कम रिसाव वाली उच्च वोल्टेज एमओएसएफईटी नई पार्श्व चर डोपिंग तकनीक
उत्पत्ति के प्लेस | गुआंग्डोंग, सीएन |
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ब्रांड नाम | REASUNOS |
मूल्य | Confirm price based on product |
पैकेजिंग विवरण | डस्टप्रूफ, वॉटरप्रूफ और एंटी-स्टैटिक ट्यूबलर पैकेजिंग, डिब्बों में कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर रखी गई ह |
प्रसव के समय | 2-30 दिन (कुल मात्रा पर निर्भर करता है) |
भुगतान शर्तें | अग्रिम में 100% टी/टी (EXW) |
आपूर्ति की क्षमता | 5KK/माह |

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xवेल्टेज रेटिंग | उच्च वोल्टेज/अल्ट्रा-उच्च वोल्टेज | अल्ट्रा-एचवी एमओएसएफईटी अनुप्रयोग | स्मार्ट मीटर, कैबिनेट बिजली आपूर्ति, औद्योगिक स्विचिंग बिजली आपूर्ति, विद्युत ऊर्जा प्रणाली, आदि। |
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उत्पाद का नाम | उच्च वोल्टेज MOSFET | एंबेडेड एफआरडी एचवी एमओएसएफईटी एप्लीकेशन | मोटर सीरीज, इन्वर्टर, हाफ ब्रिज/फुल ब्रिज सर्किट अनुप्रयोग, आदि। |
एचवी मॉसफेट एप्लीकेशन | एलईडी ड्राइवर, एडेप्टर, औद्योगिक स्विचिंग बिजली आपूर्ति, इनवर्टर आदि | लाभ | नई लेटरल वेरिएबल डोपिंग तकनीक, विशेष पावर एमओएस संरचना, उच्च तापमान में उत्कृष्ट विशेषताएं। |
तकनीकी | MOSFET | रिसाव के | कम रिसाव 1 μA से कम तक पहुंच सकता है |
प्रमुखता देना | कम रिसाव उच्च वोल्टेज MOSFET,उच्च वोल्टेज MOSFET |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | Diode Trr(nS) | |
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1 | RSF38N30F | N | 38 | 300 | 0.09 | 0.11 | TO-220F | 1000 | 80 | |
2 | RSF45N50W | N | 45 | 500 | 0.1 | 0.125 | TO-247 | 600 | 95 | |
3 | RSF5N50D | N | 5 | 500 | 1.5 | 1.85 | TO-252 | 2500 | 61 | |
4 | RSF7N50D | N | 7 | 500 | 1.1 | 1.5 | TO-252 | 2500 | 100 | |
5 | RSF3N60D | N | 3 | 600 | 2.8 | 3.4 | TO-252 | 2500 | 55 | |
6 | RSF4N60D | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | 60 | |
7 | RSF4N60F | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | 60 | |
8 | RS2N65D | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
9 | RS2N65F | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
10 | RS4N65D | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
11 | RS4N65MD | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
12 | RS4N65F | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
13 | RS5N65D | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-252 | 2500 | -- | |
14 | RS5N65F | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-220F | 1000 | -- | |
15 | RS6N65D | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-252 | 2500 | -- | |
16 | RS6N60F | N | 6 | 600 | 1 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
17 | RS6N65F | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
18 | RS7N65D | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
19 | RS7N65MD | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
20 | RS7N65F | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
21 | RS8N60F | N | 8 | 600 | 0.75 | 0.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
22 | RS8N65F | N | 8 | 650 | 0.95 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
23 | RS10N65D | N | 10 | 650 | 0.93 | 1.05 | TO-252 | 2500 | -- | |
24 | RS10N65F | N | 10 | 650 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
25 | RS10N60F | N | 10 | 600 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
26 | RS12N65F | N | 12 | 650 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
