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FET de baixa tensão multifuncional, Mosfet de baixo consumo durável N Channel

  • Multipurpose Low Voltage FET , Durable Low Power N Channel Mosfet
Lugar de origem Guangdong, NC
Marca REASUNOS
Preço Confirm price based on product
Detalhes da embalagem Embalagens tubulares impermeáveis ao pó, à água e antistáticas, colocadas numa caixa de cartão em ca
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Detalhes do produto
Resistência Baixo RDS (SOBRE) Aplicação de processo de vala Carregamento sem fio, carregamento rápido, driver de motor, conversor DC/DC, interruptor de alta fre
processo de estrutura Trincheira/SGT Aplicação do processo de SGT Motorista do motor, 5G estação base, armazenamento de energia, interruptor de alta frequência, corre
Vantagens do processo de SGT Otimização da descoberta FOM, cobrindo mais aplicação. Nome do produto MOSFET de baixa tensão
Capacidade EAS Alta capacidade de EAS Consumo de energia Perda de baixa potência
Destacar

FET de baixa tensão multifuncional

,

FET de baixa tensão de canal N

,

Mosfet de baixo consumo de N-canal durável
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrição de produto

FET de baixa tensão com processo de trincheira/SGT, tanto em série como em configurações paralelas, cobrindo mais aplicações

Descrição do produto:

OMOSFET de baixa tensão(Low Voltage Field Effect Transistor) é um MOSFET de baixa tensão que oferece alta eficiência e desempenho confiável.Foi concebido para proporcionar uma solução rentável para uma ampla gama de aplicações, incluindo carregamento sem fios, carregamento rápido, motor de condução, conversor DC/DC, interruptor de alta frequência e retificação síncrona.

OMOSFET de baixa tensãoé fabricado utilizando um processo de trincheira, que proporciona uma otimização FOM inovadora e abrange mais aplicações, como motor driver, estação base 5G, armazenamento de energia, interruptor de alta frequência,e retificação síncronaCom este processo avançado, o dispositivo é capaz de proporcionar um melhor desempenho e fiabilidade, ao mesmo tempo em que reduz o custo de propriedade.

OMOSFET de baixa tensãoO projeto é concebido para fornecer uma solução rentável para uma ampla gama de aplicações, proporcionando simultaneamente uma elevada eficiência e um desempenho fiável.É uma escolha ideal para aplicações que exigem baixa tensão, alta eficiência e alta fiabilidade.

 

Parâmetros técnicos:

Características Processo de trincheira Processo SGT
Vantagens RSPs menores, com configurações em série e paralelas, podem ser combinadas e utilizadas livremente. Otimização FOM avançada, cobrindo mais aplicações.
Consumo de energia Baixa perda de potência Baixa perda de potência
Resistência Baixa Rds ((ON) Baixa Rds ((ON)
Nome do produto MOSFET de baixa tensão MOSFET de baixa tensão
Processo de estrutura Trilha SGT
Eficiência Alta eficiência e fiabilidade Alta eficiência e fiabilidade
Aplicação Carregamento sem fio, carregamento rápido, motorista, conversor DC/DC, interruptor de alta frequência, retificação síncrona. Motorista, Estação Base 5G, Armazenamento de Energia, Comutador de Alta Frequência, Rectificação Sincrónica.
Capacidade do EAS Alta capacidade de EAS Alta capacidade de EAS
MOSFET de baixa tensão de limiar - Sim, sim. - Sim, sim.
MOSFET de potência de baixa tensão - Sim, sim. - Sim, sim.
MOSFET de baixo VGS - Sim, sim. - Sim, sim.
 

Aplicações:

Os MOSFETs de baixa tensão REASUNOS são projetados para uma variedade de aplicações e cenários.Graças à sua baixa resistência Rds ((ON)A sua estrutura SGT fornece um desempenho de comutação superior, tornando-os ideais para aplicações de mosfet de baixa tensão.

Os MOSFETs de baixa tensão REASUNOS estão disponíveis em embalagens tubulares à prova de poeira, à prova de água e antistáticas, colocadas dentro de uma caixa de cartão em caixas de papelão.Dependendo da quantidade total. Nosso preço está sujeito ao produto e pode ser confirmado após consulta. Podemos fornecer até 5KK / mês. Os termos de pagamento são 100% T / T antecipadamente (EXW).

 

Apoio e Serviços:

Suporte técnico e serviço de MOSFET de baixa tensão

Oferecemos uma ampla gama de suporte técnico e opções de serviço para nossos produtos MOSFET de baixa tensão.O nosso pessoal experiente está disponível para responder a quaisquer perguntas que possa ter e para prestar aconselhamento técnico, assistência em resolução de problemas e informações gerais sobre o produto.

Também oferecemos uma variedade de recursos e ferramentas de suporte online, incluindo documentação do produto, FAQs e manuais de usuário.As nossas ferramentas de apoio online fornecem aos utilizadores informações atualizadas sobre os nossos produtos MOSFET de Baixa Tensão.

Para questões técnicas mais complexas, a nossa equipa de engenheiros e técnicos está disponível para prestar assistência.ou chat onlineTambém podemos fornecer soluções personalizadas e atualizações de software.

 

Embalagem e transporte:

Embalagem e transporte do MOSFET de baixa tensão:

O MOSFET de Baixa Tensão é embalado numa caixa de plástico ou cartão selada, consoante o tipo de produto.Os produtos são enviados em caixas de papelão com estofamento de espuma para garantir uma entrega segura e segura.

Cada produto é rotulado e rastreado para garantir que os clientes recebam o item correto.

 

Perguntas frequentes:

P1: Qual é a marca do MOSFET de baixa tensão?
A1: Razões.
P2: De onde vem o MOSFET de baixa tensão?
R2: O MOSFET de Baixa Tensão é de Guangdong, China.
P3: Qual é o preço do MOSFET de baixa tensão?
R3: O preço do MOSFET de baixa tensão é confirmado com base no produto.
P4: Como é o MOSFET de baixa tensão embalados?
A4: O MOSFET de baixa tensão é embalado em embalagens tubulares à prova de poeira, à prova de água e antistáticas, colocadas dentro de uma caixa de papelão em caixas de papelão.
Q5: Quanto tempo dura o prazo de entrega?
A5: O prazo de entrega é de 2 a 30 dias, dependendo da quantidade total.
Etiquetas:

N Canal Mosfet Baixa Tensão de limiar

Mosfet de canal P estável de baixa potência

MOSFET de baixa tensão da estação base