Все продукты
Высоковольтный MOSFET с низкой утечкой Новая технология латерального переменного допинга
| Место происхождения | Гуандун, CN |
|---|---|
| Фирменное наименование | REASUNOS |
| Цена | Confirm price based on product |
| Упаковывая детали | Прочная, водонепроницаемая и антистатическая трубчатая упаковка, помещенная в картонную коробку в ка |
| Время доставки | 2-30 дней (зависит от общего количества) |
| Условия оплаты | 100% T/T заранее ((EXW) |
| Поставка способности | 5кк/месяц |
Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.
WhatsApp:0086 18588475571
Вичат: 0086 18588475571
Скайп: sales10@aixton.com
Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.
xПодробная информация о продукте
| Оценка напряжения тока | Высоковольтное/ультравысокое напряжение тока | Применение MOSFET Ультра-HV | Умный метр, электропитание шкафа, промышленное переключая электропитание, система электропитания, Et |
|---|---|---|---|
| Наименование продукта | Высоковольтный MOSFET | Врезанное применение MOSFET HV FRD | Серия мотора, инвертор, половинный мост/полные применения мостиковой схемы, Etc. |
| Применение Mosfet HV | Водитель СИД, переходники, промышленное переключая электропитание, инверторы Etc | Преимущества | Новая боковая переменная давая допинг технология, особенная структура MOS силы, превосходные характе |
| Технологии | MOSFET | Утечка | Низкая утечка может достигнуть меньше чем 1 µ a |
| Выделить | Низкая утечка высокого напряжения MOSFET,Высоковольтный MOSFET |
||
Вы можете отметить нужные вам продукты и связаться с нами на доске объявлений.
| No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | Diode Trr(nS) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | RSF38N30F | N | 38 | 300 | 0.09 | 0.11 | TO-220F | 1000 | 80 | |
| 2 | RSF45N50W | N | 45 | 500 | 0.1 | 0.125 | TO-247 | 600 | 95 | |
| 3 | RSF5N50D | N | 5 | 500 | 1.5 | 1.85 | TO-252 | 2500 | 61 | |
| 4 | RSF7N50D | N | 7 | 500 | 1.1 | 1.5 | TO-252 | 2500 | 100 | |
| 5 | RSF3N60D | N | 3 | 600 | 2.8 | 3.4 | TO-252 | 2500 | 55 | |
| 6 | RSF4N60D | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | 60 | |
| 7 | RSF4N60F | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | 60 | |
| 8 | RS2N65D | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 9 | RS2N65F | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 10 | RS4N65D | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 11 | RS4N65MD | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 12 | RS4N65F | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 13 | RS5N65D | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 14 | RS5N65F | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 15 | RS6N65D | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 16 | RS6N60F | N | 6 | 600 | 1 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 17 | RS6N65F | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 18 | RS7N65D | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 19 | RS7N65MD | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 20 | RS7N65F | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 21 | RS8N60F | N | 8 | 600 | 0.75 | 0.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 22 | RS8N65F | N | 8 | 650 | 0.95 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 23 | RS10N65D | N | 10 | 650 | 0.93 | 1.05 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 24 | RS10N65F | N | 10 | 650 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 25 | RS10N60F | N | 10 | 600 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 26 | RS12N65F | N | 12 | 650 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 27 | RS12N60F | N | 12 | 600 | 0.5 | 0.62 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 28 | RS13N65F | N | 13 | 650 | 0.52 | 0.65 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 29 | RS16N65F | N | 16 | 650 | 0.45 | 0.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 30 | RS20N65F | N | 20 | 650 | 0.35 | 0.45 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 31 | RS5N50D | N | 5 | 500 | 1.25 | 1.45 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 32 | RS6N50D | N | 6 | 500 | 1.2 | 1.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 33 | RS9N50D | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 34 | RS9N50F | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 35 | RS10N50F | N | 10 | 500 | 0.66 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 36 | RS11N50F | N | 11 | 500 | 0.48 | 0.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 37 | RS13N50F | N | 13 | 500 | 0.39 | 0.46 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 38 | RS15N50F | N | 15 | 500 | 0.35 | 0.42 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 39 | RS18N50F | N | 18 | 500 | 0.28 | 0.34 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 40 | RS20N50F | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 41 | RS20N50W | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 42 | RS25N50F | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 43 | RS25N50W | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 44 | RS28N50W | N | 28 | 500 | 0.14 | 0.18 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 45 | RS30N50W | N | 30 | 500 | 0.085 | 0.12 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 46 | RS4N80F | N | 4 | 800 | 3.2 | 3.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 47 | RS8N80F | N | 8 | 800 | 1.35 | 1.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 48 | RS10N80F | N | 10 | 800 | 1 | 1.2 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 49 | RS3N90MD | N | 3 | 900 | 4 | 4.8 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 50 | RS4N90D | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 51 | RS4N90F | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 52 | RS6N90F | N | 6 | 900 | 1.7 | 2.05 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 53 | RS9N90F | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 54 | RS9N90PF | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-3PF | 300 | -- | |
| 55 | RS2N100D | N | 2 | 1000 | 6 | 7.2 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 56 | RSE3N100F | N | 3 | 1000 | 4.6 | 5.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 57 | RS6N100F | N | 6 | 1000 | 1.2 | 1.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 58 | RS2N120D | N | 2 | 1200 | 10.5 | 12.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 59 | RS3N120D | N | 3 | 1200 | 7.3 | 8.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 60 | RS6N120T | N | 6 | 1200 | 2.1 | 2.5 | TO-220 | 1000 | -- | |
| 61 | RS3N150F | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 62 | RS3N150PF | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-3PF | 300 | -- | |
| 63 | RS3N150W | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO247-3 | 600 | -- |
Характер продукции
Описание продукта:
Транзисторы высокого напряжения MOS-Gate, обычно известные как HV MOSFET, представляют собой тип полупроводникового устройства, используемого для переключения электрических сигналов.Они широко используются в различных приложениях, таких как светодиодные приводы, адаптеры, промышленные коммутационные источники питания, инверторы, серии двигателей и приложения для полумостовых или полных мостовых цепей.,Кроме того, они обеспечивают низкое сопротивление, что делает их идеальными для приложений, где требуется точное управление потоком.