27 | RS12N60F | N | 12 | 600 | 0.5 | 0.62 | TO-220F | 1000 | -- | |
28 | RS13N65F | N | 13 | 650 | 0.52 | 0.65 | TO-220F | 1000 | -- | |
29 | RS16N65F | N | 16 | 650 | 0.45 | 0.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
30 | RS20N65F | N | 20 | 650 | 0.35 | 0.45 | TO-220F | 1000 | -- | |
31 | RS5N50D | N | 5 | 500 | 1.25 | 1.45 | TO-252 | 2500 | -- | |
32 | RS6N50D | N | 6 | 500 | 1.2 | 1.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
33 | RS9N50D | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-252 | 2500 | -- | |
34 | RS9N50F | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
35 | RS10N50F | N | 10 | 500 | 0.66 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
36 | RS11N50F | N | 11 | 500 | 0.48 | 0.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
37 | RS13N50F | N | 13 | 500 | 0.39 | 0.46 | TO-220F | 1000 | -- | |
38 | RS15N50F | N | 15 | 500 | 0.35 | 0.42 | TO-220F | 1000 | -- | |
39 | RS18N50F | N | 18 | 500 | 0.28 | 0.34 | TO-220F | 1000 | -- | |
40 | RS20N50F | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-220F | 1000 | -- | |
41 | RS20N50W | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-247-3 | 600 | -- | |
42 | RS25N50F | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-220F | 1000 | -- | |
43 | RS25N50W | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-247-3 | 600 | -- | |
44 | RS28N50W | N | 28 | 500 | 0.14 | 0.18 | TO-247-3 | 600 | -- | |
45 | RS30N50W | N | 30 | 500 | 0.085 | 0.12 | TO-247-3 | 600 | -- | |
46 | RS4N80F | N | 4 | 800 | 3.2 | 3.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
47 | RS8N80F | N | 8 | 800 | 1.35 | 1.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
48 | RS10N80F | N | 10 | 800 | 1 | 1.2 | TO-220F | 1000 | -- | |
49 | RS3N90MD | N | 3 | 900 | 4 | 4.8 | TO-251 | 4000 | -- | |
50 | RS4N90D | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
51 | RS4N90F | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
52 | RS6N90F | N | 6 | 900 | 1.7 | 2.05 | TO-220F | 1000 | -- | |
53 | RS9N90F | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
54 | RS9N90PF | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-3PF | 300 | -- | |
55 | RS2N100D | N | 2 | 1000 | 6 | 7.2 | TO-252 | 2500 | -- | |
56 | RSE3N100F | N | 3 | 1000 | 4.6 | 5.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
57 | RS6N100F | N | 6 | 1000 | 1.2 | 1.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
58 | RS2N120D | N | 2 | 1200 | 10.5 | 12.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
59 | RS3N120D | N | 3 | 1200 | 7.3 | 8.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
60 | RS6N120T | N | 6 | 1200 | 2.1 | 2.5 | TO-220 | 1000 | -- | |
61 | RS3N150F | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
62 | RS3N150PF | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-3PF | 300 | -- | |
63 | RS3N150W | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO247-3 | 600 | -- |
उत्पाद का वर्णन:
उच्च वोल्टेज एमओएस-गेट ट्रांजिस्टर, जिन्हें आमतौर पर एचवी एमओएसएफईटी के रूप में जाना जाता है, एक प्रकार का अर्धचालक उपकरण है जिसका उपयोग विद्युत संकेतों को स्विच करने के लिए किया जाता है।वे व्यापक रूप से एलईडी ड्राइवरों जैसे विभिन्न अनुप्रयोगों में उपयोग किए जाते हैंएचवी एमओएसएफईटी उच्च वोल्टेज और अल्ट्रा-उच्च वोल्टेज के वोल्टेज रेटिंग प्रदान करते हैं,इसके अलावा, वे कम प्रतिरोध प्रदान करते हैं, जिससे वे उन अनुप्रयोगों के लिए आदर्श होते हैं जहां वर्तमान प्रवाह के सटीक नियंत्रण की आवश्यकता होती है।
