MOSFET عالية الجهد مع تسرب منخفض تكنولوجيا الدوبينج المتغيرة الجانبية الجديدة
مكان المنشأ | قوانغدونغ ، CN |
---|---|
اسم العلامة التجارية | REASUNOS |
الأسعار | Confirm price based on product |
تفاصيل التغليف | عبوات أنبوبية مقاومة للغبار والماء ومضادة للكهرباء الساكنة، موضوعة داخل صندوق من الورق المقوى في علب |
وقت التسليم | 2-30 يومًا (يعتمد على الكمية الإجمالية) |
شروط الدفع | 100% T/T مقدمًا (EXW) |
القدرة على العرض | 5 مليون/شهر |

اتصل بي للحصول على عينات مجانية وكوبونات.
ال WhatsApp:0086 18588475571
wechat: 0086 18588475571
سكايب: sales10@aixton.com
إذا كان لديك أي قلق ، فنحن نقدم مساعدة عبر الإنترنت على مدار 24 ساعة.
xالقوة الكهربائية | الجهد العالي/الجهد العالي للغاية | تطبيق MOSFET فائق الجهد | العداد الذكي، مصدر طاقة الخزانة، مصدر طاقة التحويل الصناعي، نظام الطاقة الكهربائية، إلخ. |
---|---|---|---|
اسم المنتج | موسفيت الجهد العالي | جزءا لا يتجزأ من تطبيق FRD HV MOSFET | سلسلة المحركات، العاكس، تطبيقات دائرة نصف الجسر/الجسر الكامل، إلخ. |
تطبيق HV Mosfet | سائق LED، محولات، تحويل التيار الكهربائي الصناعي، العاكسون الخ | مزايا | تقنية المنشطات الجانبية المتغيرة الجديدة، وهيكل MOS ذو القدرة الخاصة، وخصائص ممتازة في درجات الحرارة |
تكنولوجيا | موسفيت | تسرب | يمكن أن يصل التسرب المنخفض إلى أقل من 1 ميكرو أمبير |
إبراز | MOSFET ذو التسرب المنخفض والجهد العالي,موسفيت الجهد العالي,High Voltage MOSFET |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | Diode Trr(nS) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1 | RSF38N30F | N | 38 | 300 | 0.09 | 0.11 | TO-220F | 1000 | 80 | |
2 | RSF45N50W | N | 45 | 500 | 0.1 | 0.125 | TO-247 | 600 | 95 | |
3 | RSF5N50D | N | 5 | 500 | 1.5 | 1.85 | TO-252 | 2500 | 61 | |
4 | RSF7N50D | N | 7 | 500 | 1.1 | 1.5 | TO-252 | 2500 | 100 | |
5 | RSF3N60D | N | 3 | 600 | 2.8 | 3.4 | TO-252 | 2500 | 55 | |
6 | RSF4N60D | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | 60 | |
7 | RSF4N60F | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | 60 | |
8 | RS2N65D | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
9 | RS2N65F | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
10 | RS4N65D | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
11 | RS4N65MD | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
12 | RS4N65F | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
13 | RS5N65D | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-252 | 2500 | -- | |
14 | RS5N65F | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-220F | 1000 | -- | |
15 | RS6N65D | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-252 | 2500 | -- | |
16 | RS6N60F | N | 6 | 600 | 1 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
17 | RS6N65F | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
18 | RS7N65D | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
19 | RS7N65MD | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
20 | RS7N65F | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
21 | RS8N60F | N | 8 | 600 | 0.75 | 0.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
22 | RS8N65F | N | 8 | 650 | 0.95 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
23 | RS10N65D | N | 10 | 650 | 0.93 | 1.05 | TO-252 | 2500 | -- | |
24 | RS10N65F | N | 10 | 650 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
25 | RS10N60F | N | 10 | 600 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
26 | RS12N65F | N | 12 | 650 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
27 | RS12N60F | N | 12 | 600 | 0.5 | 0.62 | TO-220F | 1000 | -- | |
28 | RS13N65F | N | 13 | 650 | 0.52 | 0.65 | TO-220F | 1000 | -- | |
29 | RS16N65F | N | 16 | 650 | 0.45 | 0.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
30 | RS20N65F | N | 20 | 650 | 0.35 | 0.45 | TO-220F | 1000 | -- | |
31 | RS5N50D | N | 5 | 500 | 1.25 | 1.45 | TO-252 | 2500 | -- | |
32 | RS6N50D | N | 6 | 500 | 1.2 | 1.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
33 | RS9N50D | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-252 | 2500 | -- | |
34 | RS9N50F | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
35 | RS10N50F | N | 10 | 500 | 0.66 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
36 | RS11N50F | N | 11 | 500 | 0.48 | 0.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
37 | RS13N50F | N | 13 | 500 | 0.39 | 0.46 | TO-220F | 1000 | -- | |
