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FET multiuso a bassa tensione, mosfet di canale N a bassa potenza

  • Multipurpose Low Voltage FET , Durable Low Power N Channel Mosfet
Luogo di origine Guangdong, CN
Marca REASUNOS
Prezzo Confirm price based on product
Imballaggi particolari Imballaggi tubulari antipolvere, impermeabili e antistatici, collocati all'interno di una scatola di
Tempi di consegna 2-30 giorni (a seconda della quantità totale)
Termini di pagamento 100% T/T in anticipo (EXW)
Capacità di alimentazione 5KK/mese

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Dettagli
Resistenza RDS basso (SOPRA) Applicazione del processo di trincea Ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenz
Processo di struttura Trincea/SGT Applicazione trattata di SGT Driver del motore, 5G stazione base, immagazzinamento dell'energia, commutatore ad alta frequenza, r
Vantaggi trattati di SGT Ottimizzazione di innovazione FOM, riguardante più applicazione. Nome del prodotto MOSFET a bassa tensione
Funzionalità EAS Elevata capacità EAS Consumo di energia Perdita di potere basso
Evidenziare

FET a bassa tensione multiuso

,

FET a bassa tensione di canale N

,

Mosfet di canale N resistente a bassa potenza
Puoi spuntare i prodotti di cui hai bisogno e comunicare con noi nella bacheca.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrizione di prodotto

FET a bassa tensione con processo trench/SGT sia in serie che in configurazione parallela che copre più applicazioni

Descrizione del prodotto:

IlMOSFET a bassa tensione(Low Voltage Field Effect Transistor) è un MOSFET a bassa tensione che offre un'elevata efficienza e prestazioni affidabili.È stato progettato per fornire una soluzione conveniente per una vasta gamma di applicazioni, compresa la ricarica wireless, la ricarica rapida, il driver del motore, il convertitore DC/DC, l'interruttore ad alta frequenza e la rettifica sincrona.

IlMOSFET a bassa tensioneè fabbricato utilizzando un processo di trincea, che offre un'ottimizzazione FOM innovativa e copre più applicazioni, come il driver motore, la stazione base 5G, lo stoccaggio di energia, l'interruttore ad alta frequenza,e rettifica sincronaCon questo processo avanzato, il dispositivo è in grado di offrire prestazioni e affidabilità migliorate, riducendo al contempo il costo di proprietà.

IlMOSFET a bassa tensioneè progettato per fornire una soluzione conveniente per una vasta gamma di applicazioni, garantendo al contempo un'elevata efficienza e prestazioni affidabili.È una scelta ideale per applicazioni che richiedono bassa tensione, elevata efficienza e alta affidabilità.

 

Parametri tecnici:

Caratteristiche Processo di trincea Processo SGT
Vantaggi RSP più piccole, sia le configurazioni in serie che parallele possono essere liberamente combinate e utilizzate. Ottimizzazione FOM rivoluzionaria, che copre più applicazioni.
Consumo di energia Basse perdite di potenza Basse perdite di potenza
Resistenza Basso Rds ((ON) Basso Rds ((ON)
Nome del prodotto MOSFET a bassa tensione MOSFET a bassa tensione
Processo di struttura Trincea SGT
Efficienza Alta efficienza e affidabilità Alta efficienza e affidabilità
Applicazione Ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenza, rettifica sincrona. Motor Driver, Stazione base 5G, Immagazzinamento di energia, Interruttore ad alta frequenza, Rettifica sincrona.
Capacità EAS Capacità elevata di EAS Capacità elevata di EAS
MOSFET a bassa tensione di soglia - Sì, sì. - Sì, sì.
MOSFET di potenza a bassa tensione - Sì, sì. - Sì, sì.
MOSFET a bassa VGS - Sì, sì. - Sì, sì.
 

Applicazioni:

I MOSFET a bassa tensione REASUNOS sono progettati per una varietà di applicazioni e scenari.Grazie alla loro bassa resistenza Rds ((ON)La loro struttura SGT fornisce prestazioni di commutazione superiori, rendendoli ideali per applicazioni a basso voltaggio.

I MOSFET a bassa tensione REASUNOS sono disponibili in imballaggi tubolari antipolvere, impermeabili e antistatici, collocati all'interno di una scatola di cartone in cartone.a seconda della quantità totale. Il nostro prezzo è soggetto al prodotto e può essere confermato dopo la consultazione. Possiamo fornire fino a 5KK / mese. Termini di pagamento sono 100% T / T in anticipo (EXW).

 

Supporto e servizi:

Supporto tecnico e servizio di MOSFET a bassa tensione

Offriamo una vasta gamma di supporto tecnico e opzioni di servizio per i nostri prodotti MOSFET a bassa tensione.Il nostro personale esperto è disponibile per rispondere a qualsiasi domanda e fornire consulenza tecnica, assistenza per la risoluzione dei problemi e informazioni generali sul prodotto.

Offriamo anche una varietà di risorse online e strumenti di supporto, tra cui documentazione del prodotto, FAQ e manuali per l'utente.I nostri strumenti di supporto online forniscono agli utenti informazioni aggiornate sui nostri prodotti MOSFET a bassa tensione.

Per le questioni tecniche più complesse, il nostro team di ingegneri e tecnici è disponibile per fornire assistenza.o chat onlinePossiamo anche fornire soluzioni personalizzate e aggiornamenti del software.

 

Imballaggio e trasporto:

Imballaggio e spedizione del MOSFET a bassa tensione:

Il MOSFET a bassa tensione è confezionato in una scatola di plastica o di cartone sigillata, a seconda del tipo di prodotto.I prodotti sono spediti in scatole di cartone con imbottitura di schiuma per garantire una consegna sicura e protetta.

Ogni prodotto è etichettato e tracciato per garantire che i clienti ricevano l'articolo corretto.

 

FAQ:

Q1: Qual è il marchio del MOSFET a bassa tensione?
A1: RASUNOS.
D2: Da dove proviene il MOSFET a bassa tensione?
R2: Il MOSFET a bassa tensione proviene dal Guangdong, in Cina.
Q3: Qual è il prezzo del MOSFET a bassa tensione?
R3: Il prezzo del MOSFET a bassa tensione è confermato in base al prodotto.
Q4: Come è confezionato il MOSFET a bassa tensione?
A4: Il MOSFET a bassa tensione è confezionato in un imballaggio tubulare antistatico, impermeabile e antirughe, collocato all'interno di una scatola di cartone in cartone.
Q5: Quanto dura il tempo di consegna?
R5: Il tempo di consegna è di 2-30 giorni, a seconda della quantità totale.
Etichette:

N canale Mosfet bassa tensione di soglia

Mosfet di canale P stabile a bassa potenza

MOSFET a bassa tensione della stazione base