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FET à basse tension polyvalent, mousfet à faible puissance durable.

  • Multipurpose Low Voltage FET , Durable Low Power N Channel Mosfet
Lieu d'origine Guangdong, NC
Nom de marque REASUNOS
Prix Confirm price based on product
Détails d'emballage Emballages tubulaires à l'épreuve de la poussière, de l'eau et antistatiques, placés dans une boîte
Délai de livraison 2 à 30 jours (selon la quantité totale)
Conditions de paiement 100% T/T à l'avance
Capacité d'approvisionnement 5KK/mois

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Détails sur le produit
Résistance Le bas RDS (DESSUS) Application du procédé de tranchée Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen
Processus de structuration Tranchée/SGT Application de processus de SGT Conducteur de moteur, station de la base 5G, stockage de l'énergie, commutateur à haute fréquence, r
Avantages de processus de SGT Optimisation de la percée FOM, couvrant plus d'application. Nom du produit MOSFET basse tension
Capacité EAS Capacité EAS élevée Consommation d'électricité Perte de puissance faible
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FET à basse tension polyvalent

,

FET à basse tension de canal N

,

Mosfet à faible consommation N-canal durable
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Description de produit

FET basse tension avec processus SGT/Trench à la fois en série et en configuration parallèle couvrant plus d'applications

Description du produit:

LeMOSFET à basse tension(Low Voltage Field Effect Transistor) est un MOSFET de faible tension qui offre une efficacité élevée et des performances fiables.Il est conçu pour fournir une solution rentable pour un large éventail d'applications, y compris la recharge sans fil, la recharge rapide, le pilote moteur, le convertisseur CC/DC, l'interrupteur haute fréquence et la rectification synchrone.

LeMOSFET à basse tensionest fabriqué à l'aide d'un procédé de tranchée, qui offre une optimisation FOM innovante et couvre un plus grand nombre d'applications, telles que le pilote moteur, la station de base 5G, le stockage d'énergie, le commutateur haute fréquence,et rectification synchroneGrâce à ce procédé avancé, l'appareil est capable de fournir des performances et une fiabilité améliorées, tout en réduisant le coût de possession.

LeMOSFET à basse tensionest conçu pour fournir une solution rentable pour un large éventail d'applications, tout en offrant une efficacité élevée et des performances fiables.C'est un choix idéal pour les applications nécessitant une faible tension, haute efficacité et fiabilité.

 

Paramètres techniques:

Caractéristiques Le processus de la tranchée Procédure SGT
Les avantages Les RSP plus petits, à la fois en série et en parallèle, peuvent être librement combinés et utilisés. Optimisation FOM révolutionnaire, couvrant plus d'application.
Consommation d'électricité Faible perte de puissance Faible perte de puissance
Résistance Rds bas ((ON) Rds bas ((ON)
Nom du produit MOSFET à basse tension MOSFET à basse tension
Processus de la structure Une tranchée GTS
Efficacité Très efficace et fiable Très efficace et fiable
Application du projet Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur CC/DC, commutateur haute fréquence, rectification synchrone. Conducteur, station de base 5G, stockage d'énergie, commutateur haute fréquence, rectification synchrone.
Capacité du SEA Capacité EAS élevée Capacité EAS élevée
MOSFET à basse tension de seuil - Oui, oui. - Oui, oui.
MOSFET à basse tension - Oui, oui. - Oui, oui.
MOSFET à faible VGS - Oui, oui. - Oui, oui.
 

Applications:

Les MOSFET basse tension REASUNOS sont conçus pour une variété d'applications et de scénarios.Grâce à leur faible résistance Rds ((ON)Leur structure SGT fournit des performances de commutation supérieures, ce qui les rend idéales pour les applications à basse tension.

Les MOSFET basse tension REASUNOS sont disponibles dans des emballages tubulaires anti-poussière, imperméables à l'eau et antistatiques, placés dans une boîte en carton dans des cartons.selon la quantité totale. Notre prix est soumis au produit et peut être confirmé après consultation. Nous pouvons fournir jusqu'à 5KK / mois. Les conditions de paiement sont 100% T / T à l'avance (EXW).

 

Assistance et services:

Assistance technique et service des MOSFET basse tension

Nous offrons un large éventail d'options de support technique et de service pour nos produits MOSFET basse tension.Notre personnel expérimenté est disponible pour répondre à toutes vos questions et vous fournir des conseils techniques., aide au dépannage et informations générales sur le produit.

Nous offrons également une variété de ressources en ligne et d'outils de support, y compris la documentation du produit, les FAQ et les manuels d'utilisation.Nos outils de support en ligne fournissent aux utilisateurs des informations à jour sur nos produits MOSFET basse tension.

Pour les problèmes techniques plus complexes, notre équipe d'ingénieurs et de techniciens est disponible pour vous aider.ou chat en ligneNous pouvons également fournir des solutions personnalisées et des mises à jour logicielles.

 

Emballage et expédition

Emballage et expédition du MOSFET basse tension:

Le MOSFET basse tension est emballé dans une boîte en plastique ou en carton scellée, selon le type de produit.Les produits sont expédiés dans des boîtes en carton avec rembourrage en mousse pour assurer une livraison sûre et sécurisée.

Chaque produit est étiqueté et suivi pour s'assurer que les clients reçoivent le bon article.

 

FAQ:

Q1: Quel est le nom de marque du MOSFET basse tension?
R1: Les raisons.
Q2: D'où vient le MOSFET basse tension?
R2: Le MOSFET basse tension est du Guangdong, en Chine.
Q3: Quel est le prix du MOSFET basse tension?
R3: Le prix du MOSFET basse tension est confirmé en fonction du produit.
Q4: Comment le MOSFET basse tension est-il emballé?
A4: Le MOSFET basse tension est emballé dans un emballage tubulaire antipoussière, imperméable à l'eau et antistatique, placé dans une boîte en carton dans des cartons.
Q5: Quelle est la durée de livraison?
R5: Le délai de livraison est de 2 à 30 jours, selon la quantité totale.
Étiquettes:

N-canal Mosfet basse tension de seuil

Mosfet de canal P à faible puissance stable

MOSFET basse tension de la station de base