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低流出率の高電圧MOSFET 新しい横向変数ドーピング技術

  • High Voltage MOSFET with Low Leakage New Lateral Variable Doping Technology
起源の場所 広東省、CN
ブランド名 REASUNOS
価格 Confirm price based on product
パッケージの詳細 防塵,防水,防静的管状の包装,紙箱の中に詰め込まれる
受渡し時間 2~30日 (総量によって異なります)
支払条件 100%T/T 前払い (EXW)
供給の能力 5KK/月

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商品の詳細
電圧評価 高圧/超高度の電圧 超HV MOSFETの塗布 スマートなメートル、キャビネットの電源、産業転換の電源、電力システム、等。
製品名 高圧MOSFET 埋め込まれたFRD HV MOSFETの塗布 モーター シリーズ、インバーター、半分橋/完全なブリッジ・サーキットの塗布、等。
HV Mosfetの塗布 LEDの運転者、アダプター、産業転換の電源、インバーター等 利点 新しい側面可変的な添加の技術、特別な力MOSの構造、高温の優秀な特徴。
テクノロジー MOSFET 漏れ 低い漏出は1つ以下のµ Aに達することができる
ハイライト

低漏れ高電圧MOSFET

,

高圧MOSFET
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
メッセージ
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
製品の説明

製品説明:

高電圧MOSゲートトランジスタ (High Voltage MOS-Gate Transistors,HV MOSFETs) は,電気信号の切り替えに使用される半導体装置の一種である.LEDドライバなどの様々なアプリケーションで広く使用されていますHV MOSFET は高電圧と超高電圧の電圧評価を提供します.,さらに,電源抵抗が低いため,電流の精密な制御が必要なアプリケーションに最適です.

 

技術パラメータ:

パラメータ 記述
テクノロジー MOSFET
定位電圧 高電圧/超高電圧
抵抗力 低オン抵抗
ウルトラHV MOSFET 適用 スマートメーター,キャビネット電源,産業用スイッチング電源,電気電力システムなど
漏れ 低漏れは1μA未満に達する
利点 新しい横変形ドーピング技術 特殊パワーMOS構造 高温での優れた特性
製品名 高電圧MOSFET
タイプ N
HV モスフェット 適用 LEDドライバー,アダプター,産業用スイッチング電源,インバーターなど
熱散 熱 の 散らばる 大量
 

応用:

高電圧MOSFET

高電圧MOSFET (High Voltage MOS-Gate Transistor) とは,中国広東に本社を置くREASUNOS社が製造するHV モスフェット集成回路または部品の一種である.この製品の価格は,注文量に依存します.. 防塵,防水,抗静的管状のパッケージで梱包され,紙箱に詰め込まれています. 配送時間は2~30日です.支払条件は100%T/T アドバンス (EXW)供給能力は5KK/月で,漏れは1μA未満で低い.

高電圧MOSFETは主にスマートメーター,キャビネット電源,産業用スイッチ電源,電気電力システムなどで使用されます.高電圧または超高電圧を指定する N MOSFET の種類です.

サポートとサービス

高電圧MOSFETの技術サポートとサービス

高電圧MOSFET製品のための包括的な技術サポートとサービスオプションの範囲を提供しています. 私たちの専門家チームは,あなたの質問であなたを助けるために利用できます.商品の特徴や仕様を理解する障害を解決するために

オンラインチケットシステムを通じて技術的なサポートを提供し, 専門知識の豊富なチームには電話やメールで連絡することができます. また,ウェブサイトで役立つリソースも用意しています.FAQ を含むマニュアルやビデオです

高圧MOSFET製品の修理と交換サービスを提供します. 保証に関する質問でご協力いただけるチームです.

 

梱包と輸送:

高電圧MOSFETの梱包と出荷

高電圧MOSFETは,ESD (静電放電) の保護包装に保管し,静電放出防止袋に入れて,静電遮蔽容器に入れます.容器には,適切なESD警告記号を貼る必要があります..

高電圧MOSFETを輸送する際には,静的分散容器に詰め,適切なESD警告シンボルでラベルを付けなければならない.容器はまた,部品が静的電荷から保護されていることを保証するために,反静的テープで密閉する必要があります.

パッケージには,内容と宛先を明示したラベルが付けられ,また, konosament,包装証,その他必要な書類.

 

FAQ:

Q1: 高電圧MOSFETのブランド名は何ですか?

A1: 高電圧MOSFETのブランド名は REASUNOSです

Q2: 高電圧MOSFETの原産地はどこにあるのか?

A2: 高電圧MOSFETの原産地は CNの広東です.

Q3: 高電圧MOSFETの価格は?

A3: 高電圧MOSFETの価格は 製品に基づいて価格を確認します.

Q4: 高電圧MOSFETのパッケージの詳細は?

A4: 高電圧MOSFETのパッケージ 詳細は,防塵,防水,反静的管状のパッケージで,紙箱の中に箱に入れます.

Q5: 高電圧MOSFETの配送時間はどのくらいですか?

A5: 高電圧MOSFETの配達時間は2~30日 (総量によって異なります).

札:

安定した高電圧電源モスフェット

耐熱 高電圧 シック モスフェット

工業用超高電圧トランジスタ