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बहुउद्देश्यीय कम वोल्टेज FET, टिकाऊ कम शक्ति N चैनल Mosfet

  • Multipurpose Low Voltage FET , Durable Low Power N Channel Mosfet
उत्पत्ति के प्लेस गुआंग्डोंग, सीएन
ब्रांड नाम REASUNOS
मूल्य Confirm price based on product
पैकेजिंग विवरण डस्टप्रूफ, वॉटरप्रूफ और एंटी-स्टैटिक ट्यूबलर पैकेजिंग, डिब्बों में कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर रखी गई ह
प्रसव के समय 2-30 दिन (कुल मात्रा पर निर्भर करता है)
भुगतान शर्तें अग्रिम में 100% टी/टी (EXW)
आपूर्ति की क्षमता 5KK/माह

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उत्पाद विवरण
प्रतिरोध कम आरडीएस(चालू) ट्रेंच प्रक्रिया आवेदन वायरलेस चार्जिंग, फास्ट चार्जिंग, मोटर ड्राइवर, डीसी/डीसी कनवर्टर, हाई-फ़्रीक्वेंसी स्विच, सिंक्रोनस
संरचना प्रक्रिया ट्रेंच/एसजीटी एसजीटी प्रक्रिया आवेदन मोटर ड्राइवर, 5जी बेस स्टेशन, ऊर्जा भंडारण, उच्च आवृत्ति स्विच, सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन।
एसजीटी प्रक्रिया के लाभ निर्णायक एफओएम अनुकूलन, अधिक एप्लिकेशन को कवर करता है। उत्पाद का नाम कम वोल्टेज MOSFET
ईएएस क्षमता उच्च ईएएस क्षमता बिजली की खपत कम बिजली हानि
प्रमुखता देना

बहुउद्देश्यीय निम्न वोल्टेज FET

,

एन चैनल कम वोल्टेज FET

,

टिकाऊ कम शक्ति एन चैनल मोस्फेट
आप अपनी ज़रूरत के उत्पादों को टिक कर सकते हैं और हमारे साथ संदेश बोर्ड में संचार कर सकते हैं।
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
उत्पाद विवरण

अधिक अनुप्रयोगों को कवर करने वाले ट्रेंच/एसजीटी प्रक्रिया दोनों श्रृंखला और समानांतर कॉन्फ़िगरेशन के साथ कम वोल्टेज एफईटी

उत्पाद का वर्णन:

दकम वोल्टेज MOSFET(लो वोल्टेज फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर) एक कम वोल्टेज पावर MOSFET है जो उच्च दक्षता और विश्वसनीय प्रदर्शन प्रदान करता है।यह विभिन्न अनुप्रयोगों के लिए एक लागत प्रभावी समाधान प्रदान करने के लिए डिज़ाइन किया गया है, जिसमें वायरलेस चार्जिंग, फास्ट चार्जिंग, मोटर ड्राइवर, डीसी/डीसी कन्वर्टर, उच्च आवृत्ति स्विच और सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन शामिल हैं।

दकम वोल्टेज MOSFETएक खाई प्रक्रिया का उपयोग करके निर्मित किया जाता है, जो FOM अनुकूलन प्रदान करता है और अधिक अनुप्रयोगों को कवर करता है, जैसे कि मोटर ड्राइवर, 5G बेस स्टेशन, ऊर्जा भंडारण, उच्च आवृत्ति स्विच,और सिंक्रोनस रेक्टिकेशनइस उन्नत प्रक्रिया के साथ, उपकरण बेहतर प्रदर्शन और विश्वसनीयता प्रदान करने में सक्षम है, जबकि स्वामित्व की लागत को भी कम करता है।

दकम वोल्टेज MOSFETयह एक विस्तृत श्रृंखला के अनुप्रयोगों के लिए एक लागत प्रभावी समाधान प्रदान करने के लिए डिज़ाइन किया गया है, जबकि उच्च दक्षता और विश्वसनीय प्रदर्शन भी प्रदान करता है।यह कम वोल्टेज की आवश्यकता वाले अनुप्रयोगों के लिए एक आदर्श विकल्प है, उच्च दक्षता और उच्च विश्वसनीयता।

 

तकनीकी मापदंडः

विशेषताएं खाई की प्रक्रिया एसजीटी प्रक्रिया
लाभ छोटे आरएसपी, दोनों श्रृंखला और समानांतर विन्यास को स्वतंत्र रूप से जोड़ा और उपयोग किया जा सकता है। अधिक अनुप्रयोगों को कवर करने के लिए सफलतापूर्वक FOM अनुकूलन।
बिजली की खपत कम शक्ति हानि कम शक्ति हानि
प्रतिरोध कम आरडीएस (ऑन) कम आरडीएस (ऑन)
उत्पाद का नाम कम वोल्टेज MOSFET कम वोल्टेज MOSFET
संरचना प्रक्रिया खाई एसजीटी
दक्षता उच्च दक्षता और विश्वसनीयता उच्च दक्षता और विश्वसनीयता
आवेदन वायरलेस चार्जिंग, फास्ट चार्जिंग, मोटर ड्राइवर, डीसी/डीसी कनवर्टर, हाई-फ्रीक्वेंसी स्विच, सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन मोटर ड्राइवर, 5जी बेस स्टेशन, ऊर्जा भंडारण, उच्च आवृत्ति स्विच, सिंक्रोनस सुधार।
ईएएस क्षमता उच्च ईएएस क्षमता उच्च ईएएस क्षमता
निम्न सीमा वोल्टेज MOSFET हाँ हाँ
कम वोल्टेज पावर MOSFET हाँ हाँ
कम वीजीएस मोस्फेट हाँ हाँ
 

