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Hochspannungs-MOSFET mit geringer Leckage Neue Lateralvariable Doping-Technologie
| Herkunftsort | Guangdong, KN |
|---|---|
| Markenname | REASUNOS |
| Preis | Confirm price based on product |
| Verpackung Informationen | Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons |
| Lieferzeit | 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge) |
| Zahlungsbedingungen | 100% T/T im Voraus (EXW) |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit | 5KK/Monat |
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xProduktdetails
| Nennspannung | Hochspannungs-/Ultrahochspannung | Anwendung MOSFET-Ultra-Hochspg | Intelligentes Meter, Kabinett-Stromversorgung, industrielles Schaltnetzteil, System der elektrischen |
|---|---|---|---|
| Produktbezeichnung | Hochspannungs-MOSFET | Eingebettete FRD Hochspg MOSFET-Anwendung | Bewegungs-Reihe, Inverter, Halbbrücke-/Vollbrückenschaltung Anwendungen, etc. |
| Hochspg Mosfet-Anwendung | LED-Fahrer, Adapter, industrielles Schaltnetzteil, Inverter usw. | Vorteile | Neue seitliche variable lackierende Technologie, spezielle Energie MOS Structure, ausgezeichnete Eig |
| Technologie | MOSFET | Leckage | Niedriges Durchsickern kann weniger als 1 µ A erreichen |
| Hervorheben | MOSFET mit geringer Leckage und hoher Spannung,Hochspannungs-MOSFET |
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| No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | Diode Trr(nS) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | RSF38N30F | N | 38 | 300 | 0.09 | 0.11 | TO-220F | 1000 | 80 | |
| 2 | RSF45N50W | N | 45 | 500 | 0.1 | 0.125 | TO-247 | 600 | 95 | |
| 3 | RSF5N50D | N | 5 | 500 | 1.5 | 1.85 | TO-252 | 2500 | 61 | |
| 4 | RSF7N50D | N | 7 | 500 | 1.1 | 1.5 | TO-252 | 2500 | 100 | |
| 5 | RSF3N60D | N | 3 | 600 | 2.8 | 3.4 | TO-252 | 2500 | 55 | |
| 6 | RSF4N60D | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | 60 | |
| 7 | RSF4N60F | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | 60 | |
| 8 | RS2N65D | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 9 | RS2N65F | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 10 | RS4N65D | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 11 | RS4N65MD | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 12 | RS4N65F | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 13 | RS5N65D | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 14 | RS5N65F | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 15 | RS6N65D | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 16 | RS6N60F | N | 6 | 600 | 1 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 17 | RS6N65F | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 18 | RS7N65D | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 19 | RS7N65MD | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 20 | RS7N65F | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 21 | RS8N60F | N | 8 | 600 | 0.75 | 0.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 22 | RS8N65F | N | 8 | 650 | 0.95 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 23 | RS10N65D | N | 10 | 650 | 0.93 | 1.05 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 24 | RS10N65F | N | 10 | 650 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 25 | RS10N60F | N | 10 | 600 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 26 | RS12N65F | N | 12 | 650 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 27 | RS12N60F | N | 12 | 600 | 0.5 | 0.62 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 28 | RS13N65F | N | 13 | 650 | 0.52 | 0.65 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 29 | RS16N65F | N | 16 | 650 | 0.45 | 0.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 30 | RS20N65F | N | 20 | 650 | 0.35 | 0.45 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 31 | RS5N50D | N | 5 | 500 | 1.25 | 1.45 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 32 | RS6N50D | N | 6 | 500 | 1.2 | 1.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 33 | RS9N50D | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 34 | RS9N50F | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 35 | RS10N50F | N | 10 | 500 | 0.66 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 36 | RS11N50F | N | 11 | 500 | 0.48 | 0.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 37 | RS13N50F | N | 13 | 500 | 0.39 | 0.46 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 38 | RS15N50F | N | 15 | 500 | 0.35 | 0.42 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 39 | RS18N50F | N | 18 | 500 | 0.28 | 0.34 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 40 | RS20N50F | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 41 | RS20N50W | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 42 | RS25N50F | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 43 | RS25N50W | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 44 | RS28N50W | N | 28 | 500 | 0.14 | 0.18 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 45 | RS30N50W | N | 30 | 500 | 0.085 | 0.12 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 46 | RS4N80F | N | 4 | 800 | 3.2 | 3.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 47 | RS8N80F | N | 8 | 800 | 1.35 | 1.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 48 | RS10N80F | N | 10 | 800 | 1 | 1.2 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 49 | RS3N90MD | N | 3 | 900 | 4 | 4.8 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 50 | RS4N90D | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 51 | RS4N90F | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 52 | RS6N90F | N | 6 | 900 | 1.7 | 2.05 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 53 | RS9N90F | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 54 | RS9N90PF | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-3PF | 300 | -- | |
| 55 | RS2N100D | N | 2 | 1000 | 6 | 7.2 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 56 | RSE3N100F | N | 3 | 1000 | 4.6 | 5.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 57 | RS6N100F | N | 6 | 1000 | 1.2 | 1.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 58 | RS2N120D | N | 2 | 1200 | 10.5 | 12.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 59 | RS3N120D | N | 3 | 1200 | 7.3 | 8.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 60 | RS6N120T | N | 6 | 1200 | 2.1 | 2.5 | TO-220 | 1000 | -- | |
| 61 | RS3N150F | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 62 | RS3N150PF | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-3PF | 300 | -- | |
| 63 | RS3N150W | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO247-3 | 600 | -- |
Produkt-Beschreibung
Beschreibung des Produkts:
Hochspannungs-MOS-Gate-Transistoren, allgemein als HV-MOSFETs bekannt, sind eine Art Halbleitergerät, das zum Schalten elektrischer Signale verwendet wird.Sie werden in einer Vielzahl von Anwendungen wie LED-Treiber weit verbreitet, Adapter, industrielle Schaltnetzteile, Wechselrichter, Motorserien und Halbbrücken- oder Vollbrücken-Schaltkreis-Anwendungen.,Außerdem bieten sie einen geringen Einschaltwiderstand, was sie ideal für Anwendungen macht, bei denen eine präzise Steuerung des Stromflusses erforderlich ist.