तकनीकी मापदंडः
पैरामीटर | विवरण |
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प्रौद्योगिकी | एमओएसएफईटी |
वोल्टेज रेटिंग | उच्च वोल्टेज/अति उच्च वोल्टेज |
प्रतिरोध | कम प्रतिरोध |
अल्ट्रा-एचवी एमओएसएफईटी अनुप्रयोग | स्मार्ट मीटर, कैबिनेट पावर सप्लाई, इंडस्ट्रियल स्विचिंग पावर सप्लाई, इलेक्ट्रिकल पावर सिस्टम आदि। |
रिसाव | कम रिसाव 1 माइक्रोन ए से कम तक पहुंच सकता है |
लाभ | नई पार्श्व परिवर्तनीय डोपिंग तकनीक, विशेष शक्ति एमओएस संरचना, उच्च तापमान में उत्कृष्ट विशेषताएं। |
उत्पाद का नाम | उच्च वोल्टेज MOSFET |
प्रकार | एन |
एचवी मोस्फेट आवेदन | एलईडी ड्राइवर, एडाप्टर, औद्योगिक स्विचिंग पावर सप्लाई, इन्वर्टर आदि। |
ताप विसर्जन | बड़ी गर्मी विसर्जन |
अनुप्रयोग:
हाई वोल्टेज एमओएसएफईटी, जिसे हाई वोल्टेज एमओएस-गेट ट्रांजिस्टर के रूप में भी जाना जाता है, एक प्रकार का एचवी मोस्फेट एकीकृत सर्किट या घटक है जिसे गुआंग्डोंग, चीन में स्थित एक कंपनी रेसूनोस द्वारा निर्मित किया जाता है।इस उत्पाद की कीमत आदेशित मात्रा पर निर्भर करेगी. यह धूल, जल, और विरोधी स्थैतिक ट्यूबलर पैकेजिंग में पैक किया जाता है, एक कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर रखा जाता है। डिलीवरी का समय 2-30 दिन है,और भुगतान की शर्तें 100% टी/टी अग्रिम हैं ((EXW)आपूर्ति क्षमता 5KK/माह है और रिसाव कम है, जो 1 μA से कम तक पहुंचता है।
उच्च वोल्टेज एमओएसएफईटी का उपयोग मुख्य रूप से स्मार्ट मीटर, कैबिनेट बिजली आपूर्ति, औद्योगिक स्विचिंग बिजली आपूर्ति, विद्युत ऊर्जा प्रणालियों आदि में किया जाता है।यह उच्च वोल्टेज या अति उच्च वोल्टेज रेटिंग के साथ एक प्रकार का एन MOSFET है.
सहायता एवं सेवाएं:
हम अपने उच्च वोल्टेज MOSFET उत्पादों के लिए व्यापक तकनीकी सहायता और सेवा विकल्पों की एक श्रृंखला प्रदान करते हैं। हमारी विशेषज्ञ टीम आपके किसी भी प्रश्न के साथ मदद करने के लिए उपलब्ध है,हमारे उत्पादों की विशेषताओं और विनिर्देशों को समझने से, आपको समस्या निवारण में सहायता करने के लिए।
हम अपने ऑनलाइन टिकट प्रणाली के माध्यम से तकनीकी सहायता प्रदान करते हैं, और हमारी जानकार टीम फोन और ईमेल द्वारा संपर्क किया जा सकता है।सामान्य प्रश्न सहित, मैनुअल और वीडियो।
हम अपने उच्च वोल्टेज MOSFET उत्पादों के लिए मरम्मत और प्रतिस्थापन सेवाएं प्रदान करते हैं, और हमारी टीम आपको किसी भी वारंटी से संबंधित पूछताछ में मदद करने के लिए उपलब्ध है।
पैकिंग और शिपिंगः
उच्च वोल्टेज MOSFET को ईएसडी (इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज) सुरक्षात्मक पैकेजिंग में संग्रहीत किया जाना चाहिए। उन्हें एक एंटीस्टेटिक बैग में रखा जाना चाहिए, और फिर एक स्थिर-पर्दाबंद कंटेनर में रखा जाना चाहिए।कंटेनर पर उचित ईएसडी चेतावनी प्रतीक लगा होना चाहिए.
उच्च वोल्टेज MOSFET को शिप करते समय, उन्हें एक स्थिर-विसारक कंटेनर में पैक किया जाना चाहिए और उपयुक्त ईएसडी चेतावनी प्रतीक के साथ लेबल किया जाना चाहिए।कंटेनर को भी एंटी-स्टैटिक टेप से सील किया जाना चाहिए ताकि यह सुनिश्चित हो सके कि घटक स्थैतिक भार से सुरक्षित हैं.
पैकेज पर सामग्री और गंतव्य पता स्पष्ट रूप से चिह्नित किया जाना चाहिए। इसके साथ ही उचित दस्तावेज जैसे कि लदान, पैकिंग स्लिप,और अन्य आवश्यक दस्तावेज.
अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न:
A1: उच्च वोल्टेज MOSFET का ब्रांड नाम REASUNOS है।
A2: उच्च वोल्टेज MOSFET का मूल स्थान गुआंग्डोंग, CN है।
A3: उच्च वोल्टेज MOSFET की कीमत है उत्पाद के आधार पर मूल्य की पुष्टि करें।
A4: High Voltage MOSFET का पैकेजिंग विवरण धूलरोधी, जलरोधी और एंटी-स्टेटिक ट्यूबलर पैकेजिंग है, जिसे एक कार्डबोर्ड बॉक्स में कार्टन में रखा गया है।
A5: उच्च वोल्टेज MOSFET का वितरण समय 2-30 दिन है (कुल मात्रा पर निर्भर करता है) ।