अनुप्रयोग:

REASUNOS कम वोल्टेज MOSFET विभिन्न प्रकार के अनुप्रयोगों और परिदृश्यों के लिए डिज़ाइन किए गए हैं। अपने सफलता FOM अनुकूलन के साथ, वे अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला को कवर करने में सक्षम हैं।उनके कम आरडीएस ((ऑन) प्रतिरोध के लिए धन्यवाद, वे उच्च ईएएस क्षमता और कम वोल्टेज पावर मोस्फेट प्रदान करते हैं। उनकी एसजीटी संरचना बेहतर स्विचिंग प्रदर्शन प्रदान करती है, जो उन्हें कम वीजीएस मोस्फेट अनुप्रयोगों के लिए आदर्श बनाती है।

REASUNOS कम वोल्टेज MOSFETs धूल, जलरोधक, और विरोधी स्थैतिक ट्यूबलर पैकेजिंग में उपलब्ध हैं, कार्टन में एक कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर रखा। हम 2-30 दिनों की डिलीवरी समय की गारंटी,कुल मात्रा के आधार पर. हमारी कीमत उत्पाद के अधीन है और परामर्श के बाद पुष्टि की जा सकती है. हम 5KK / महीने तक प्रदान कर सकते हैं. भुगतान की शर्तें अग्रिम में 100% टी / टी (एक्सडब्ल्यू) हैं.

 

सहायता एवं सेवाएं:

कम वोल्टेज MOSFET तकनीकी सहायता और सेवा

हम अपने निम्न वोल्टेज मोस्फेट उत्पादों के लिए तकनीकी सहायता और सेवा विकल्पों की एक विस्तृत श्रृंखला प्रदान करते हैं।हमारे जानकार कर्मचारी आपके किसी भी प्रश्न का उत्तर देने और तकनीकी सलाह देने के लिए उपलब्ध हैं, समस्या निवारण सहायता और सामान्य उत्पाद जानकारी।

हम विभिन्न प्रकार के ऑनलाइन संसाधन और सहायता उपकरण भी प्रदान करते हैं, जिनमें उत्पाद प्रलेखन, अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न और उपयोगकर्ता मैनुअल शामिल हैं।हमारे ऑनलाइन समर्थन उपकरण उपयोगकर्ताओं को हमारे निम्न वोल्टेज MOSFET उत्पादों के बारे में अद्यतित जानकारी प्रदान करते हैं.

अधिक जटिल तकनीकी मुद्दों के लिए, इंजीनियरों और तकनीशियनों की हमारी टीम सहायता प्रदान करने के लिए उपलब्ध है। हम साइट पर सेवा के साथ-साथ टेलीफोन, ईमेल के माध्यम से दूरस्थ समर्थन प्रदान कर सकते हैं,या ऑनलाइन चैटहम कस्टम समाधान और सॉफ्टवेयर अपग्रेड भी प्रदान कर सकते हैं।

 

पैकिंग और शिपिंगः

कम वोल्टेज MOSFET के लिए पैकेजिंग और शिपिंगः

निम्न वोल्टेज MOSFET को उत्पाद के प्रकार के आधार पर बंद प्लास्टिक या कार्डबोर्ड बॉक्स में पैक किया जाता है।उत्पादों को एक सुरक्षित और सुरक्षित वितरण सुनिश्चित करने के लिए फोम पैडिंग के साथ कार्डबोर्ड बॉक्स में भेज दिया जाता है.

प्रत्येक उत्पाद को लेबल और ट्रैक किया जाता है ताकि यह सुनिश्चित किया जा सके कि ग्राहकों को सही आइटम प्राप्त हो। शिपिंग ग्राहक की आवश्यकताओं के आधार पर हवाई माल, समुद्री माल या भूमि परिवहन के माध्यम से की जाती है।

 

अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न:

Q1: निम्न वोल्टेज MOSFET का ब्रांड नाम क्या है?
उत्तर 1: कारण।
Q2: निम्न वोल्टेज MOSFET कहाँ से आता है?
A2: निम्न वोल्टेज MOSFET गुआंग्डोंग, चीन से है।
Q3: निम्न वोल्टेज MOSFET की कीमत क्या है?
A3: निम्न वोल्टेज MOSFET की कीमत उत्पाद के आधार पर पुष्टि की जाती है।
Q4: निम्न वोल्टेज MOSFET को कैसे पैक किया जाता है?
A4: निम्न वोल्टेज MOSFET को धूल, पानी और एंटी-स्टेटिक ट्यूबलर पैकेजिंग में पैक किया जाता है, जो एक कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर कार्टन में रखा जाता है।
Q5: डिलीवरी का समय कितना है?
A5: डिलीवरी का समय कुल मात्रा के आधार पर 2-30 दिन है।
टैग:

एन चैनल मोस्फेट निम्न सीमा वोल्टेज

स्थिर निम्न शक्ति पी चैनल मोस्फेट

बेस स्टेशन कम वोल्टेज MOSFET

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