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Mehrzweck-Niedrigspannungs-FET, langlebige Niedrigleistung N-Kanal-Mosfet

  • Multipurpose Low Voltage FET , Durable Low Power N Channel Mosfet
Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
Widerstand Niedriges RDS (AN) Anwendung im Grabenverfahren Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric
Prozess strukturieren Graben/SGT SGT-Prozessanwendung Lokführer, 5G Basisstation, Energie-Speicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Korrektur.
SGT-Prozessvorteile Optimierung des Durchbruch-FOM, mehr Anwendung umfassend. Produktbezeichnung Niederspannungs-MOSFET
EAS-Fähigkeit Hohe EAS-Fähigkeit Stromverbrauch Leistungsabfall der geringen Energie
Hervorheben

Mehrzweck-Niedrigspannungs-FET

,

N-Kanal Niederspannungs-FET

,

Nachhaltiges Niedrigleistungs-N-Kanal Mosfet
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Produkt-Beschreibung

Niederspannungs-FET mit Trench-/SGT-Verfahren in Serien- und Parallelkonfigurationen für mehr Anwendungen

Beschreibung des Produkts:

DieNiederspannungs-MOSFET(Low Voltage Field Effect Transistor) ist ein MOSFET mit niedriger Spannung, das eine hohe Effizienz und zuverlässige Leistung bietet.Es soll eine kostengünstige Lösung für eine Vielzahl von Anwendungen bieten., einschließlich drahtloses Laden, schnelles Laden, Motorantrieb, Gleichspannungs-/Gleichspannungswandler, Hochfrequenzschalter und synchrone Berichtigung.

DieNiederspannungs-MOSFETwird mit einem Schützprozess hergestellt, der eine bahnbrechende FOM-Optimierung ermöglicht und mehr Anwendungen abdeckt, wie z. B. Motorantrieb, 5G-Basisstation, Energiespeicher, Hochfrequenzschalter,und synchrone BerichtigungMit diesem fortschrittlichen Verfahren ist das Gerät in der Lage, eine verbesserte Leistung und Zuverlässigkeit zu bieten und gleichzeitig die Betriebskosten zu senken.

DieNiederspannungs-MOSFETist so konzipiert, dass es eine kostengünstige Lösung für eine Vielzahl von Anwendungen bietet und gleichzeitig eine hohe Effizienz und zuverlässige Leistung bietet.Es ist eine ideale Wahl für Anwendungen, die eine geringe Spannung erfordern, hohe Effizienz und hohe Zuverlässigkeit.

 

Technische Parameter:

Eigenschaften Grabenprozess SGT-Verfahren
Vorteile Kleinere RSP, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt werden. Durchbruch FOM-Optimierung, mehr Anwendung abdeckt.
Stromverbrauch Niedriger Stromverlust Niedriger Stromverlust
Widerstand Niedrige Rds ((ON) Niedrige Rds ((ON)
Produktbezeichnung Niederspannungs-MOSFET Niederspannungs-MOSFET
Strukturprozess Graben SGT
Effizienz Hochwirksam und zuverlässig Hochwirksam und zuverlässig
Anwendung Wireless Charging, Fast Charging, Motor-Treiber, Gleichspannungs-/ Gleichspannungsumrichter, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung. Motorfahrer, 5G-Basisstation, Energiespeicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung.
EAS-Fähigkeit Hohe EAS-Fähigkeit Hohe EAS-Fähigkeit
MOSFET mit niedriger Schwellenspannung - Ja, das ist es. - Ja, das ist es.
MOSFET für Niederspannung - Ja, das ist es. - Ja, das ist es.
MOSFET mit niedrigem VGS - Ja, das ist es. - Ja, das ist es.
 

Anwendungen:

REASUNOS Niederspannungs-MOSFETs sind für eine Vielzahl von Anwendungen und Szenarien konzipiert.Dank ihres geringen Rds ((ON)) WiderstandsSie bieten eine hohe EAS-Kapazität und eine niedrige Spannungsleistung.

REASUNOS Niederspannungs-MOSFETs sind in staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen erhältlich, die in Kartons in Karton verpackt sind. Wir garantieren eine Lieferzeit von 2-30 Tagen,je nach Gesamtmenge. Unser Preis unterliegt dem Produkt und kann nach Absprache bestätigt werden. Wir können bis zu 5KK / Monat zur Verfügung stellen. Zahlungsbedingungen sind 100% T / T im Voraus (EXW).

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

Technische Unterstützung und Wartung von Niederspannungs-MOSFET

Wir bieten eine breite Palette an technischen Support- und Serviceoptionen für unsere Niederspannungs-MOSFET-Produkte an.Unsere sachkundigen Mitarbeiter sind bereit, alle Fragen zu beantworten und Ihnen technische Beratung zu geben., Hilfe bei der Fehlerbehebung und allgemeine Produktinformationen.

Wir bieten auch eine Vielzahl von Online-Ressourcen und Support-Tools an, einschließlich Produktdokumentation, FAQs und Benutzerhandbücher.Unsere Online-Support-Tools bieten den Nutzern aktuelle Informationen über unsere Niederspannungs-MOSFET-Produkte.

Für kompliziertere technische Fragen steht unser Team von Ingenieuren und Technikern zur Verfügung, um Ihnen zu helfen.oder Online-ChatWir können auch kundenspezifische Lösungen und Software-Upgrades anbieten.

 

Verpackung und Versand:

Verpackung und Versand von Niederspannungs-MOSFET:

Das Niederspannungs-MOSFET wird je nach Art des Produkts in eine versiegelte Plastik- oder Kartonbox verpackt.Die Produkte werden in Kartons mit Schaumpolsterung versendet, um eine sichere Lieferung zu gewährleisten.

Jedes Produkt wird gekennzeichnet und verfolgt, um sicherzustellen, dass die Kunden den richtigen Artikel erhalten.

 

Häufige Fragen:

F1: Welcher Markenname trägt das Niederspannungs-MOSFET?
A1: Gründe.
F2: Woher stammt das Niederspannungs-MOSFET?
A2: Das Niederspannungs-MOSFET stammt aus Guangdong, China.
F3: Wie hoch ist der Preis für das Niederspannungs-MOSFET?
A3: Der Preis des Niederspannungs-MOSFET wird auf der Grundlage des Produkts bestätigt.
F4: Wie wird das Niederspannungs-MOSFET verpackt?
A4: Das Niederspannungs-MOSFET wird in staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt und in Kartons in einer Kartonbox aufbewahrt.
F5: Wie lange dauert die Lieferzeit?
A5: Die Lieferzeit beträgt 2-30 Tage, je nach Gesamtmenge.
Umbauten:

N-Kanal Mosfet Niedrigspannungsschwelle

Stabil Low Power P-Kanal Mosfet

Basisstation Niederspannungs-MOSFET