Technische Parameter:
| Parameter | Beschreibung |
|---|---|
| Technologie | MOSFET |
| Nennspannung | Hochspannung/Ultrahochspannung |
| Widerstand | Niedriger Einsatzwiderstand |
| Anwendung von Ultra-HV-MOSFET | Smart Meter, Kabinettstromversorgung, industrielle Schaltanlage, elektrische Stromversorgung usw. |
| Leckage | Niedrige Leckage kann weniger als 1 μ A erreichen |
| Vorteile | Neue Technologie für das doppende Abwechslungsmittel, spezielle MOS-Struktur, ausgezeichnete Eigenschaften bei hohen Temperaturen. |
| Produktbezeichnung | Hochspannungs-MOSFET |
| Typ | N |
| Anwendung von HV Mosfet | LED-Treiber, Adapter, industrielle Schaltanlage, Wechselrichter usw. |
| Wärmeabbau | Große Wärmeverteilung |
Anwendungen:
Hochspannungs-MOSFET
Ein Hochspannungs-MOSFET, auch bekannt als Hochspannungs-MOS-Gate-Transistor, ist eine Art von HV-MOSFET-Integrierter Schaltung oder -komponente, die von REASUNOS, einem Unternehmen mit Sitz in Guangdong, China, hergestellt wird.Der Preis hängt von der Bestellmenge ab.Die Lieferzeit beträgt 2 bis 30 Tage.und die Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus ((EXW)Die Versorgungskapazität beträgt 5 KK/Monat, und das Leck ist gering, weniger als 1 μA.
Das Hochspannungs-MOSFET wird hauptsächlich in intelligenten Zählern, Kabinettstromversorgung, industrieller Schaltstromversorgung, elektrischen Stromsystemen usw. verwendet.Es handelt sich um einen Typ von N-MOSFET mit hoher Spannung oder ultrahoher Spannung.
Unterstützung und Dienstleistungen:
Technische Unterstützung und Service von Hochspannungs-MOSFET
Wir bieten eine Reihe von umfassenden technischen Support- und Serviceoptionen für unsere Hochspannungs-MOSFET-Produkte.von dem Verständnis der Merkmale und Spezifikationen unserer Produkte, um Sie bei der Fehlerbehebung zu unterstützen.
Wir bieten technische Unterstützung über unser Online-Ticket-System, und unser sachkundiges Team ist telefonisch und per E-Mail erreichbar.einschließlich FAQs, Handbücher und Videos.
Wir bieten Reparatur- und Ersatzdienste für unsere Hochspannungs-MOSFET-Produkte an, und unser Team steht Ihnen bei allen Garantiefragen zur Verfügung.
Verpackung und Versand:
Verpackung und Versand von Hochspannungs-MOSFET
Hochspannungs-MOSFETs sollten in einer ESD (elektrostatische Entladung) -schützenden Verpackung aufbewahrt werden, in einen antistatischen Beutel und dann in einen statisch abgeschirmten Behälter gelegt werden.Der Behälter sollte mit dem entsprechenden ESD-Warnzeichen versehen sein.
Bei Versand von Hochspannungs-MOSFETs sollten sie in einen statisch-dissipativen Behälter verpackt und mit dem entsprechenden ESD-Warnzeichen gekennzeichnet werden.Der Behälter sollte auch mit antistatischem Band versiegelt werden, um sicherzustellen, dass die Komponenten vor statischen Ladungen geschützt sind.
Das Paket sollte außerdem klar mit Inhalt und Bestimmungsadresse versehen sein, sowie die entsprechenden Unterlagen wie Konnossement, Verpackungsbestätigung,und andere erforderliche Dokumente.
Häufige Fragen:
F1: Welcher Markenname trägt das Hochspannungs-MOSFET?
A1: Der Markenname von Hochspannungs-MOSFET ist REASUNOS.
F2: Wo liegt der Ursprungsort von Hochspannungs-MOSFET?
A2: Der Ursprungsort von Hochspannungs-MOSFET ist Guangdong, CN.
F3: Wie hoch ist der Preis für Hochspannungs-MOSFET?
A3: Der Preis für Hochspannungs-MOSFET ist Preis, der auf dem Produkt basiert.
F4: Was sind die Verpackungsdetails von Hochspannungs-MOSFET?
A4: Die Verpackungsdetails von Hochspannungs-MOSFET ist eine staubdichte, wasserdichte und antistatische Rohrverpackung, die in einem Karton in Kartons aufgestellt wird.
F5: Wie lange dauert die Lieferzeit von Hochspannungs-MOSFET?
A5: Die Lieferzeit von Hochspannungs-MOSFET beträgt 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge).
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