Технические параметры:
| Параметр | Описание |
|---|---|
| Технологии | MOSFET |
| Направление напряжения | Высокое напряжение/Ультравысокое напряжение |
| Сопротивление | Низкое сопротивление |
| Применение ультра-ВВ MOSFET | Умный счетчик, электроснабжение кабинета, промышленное переключающее электроснабжение, система электроэнергии и т.д. |
| Утечка | Низкая утечка может достигать менее 1 мкА |
| Преимущества | Новая технология латерального переменного допинга, специальная структура MOS с мощностью, отличные характеристики при высоких температурах. |
| Наименование продукта | MOSFET высокого напряжения |
| Тип | N |
| Применение HV Mosfet | Диодный драйвер, адаптеры, промышленные переключатели питания, инверторы и т.д. |
| Рассеивание тепла | Большое рассеивание тепла |
Применение:
MOSFET высокого напряжения
Высоковольтный MOSFET, также известный как высоковольтный MOS-Gate Transistor, является типом интегральной схемы или компонента hv mosfet, производимого компанией REASUNOS, расположенной в Гуандун, Китай.Цена этого продукта будет зависеть от количества заказанногоОн упакован в пылестойкую, водонепроницаемую и антистатическую трубчатую упаковку, помещенную в картонную коробку в картонные коробки.и условия оплаты 100% T/T вперед ((EXW)Способность к подаче составляет 5 Кк/месяц, а утечка низкая, достигая менее 1 мкА.
Высоковольтный MOSFET в основном используется в умных счетчиках, электроснабжении кабинетов, промышленном коммутаторе, системах электроэнергии и т. Д.Это тип N MOSFET с высоким напряжением или сверхвысоким напряжением.
Поддержка и услуги:
Техническая поддержка и обслуживание высоковольтных MOSFET
Мы предлагаем широкий спектр технической поддержки и сервисных возможностей для наших высоковольтных MOSFET продуктов.от понимания особенностей и спецификаций наших продуктов, чтобы помочь вам в их устранении.
Мы предоставляем техническую поддержку через нашу систему онлайн-билетов, и наша опытная команда может быть достигнута по телефону и электронной почте.включая часто задаваемые вопросы, руководства и видео.
Мы предлагаем услуги по ремонту и замене наших высоковольтных MOSFET-продуктов, и наша команда готова помочь вам с любыми вопросами, связанными с гарантией.
Упаковка и перевозка:
Упаковка и транспортировка высоковольтного MOSFET
Высоковольтные MOSFET должны храниться в защитной упаковке ESD (электростатический разряд).Контейнер должен быть маркирован соответствующим предупреждающим символом ESD.
При транспортировке высоковольтных MOSFET они должны быть упакованы в статично-диссипативную емкость и помечены соответствующим предупреждающим символом ESD.Контейнер также должен быть запечатан антистатической лентой для обеспечения защиты компонентов от статических зарядов.
Кроме того, на упаковке должны быть четко указаны содержимое и адрес назначения, а также соответствующая документация, такая как коносамент, упаковочная карточка,и другие необходимые документы.
Часто задаваемые вопросы
Вопрос 1: Каково торговое название высоковольтного MOSFET?
Ответ 1: Торговая марка высоковольтного MOSFET - REASUNOS.
Вопрос 2: Где находится место происхождения высоковольтного MOSFET?
A2: Место происхождения высоковольтного MOSFET - Гуандун, Китай.
Вопрос 3: Какова цена высоковольтного MOSFET?
A3: Цена высоковольтного MOSFET подтверждается на основе цены продукта.
Вопрос 4: Каковы детали упаковки высоковольтного MOSFET?
A4: Подробности упаковки MOSFET высокого напряжения - это пылестойкая, водонепроницаемая и антистатическая трубчатая упаковка, помещенная в картонную коробку в картонные коробки.
Q5: Каково время доставки высоковольтного MOSFET?
A5: Время доставки высоковольтного MOSFET составляет 2-30 дней (зависит от общего количества).
Порекомендованные продукты
