MOSFET Tegangan Tinggi dengan Kebocoran Rendah Teknologi Doping Variabel Lateral Baru
Tempat asal | Guangdong, CN |
---|---|
Nama merek | REASUNOS |
Harga | Confirm price based on product |
Kemasan rincian | Kemasan berbentuk tabung tahan debu, tahan air, dan antistatis, ditempatkan di dalam kotak karton da |
Waktu pengiriman | 2-30 hari (Tergantung Jumlah Total) |
Syarat-syarat pembayaran | 100% T/T di Muka (EXW) |
Menyediakan kemampuan | 5KK/bulan |

Hubungi saya untuk sampel dan kupon gratis.
Ada apa:0086 18588475571
Wechat wechat: 0086 18588475571
Skype: sales10@aixton.com
Jika Anda memiliki kekhawatiran, kami menyediakan bantuan online 24 jam.
xPeringkat tegangan | Tegangan Tinggi/Tegangan Sangat Tinggi | Aplikasi MOSFET Ultra-HV | Smart Meter, Catu Daya Kabinet, Catu Daya Pengalih Industri, Sistem Tenaga Listrik, dll. |
---|---|---|---|
Nama produk | MOSFET Tegangan Tinggi | Aplikasi MOSFET FRD HV Tertanam | Seri Motor, Inverter, Aplikasi Rangkaian Setengah Jembatan/Jembatan Penuh, Dll. |
Aplikasi MOSFET HV | Driver LED, Adaptor, Catu Daya Pengalih Industri, Inverter, dll | Keuntungan | Teknologi Doping Variabel Lateral Baru, Struktur MOS Daya Khusus, Karakteristik Luar Biasa Dalam Suh |
Teknologi | MOSFET | Kebocoran | Kebocoran Rendah Bisa Mencapai Kurang Dari 1 µ A |
Menyoroti | Low Leakage High Voltage MOSFET,MOSFET Tegangan Tinggi |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | Diode Trr(nS) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1 | RSF38N30F | N | 38 | 300 | 0.09 | 0.11 | TO-220F | 1000 | 80 | |
2 | RSF45N50W | N | 45 | 500 | 0.1 | 0.125 | TO-247 | 600 | 95 | |
3 | RSF5N50D | N | 5 | 500 | 1.5 | 1.85 | TO-252 | 2500 | 61 | |
4 | RSF7N50D | N | 7 | 500 | 1.1 | 1.5 | TO-252 | 2500 | 100 | |
5 | RSF3N60D | N | 3 | 600 | 2.8 | 3.4 | TO-252 | 2500 | 55 | |
6 | RSF4N60D | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | 60 | |
7 | RSF4N60F | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | 60 | |
8 | RS2N65D | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
9 | RS2N65F | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
10 | RS4N65D | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
11 | RS4N65MD | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
12 | RS4N65F | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
13 | RS5N65D | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-252 | 2500 | -- | |
14 | RS5N65F | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-220F | 1000 | -- | |
15 | RS6N65D | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-252 | 2500 | -- | |
16 | RS6N60F | N | 6 | 600 | 1 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
17 | RS6N65F | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
18 | RS7N65D | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
19 | RS7N65MD | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
20 | RS7N65F | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
21 | RS8N60F | N | 8 | 600 | 0.75 | 0.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
22 | RS8N65F | N | 8 | 650 | 0.95 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
23 | RS10N65D | N | 10 | 650 | 0.93 | 1.05 | TO-252 | 2500 | -- | |
24 | RS10N65F | N | 10 | 650 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
25 | RS10N60F | N | 10 | 600 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
26 | RS12N65F | N | 12 | 650 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
27 | RS12N60F | N | 12 | 600 | 0.5 | 0.62 | TO-220F | 1000 | -- | |
28 | RS13N65F | N | 13 | 650 | 0.52 | 0.65 | TO-220F | 1000 | -- | |
29 | RS16N65F | N | 16 | 650 | 0.45 | 0.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
30 | RS20N65F | N | 20 | 650 | 0.35 | 0.45 | TO-220F | 1000 | -- | |
31 | RS5N50D | N | 5 | 500 | 1.25 | 1.45 | TO-252 | 2500 | -- | |
32 | RS6N50D | N | 6 | 500 | 1.2 | 1.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
33 | RS9N50D | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-252 | 2500 | -- | |
34 | RS9N50F | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
35 | RS10N50F | N | 10 | 500 | 0.66 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
36 | RS11N50F | N | 11 | 500 | 0.48 | 0.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
37 | RS13N50F | N | 13 | 500 | 0.39 | 0.46 | TO-220F | 1000 | -- | |
38 | RS15N50F | N | 15 | 500 | 0.35 | 0.42 | TO-220F | 1000 | -- | |
39 | RS18N50F | N | 18 | 500 | 0.28 | 0.34 | TO-220F | 1000 | -- | |
40 | RS20N50F | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-220F | 1000 | -- | |
41 | RS20N50W | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-247-3 | 600 | -- | |
42 | RS25N50F | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-220F | 1000 | -- | |
43 | RS25N50W | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-247-3 | 600 | -- | |
44 | RS28N50W | N | 28 | 500 | 0.14 | 0.18 | TO-247-3 | 600 | -- | |
45 | RS30N50W | N | 30 | 500 | 0.085 | 0.12 | TO-247-3 | 600 | -- | |
46 | RS4N80F | N | 4 | 800 | 3.2 | 3.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
