Πολλαπλές χαμηλής τάσης FET, ανθεκτικό χαμηλής ισχύος N Channel Mosfet

Τόπος καταγωγής Guangdong, ΣΟ
Μάρκα REASUNOS
Τιμή Confirm price based on product
Συσκευασία λεπτομέρειες Πυροστασία, ανθεκτική στη σκόνη, στο νερό και στην αντιστατική σωληνωτή συσκευασία, που τοποθετείται
Χρόνος παράδοσης 2-30 ημέρες (εξαρτάται από τη συνολική ποσότητα)
Όροι πληρωμής 100% T/T εκ των προτέρων (EXW)
Δυνατότητα προσφοράς 5KK/μήνα

Με ελάτε σε επαφή με δωρεάν δείγματα και δελτία.

Whatsapp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

Skype: sales10@aixton.com

Εάν έχετε οποιαδήποτε ανησυχία, παρέχουμε τη 24ωρη σε απευθείας σύνδεση βοήθεια.

x
Λεπτομέρειες
Αντίσταση Χαμηλό RDS (ΕΠΆΝΩ) Εφαρμογή διαδικασίας τάφρου Ασύρματη φόρτιση, γρήγορη φόρτιση, πρόγραμμα οδήγησης κινητήρα, μετατροπέας DC/DC, Διακόπτης υψηλής
Διαδικασία δομής Τάφρο/SGT Εφαρμογή διαδικασίας SGT Οδηγός μηχανών, σταθμός βάσης 5G, ενεργειακή αποθήκευση, υψηλής συχνότητας διακόπτης, σύγχρονη διόρθ
Πλεονεκτήματα διαδικασίας SGT Σημαντική FOM βελτιστοποίηση, που καλύπτει περισσότερη εφαρμογή. Ονομασία προϊόντος MOSFET χαμηλής τάσης
Δυνατότητα EAS Υψηλή ικανότητα EAS Κατανάλωση ενέργειας Χαμηλής ισχύος απώλεια
Επισημαίνω

Πολυεπιχειρησιακό FET χαμηλής τάσης

,

N κανάλι FET χαμηλής τάσης

,

Ανθεκτικό χαμηλής ισχύος N Channel Mosfet

Μπορείτε να σημειώσετε τα προϊόντα που χρειάζεστε και να επικοινωνήσετε μαζί μας στον πίνακα μηνυμάτων.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
Αφήστε ένα μήνυμα
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Περιγραφή προϊόντων

FET χαμηλής τάσης με διαδικασία Trench/SGT σε σειρά και παράλληλη διαμόρφωση που καλύπτει περισσότερες εφαρμογές

Περιγραφή του προϊόντος:

ΗMOSFET χαμηλής τάσηςΤο MOSFET είναι ένα MOSFET χαμηλής τάσης που προσφέρει υψηλή απόδοση και αξιόπιστη απόδοση.Έχει σχεδιαστεί για να παρέχει μια οικονομικά αποδοτική λύση για ένα ευρύ φάσμα εφαρμογών, συμπεριλαμβανομένης της ασύρματης φόρτισης, της ταχείας φόρτισης, του οδηγού κινητήρα, του μετατροπέα συνεχούς ρεύματος, του διακόπτη υψηλής συχνότητας και της συγχρονισμένης διόρθωσης.

ΗMOSFET χαμηλής τάσηςκατασκευάζεται με τη χρήση διαδικασίας τάφρου, η οποία παρέχει πρωτοποριακή βελτιστοποίηση FOM και καλύπτει περισσότερες εφαρμογές, όπως κινητήρας, σταθμός βάσης 5G, αποθήκευση ενέργειας, διακόπτης υψηλής συχνότητας,και συγχρονική διόρθωσηΜε αυτή την προηγμένη διαδικασία, η συσκευή είναι σε θέση να προσφέρει βελτιωμένες επιδόσεις και αξιοπιστία, ενώ παράλληλα μειώνει το κόστος ιδιοκτησίας.

ΗMOSFET χαμηλής τάσηςέχει σχεδιαστεί για να παρέχει μια οικονομικά αποδοτική λύση για ένα ευρύ φάσμα εφαρμογών, παρέχοντας παράλληλα υψηλή απόδοση και αξιόπιστη απόδοση.Είναι μια ιδανική επιλογή για εφαρμογές που απαιτούν χαμηλή τάση, υψηλή απόδοση και υψηλή αξιοπιστία.

 

Τεχνικές παραμέτρους:

Χαρακτηριστικά Διαδικασία εσολιών Διαδικασία SGT
Πλεονεκτήματα Μικρότερα RSP, τόσο σε σειρά όσο και παράλληλες διαμορφώσεις μπορούν να συνδυαστούν και να χρησιμοποιηθούν ελεύθερα. Πραγματοποίηση βελτιστοποίησης FOM, καλύπτοντας περισσότερες εφαρμογές.
Κατανάλωση ενέργειας Μικρή απώλεια ισχύος Μικρή απώλεια ισχύος
Αντίσταση Χαμηλή Rds ((ON) Χαμηλή Rds ((ON)
Ονομασία του προϊόντος MOSFET χαμηλής τάσης MOSFET χαμηλής τάσης
Διαδικασία δομής Τρύπα ΣΓΤ
Αποτελεσματικότητα Υψηλή Απόδοση και Αξιόπιστη Υψηλή Απόδοση και Αξιόπιστη
Εφαρμογή Ασύρματη φόρτιση, ταχεία φόρτιση, οδηγός κινητήρα, μετατροπέας συνεχούς ρεύματος, διακόπτης υψηλής συχνότητας, συγχρονική διόρθωση. Οδηγός κινητήρα, σταθμός βάσης 5G, αποθήκευση ενέργειας, διακόπτης υψηλής συχνότητας, συγχρονισμένη διόρθωση.
Ικανότητα EAS Υψηλή ικανότητα EAS Υψηλή ικανότητα EAS
ΜΟΣΦΕΤ χαμηλής κατώτατης τάσης - Ναι, ναι. - Ναι, ναι.
MOSFET ισχύος χαμηλής τάσης - Ναι, ναι. - Ναι, ναι.
Χαμηλό VGS MOSFET - Ναι, ναι. - Ναι, ναι.
 

Εφαρμογές:

Τα MOSFET χαμηλής τάσης REASUNOS έχουν σχεδιαστεί για μια ποικιλία εφαρμογών και σενάριων.Χάρη στην χαμηλή αντίσταση Rds ((ON)Η δομή SGT τους παρέχει ανώτερη απόδοση εναλλαγής, καθιστώντας τους ιδανικούς για εφαρμογές χαμηλής τάσης mosfet.

Τα MOSFET χαμηλής τάσης της REASUNOS είναι διαθέσιμα σε ανθεκτική στη σκόνη, στην υγρασία και στην αντιστατική σωληνιακή συσκευασία, τοποθετημένα μέσα σε ένα χαρτονότυπο κουτί σε κουτιά.ανάλογα με τη συνολική ποσότηταΗ τιμή μας εξαρτάται από το προϊόν και μπορεί να επιβεβαιωθεί μετά από διαβούλευση. Μπορούμε να παρέχουμε έως 5KK / μήνα. Οι όροι πληρωμής είναι 100% T / T εκ των προτέρων (EXW).

 

Υποστήριξη και υπηρεσίες:

Τεχνική υποστήριξη και εξυπηρέτηση MOSFET χαμηλής τάσης

Προσφέρουμε ένα ευρύ φάσμα τεχνικής υποστήριξης και επιλογών εξυπηρέτησης για τα προϊόντα MOSFET χαμηλής τάσης.Το εξειδικευμένο προσωπικό μας είναι διαθέσιμο για να απαντήσει σε τυχόν ερωτήσεις που μπορεί να έχετε και να σας παρέχει τεχνικές συμβουλές., βοήθεια επίλυσης προβλημάτων και γενικές πληροφορίες για το προϊόν.

Προσφέρουμε επίσης μια ποικιλία ηλεκτρονικών πόρων και εργαλείων υποστήριξης, συμπεριλαμβανομένης της τεκμηρίωσης του προϊόντος, FAQ και εγχειριδίων χρήστη.Τα εργαλεία υποστήριξης στο διαδίκτυο παρέχουν στους χρήστες ενημερωμένες πληροφορίες σχετικά με τα προϊόντα MOSFET χαμηλής τάσης.

Για πιο περίπλοκα τεχνικά ζητήματα, η ομάδα μηχανικών και τεχνικών μας είναι διαθέσιμη για να παρέχει βοήθεια.ή online chatΜπορούμε επίσης να παρέχουμε προσαρμοσμένες λύσεις και αναβαθμίσεις λογισμικού.

 

Συσκευή και αποστολή:

Συσκευασία και αποστολή για το MOSFET χαμηλής τάσης:

Το MOSFET χαμηλής τάσης συσκευάζεται σε σφραγισμένο πλαστικό ή χαρτόνια κουτί, ανάλογα με τον τύπο του προϊόντος.Τα προϊόντα αποστέλλονται σε χαρτόνια κιβώτια με επένδυση από αφρό για να εξασφαλιστεί η ασφαλή παράδοση.

Η αποστολή πραγματοποιείται μέσω αεροπορικών, θαλάσσιων ή χερσαίων μεταφορών ανάλογα με τις απαιτήσεις του πελάτη.

 

Γενικά ερωτήματα:

Ε: Ποια είναι η εμπορική ονομασία του MOSFET χαμηλής τάσης;
Α1: ΑΙΘΥΜΑΤΙΚΑ.
Ε2: Από πού προέρχεται το MOSFET χαμηλής τάσης;
Α2: Το MOSFET χαμηλής τάσης είναι από το Guangdong της Κίνας.
Ε3: Ποια είναι η τιμή του MOSFET χαμηλής τάσης;
Α3: Η τιμή του MOSFET χαμηλής τάσης επιβεβαιώνεται με βάση το προϊόν.
Ε4: Πώς συσκευάζεται το MOSFET χαμηλής τάσης;
Α4: Το MOSFET χαμηλής τάσης συσκευάζεται σε ανθεκτική στη σκόνη, στην υδροξείωση και στην αντιστατική σωληνωτή συσκευασία, τοποθετείται μέσα σε ένα χαρτόκουτο σε κουτιά.
Ε: Πόσος χρόνος παράδοσης;
Α5: Ο χρόνος παράδοσης είναι 2-30 ημέρες, ανάλογα με τη συνολική ποσότητα.