensión de puerta, MOSFET de baja tensión SGT y soluciones de alta eficiencia.

 

Apoyo y servicios:

Soporte técnico y servicio de MOSFET de baja tensión

Proporcionamos soporte técnico y servicios para MOSFET de bajo voltaje, incluyendo:

  • Asistencia en el diseño
  • Diseño y fabricación a medida
  • Solución de problemas y reparación
  • Apoyo para la selección de dispositivos
  • Instalación y mantenimiento in situ
  • Documentación del producto y guías de usuario

Si tiene alguna pregunta o necesita más información, no dude en contactarnos.

 

Embalaje y envío:

Los productos MOSFET de bajo voltaje se empaquetan y envían de una manera segura y confiable.que se coloca dentro de una caja con envoltura de burbujas y otros materiales de protecciónLa caja se sella con cinta adhesiva para mayor protección y se coloca en una caja más grande con relleno adicional para garantizar que el producto no se dañe durante el envío.

 

Preguntas frecuentes:

P1: ¿Qué es el MOSFET de bajo voltaje REASUNOS?
A1: REASUNOS MOSFET de bajo voltaje es un tipo de dispositivo semiconductor de potencia que se utiliza para controlar el flujo de corriente eléctrica en un circuito eléctrico.
P2: ¿Dónde se encuentra el lugar de origen del MOSFET de baja tensión REASUNOS?
R2: El lugar de origen de REASUNOS MOSFET de bajo voltaje es Guangdong, China.
P3: ¿Cuál es el precio del MOSFET de baja tensión REASUNOS?
R3: El precio del MOSFET de baja tensión REASUNOS dependerá del producto. Póngase en contacto con nosotros para obtener un precio confirmado.
P4: ¿Cómo se empaqueta el MOSFET de bajo voltaje REASUNOS?
A4: REASUNOS MOSFET de baja tensión está envasado en un embalaje tubular a prueba de polvo, a prueba de agua y antiestático, colocado dentro de una caja de cartón en cartones.
P5: ¿Cuál es el tiempo de entrega para REASUNOS MOSFET de bajo voltaje?
R5: El plazo de entrega para el MOSFET de bajo voltaje REASUNOS es de 2 a 30 días, dependiendo de la cantidad total.
Etiquetas:

Tensión de umbral bajo del canal N Mosfet

Mosfet de canal P de baja potencia estable

MOSFET de baja tensión de la estación base