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FET de baja tensión multipropósito, Mosfet de baja potencia duradero de canal N

  • Multipurpose Low Voltage FET , Durable Low Power N Channel Mosfet
Lugar de origen Guangdong, NC
Nombre de la marca REASUNOS
Precio Confirm price based on product
Detalles de empaquetado Envases tubulares a prueba de polvo, agua y antistáticos, colocados en una caja de cartón en cartone
Tiempo de entrega 2-30 días (depende de la cantidad total)
Condiciones de pago 100% T/T por adelantado (EXW)
Capacidad de la fuente 5KK/mes

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Datos del producto
Resistencia RDS bajo (ENCENDIDO) Aplicación del proceso de zanja Carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor CC/CC, interruptor de alta frecue
Proceso de estructura Trinchera/SGT Uso de proceso de SGT Conductor del motor, 5G estación base, almacenamiento de energía, interruptor de alta frecuencia, re
Ventajas de proceso de SGT Optimización de la brecha FOM, cubriendo más uso. Nombre del producto MOSFET de bajo voltaje
Capacidad EAS Alta capacidad EAS Consumo de energía Pérdida de la energía baja
Resaltar

FET de baja tensión de usos múltiples

,

FET de baja tensión de canal N

,

Mosfet de bajo consumo N de canal duradero
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descripción de producto

FET de baja tensión con proceso trench/SGT, tanto en serie como en configuraciones paralelas que cubren más aplicaciones

Descripción del producto:

ElMOSFET de baja tensión(Transistor de efecto de campo de bajo voltaje) es un MOSFET de potencia de bajo voltaje que ofrece una alta eficiencia y un rendimiento confiable.Está diseñado para proporcionar una solución rentable para una amplia gama de aplicaciones, incluida la carga inalámbrica, la carga rápida, el conductor del motor, el convertidor DC/DC, el interruptor de alta frecuencia y la rectificación síncrona.

ElMOSFET de baja tensiónse fabrica utilizando un proceso de trinchera, que proporciona una optimización FOM innovadora y cubre más aplicaciones, como controlador de motor, estación base 5G, almacenamiento de energía, interruptor de alta frecuencia,y rectificación síncronaCon este proceso avanzado, el dispositivo es capaz de ofrecer un mejor rendimiento y fiabilidad, al tiempo que reduce el costo de propiedad.

ElMOSFET de baja tensiónestá diseñado para proporcionar una solución rentable para una amplia gama de aplicaciones, al mismo tiempo que ofrece una alta eficiencia y un rendimiento fiable.Es una opción ideal para aplicaciones que requieren bajo voltaje, alta eficiencia y alta confiabilidad.

 

Parámetros técnicos:

Características Proceso de las zanjas Proceso de SGT
Ventajas RSP más pequeño, tanto en serie y configuraciones paralelas se pueden combinar y utilizar libremente. La optimización de FOM, que cubre más aplicaciones.
Consumo de energía Baja pérdida de energía Baja pérdida de energía
Resistencia Bajo Rds ((ON) Bajo Rds ((ON)
Nombre del producto MOSFET de baja tensión MOSFET de baja tensión
Proceso de estructura En la zanja SGT
Eficiencia Alta eficiencia y fiabilidad Alta eficiencia y fiabilidad
Aplicación Carga inalámbrica, carga rápida, conductor del motor, convertidor de CC/CC, interruptor de alta frecuencia, rectificación síncrona. El conductor del motor, la estación base 5G, el almacenamiento de energía, el interruptor de alta frecuencia, la rectificación síncrona.
Capacidad de EAS Capacidad EAS elevada Capacidad EAS elevada
MOSFET de voltaje de umbral bajo - ¿ Qué? - ¿ Qué?
MOSFET de baja tensión - ¿ Qué? - ¿ Qué?
MOSFET de baja VGS - ¿ Qué? - ¿ Qué?
 

Aplicaciones:

Los MOSFET de bajo voltaje REASUNOS están diseñados para una variedad de aplicaciones y escenarios.Gracias a su baja resistencia Rds ((ON)Su estructura SGT proporciona un rendimiento de conmutación superior, lo que los hace ideales para aplicaciones de mosfet de baja velocidad.

Los MOSFET de bajo voltaje de REASUNOS están disponibles en embalajes tubulares a prueba de polvo, a prueba de agua y antistáticos, colocados dentro de una caja de cartón en cartones. Garantizamos un tiempo de entrega de 2-30 días,según la cantidad totalNuestro precio está sujeto al producto y puede confirmarse después de la consulta. Podemos proporcionar hasta 5KK / mes. Los términos de pago son 100% T / T por adelantado (EXW).

 

Apoyo y servicios:

Soporte técnico y servicio de MOSFET de baja tensión

Ofrecemos una amplia gama de soporte técnico y opciones de servicio para nuestros productos MOSFET de bajo voltaje.Nuestro personal experto está disponible para responder a cualquier pregunta que pueda tener y para proporcionar asesoramiento técnico, asistencia para la resolución de problemas e información general sobre el producto.

También ofrecemos una variedad de recursos en línea y herramientas de soporte, incluida la documentación del producto, preguntas frecuentes y manuales de usuario.Nuestras herramientas de soporte en línea proporcionan a los usuarios información actualizada sobre nuestros productos MOSFET de bajo voltaje.

Para problemas técnicos más complejos, nuestro equipo de ingenieros y técnicos está disponible para brindar asistencia.o el chat en líneaTambién podemos proporcionar soluciones personalizadas y actualizaciones de software.

 

Embalaje y envío:

Embalaje y envío del MOSFET de bajo voltaje:

El MOSFET de bajo voltaje se embala en una caja de plástico o cartón sellada, según el tipo de producto.Los productos se envían en cajas de cartón con relleno de espuma para garantizar una entrega segura y segura.

Cada producto está etiquetado y rastreado para garantizar que los clientes reciban el artículo correcto.

 

Preguntas frecuentes:

P1: ¿Cuál es la marca del MOSFET de bajo voltaje?
R1: Las razones.
P2: ¿De dónde viene el MOSFET de bajo voltaje?
R2: El MOSFET de bajo voltaje es de Guangdong, China.
P3: ¿Cuál es el precio del MOSFET de bajo voltaje?
R3: El precio del MOSFET de bajo voltaje se confirma en función del producto.
P4: ¿Cómo se empaqueta el MOSFET de bajo voltaje?
A4: El MOSFET de bajo voltaje está envasado en un embalaje tubular a prueba de polvo, a prueba de agua y antiestático, colocado dentro de una caja de cartón en cajas de cartón.
P5: ¿Cuánto dura el tiempo de entrega?
R5: El tiempo de entrega es de 2 a 30 días, dependiendo de la cantidad total.
Etiquetas:

Tensión de umbral bajo del canal N Mosfet

Mosfet de canal P de baja potencia estable

MOSFET de baja tensión de la estación base