47 | RS8N80F | N | 8 | 800 | 1.35 | 1.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
48 | RS10N80F | N | 10 | 800 | 1 | 1.2 | TO-220F | 1000 | -- | |
49 | RS3N90MD | N | 3 | 900 | 4 | 4.8 | TO-251 | 4000 | -- | |
50 | RS4N90D | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
51 | RS4N90F | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
52 | RS6N90F | N | 6 | 900 | 1.7 | 2.05 | TO-220F | 1000 | -- | |
53 | RS9N90F | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
54 | RS9N90PF | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-3PF | 300 | -- | |
55 | RS2N100D | N | 2 | 1000 | 6 | 7.2 | TO-252 | 2500 | -- | |
56 | RSE3N100F | N | 3 | 1000 | 4.6 | 5.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
57 | RS6N100F | N | 6 | 1000 | 1.2 | 1.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
58 | RS2N120D | N | 2 | 1200 | 10.5 | 12.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
59 | RS3N120D | N | 3 | 1200 | 7.3 | 8.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
60 | RS6N120T | N | 6 | 1200 | 2.1 | 2.5 | TO-220 | 1000 | -- | |
61 | RS3N150F | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
62 | RS3N150PF | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-3PF | 300 | -- | |
63 | RS3N150W | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO247-3 | 600 | -- |
Deskripsi produk:
High Voltage MOS-Gate Transistor, biasa dikenal sebagai HV MOSFET, adalah jenis perangkat semikonduktor yang digunakan untuk beralih sinyal listrik.Mereka banyak digunakan dalam berbagai aplikasi seperti driver LED, adaptor, catu daya industri switching, inverter, seri motor, dan aplikasi setengah jembatan atau jembatan penuh sirkuit.,dan arus kebocoran rendah kurang dari 1 μA. Selain itu, mereka memberikan ketahanan rendah, menjadikannya ideal untuk aplikasi di mana kontrol yang tepat dari aliran arus diperlukan.
Parameter teknis:
Parameter | Deskripsi |
---|---|
Teknologi | MOSFET |
Nomor tegangan | Tegangan Tinggi/Tegangan Ultra Tinggi |
Resistensi | Rintangan rendah |
Aplikasi MOSFET Ultra-HV | Smart Meter, Cabinet Power Supply, Industrial Switching Power Supply, Sistem Tenaga Listrik, dll. |
Kebocoran | Kebocoran rendah dapat mencapai kurang dari 1 μ A |
Keuntungan | Teknologi doping variabel lateral baru, struktur MOS kekuatan khusus, karakteristik yang sangat baik dalam suhu tinggi. |
Nama produk | MOSFET Tegangan Tinggi |
Jenis | N |
HV Mosfet Aplikasi | LED Driver, Adaptor, Sumber Daya Industrial Switching, Inverter dll. |
Penyebaran Panas | Penyebaran Panas yang Besar |
Aplikasi:
MOSFET Tegangan Tinggi, juga dikenal sebagai High Voltage MOS-Gate Transistor, adalah jenis sirkuit terpadu atau komponen hv mosfet yang diproduksi oleh REASUNOS, sebuah perusahaan yang berbasis di Guangdong, Cina.Harga produk ini akan tergantung pada jumlah pesanan. Ini dikemas dalam kemasan tabung anti debu, anti air, dan anti statis, ditempatkan di dalam kotak kardus dalam karton.dan syarat pembayaran adalah 100% T / T di Advance ((EXW)Kemampuan pasokan adalah 5 KK/bulan, dan kebocoran rendah, mencapai kurang dari 1 μ A.
MOSFET Tegangan Tinggi terutama digunakan dalam meter pintar, catu daya kabinet, catu daya beralih industri, sistem tenaga listrik, dll.Ini adalah jenis N MOSFET dengan tegangan tinggi atau tegangan ultra-tinggi.
Dukungan dan Layanan:
Kami menawarkan berbagai dukungan teknis yang komprehensif dan pilihan layanan untuk produk MOSFET Tegangan Tinggi kami. tim ahli kami tersedia untuk membantu Anda dengan pertanyaan Anda,dari memahami fitur dan spesifikasi produk kami, untuk membantu Anda dalam pemecahan masalah mereka.
Kami menyediakan dukungan teknis melalui sistem tiket online kami, dan tim kami yang berpengetahuan dapat dihubungi melalui telepon dan email.termasuk FAQ, manual, dan video.
Kami menawarkan layanan perbaikan dan penggantian untuk produk MOSFET Tegangan Tinggi kami, dengan tim kami tersedia untuk membantu Anda dengan pertanyaan terkait garansi.
Kemasan dan Pengiriman:
MOSFET Tegangan Tinggi harus disimpan dalam kemasan pelindung ESD (pengeluaran elektrostatik).Kontainer harus diberi label dengan simbol peringatan ESD yang sesuai.
Saat mengirim MOSFET Tegangan Tinggi, mereka harus dikemas dalam wadah yang dissipatif statis dan diberi label dengan simbol peringatan ESD yang sesuai.Kontainer juga harus disegel dengan pita anti-statis untuk memastikan komponen dilindungi dari muatan statis.
Paket juga harus diberi label yang jelas dengan isi dan alamat tujuan.dan dokumen lain yang diperlukan.
FAQ:
A1: Nama merek MOSFET Tegangan Tinggi adalah REASUNOS.
A2: Tempat Asal MOSFET Tegangan Tinggi adalah Guangdong, CN.
A3: Harga MOSFET Tegangan Tinggi adalah Harga konfirmasi berdasarkan produk.
A4: Rincian Kemasan MOSFET Tegangan Tinggi adalah kemasan tabung tahan debu, tahan air, dan anti-statis, ditempatkan di dalam kotak karton dalam karton.
A5: Waktu pengiriman MOSFET tegangan tinggi adalah 2-30 hari (Tergantung pada jumlah total).