38 | RS15N50F | N | 15 | 500 | 0.35 | 0.42 | TO-220F | 1000 | -- | |
39 | RS18N50F | N | 18 | 500 | 0.28 | 0.34 | TO-220F | 1000 | -- | |
40 | RS20N50F | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-220F | 1000 | -- | |
41 | RS20N50W | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-247-3 | 600 | -- | |
42 | RS25N50F | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-220F | 1000 | -- | |
43 | RS25N50W | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-247-3 | 600 | -- | |
44 | RS28N50W | N | 28 | 500 | 0.14 | 0.18 | TO-247-3 | 600 | -- | |
45 | RS30N50W | N | 30 | 500 | 0.085 | 0.12 | TO-247-3 | 600 | -- | |
46 | RS4N80F | N | 4 | 800 | 3.2 | 3.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
47 | RS8N80F | N | 8 | 800 | 1.35 | 1.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
48 | RS10N80F | N | 10 | 800 | 1 | 1.2 | TO-220F | 1000 | -- | |
49 | RS3N90MD | N | 3 | 900 | 4 | 4.8 | TO-251 | 4000 | -- | |
50 | RS4N90D | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
51 | RS4N90F | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
52 | RS6N90F | N | 6 | 900 | 1.7 | 2.05 | TO-220F | 1000 | -- | |
53 | RS9N90F | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
54 | RS9N90PF | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-3PF | 300 | -- | |
55 | RS2N100D | N | 2 | 1000 | 6 | 7.2 | TO-252 | 2500 | -- | |
56 | RSE3N100F | N | 3 | 1000 | 4.6 | 5.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
57 | RS6N100F | N | 6 | 1000 | 1.2 | 1.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
58 | RS2N120D | N | 2 | 1200 | 10.5 | 12.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
59 | RS3N120D | N | 3 | 1200 | 7.3 | 8.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
60 | RS6N120T | N | 6 | 1200 | 2.1 | 2.5 | TO-220 | 1000 | -- | |
61 | RS3N150F | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
62 | RS3N150PF | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-3PF | 300 | -- | |
63 | RS3N150W | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO247-3 | 600 | -- |
وصف المنتج:
ترانزستورات MOS-Gate عالية الجهد ، المعروفة باسم HV MOSFETs ، هي نوع من أجهزة أشباه الموصلات المستخدمة لتبديل الإشارات الكهربائية.يتم استخدامها على نطاق واسع في مجموعة متنوعة من التطبيقات مثل محركات LED، المحولات ، مصادر الطاقة التبديلية الصناعية ، المحولات ، سلسلة المحركات ، وتطبيقات الدوائر نصف الجسر أو الجسر الكامل. تقدم MOSFETs تقييم الجهد من الجهد العالي والجهد العالي للغاية,وتوجهات تسرب منخفضة أقل من 1 ميكرو أمبير. علاوة على ذلك ، فإنها توفر مقاومة منخفضة ، مما يجعلها مثالية للتطبيقات التي تتطلب التحكم الدقيق في تدفق التيار.
المعلمات التقنية:
المعلم | الوصف |
---|---|
التكنولوجيا | MOSFET |
تصنيف الجهد | الجهد العالي / الجهد العالي للغاية |
المقاومة | المقاومة المنخفضة |
تطبيق MOSFET فوق الصوتي | العدادات الذكية ، إمدادات الطاقة للخزانة ، إمدادات الطاقة الصناعية ، نظام الطاقة الكهربائية ، الخ. |
تسرب | تسرب منخفض يمكن أن يصل إلى أقل من 1 ميكرو أيه |
المزايا | تكنولوجيا الدوبينج المتغيرة الجانبية الجديدة، هيكل MOS خاص القوة، خصائص ممتازة في درجات الحرارة العالية. |
اسم المنتج | MOSFET عالية الجهد |
النوع | ن |
تطبيق HV Mosfet | محركات LED، محولات، مصدر طاقة التبديل الصناعي، المحولات الخ. |
تبديد الحرارة | تبديد الحرارة الكبير |
التطبيقات:
MOSFET عالية الجهد ، المعروف أيضًا باسم High Voltage MOS-Gate Transistor ، هو نوع من الدوائر المتكاملة أو المكونات الموجودة في hv mosfet المصنعة من قبل REASUNOS ، وهي شركة مقرها في قوانغدونغ ، الصين.سعر هذا المنتج يعتمد على الكمية المطلوبةيتم تعبئتها في عبوات أنبوبية مضادة للغبار والماء ومضادة للستاتيكية، وضعت داخل صندوق من الورق المقوى في الكرتون.و شروط الدفع هي 100% T / T مقدما ((EXW)القدرة على الإمداد هي 5KK / الشهر، وتسرب منخفض، يصل إلى أقل من 1 μ A.
يتم استخدام MOSFET عالي الجهد بشكل رئيسي في العدادات الذكية ، وإمدادات الطاقة في الخزانات ، وإمدادات الطاقة التبديلية الصناعية ، وأنظمة الطاقة الكهربائية ، إلخ.إنه نوع من N MOSFET مع تقييم الجهد العالي أو الجهد العالي للغاية.
الدعم والخدمات:
نحن نقدم مجموعة واسعة من الدعم الفني الشامل وخيارات الخدمة لمنتجاتنا MOSFET الجهد العالي. فريق الخبراء لدينا متاح لمساعدتك في أي من أسئلتك،من فهم الميزات والمواصفات لمنتجاتنالمساعدتك في حل المشاكل.
نحن نقدم الدعم التقني من خلال نظام التذاكر عبر الإنترنت، ويمكن الوصول إلى فريقنا المعرفة عن طريق الهاتف والبريد الإلكتروني. لدينا أيضا مجموعة من الموارد المفيدة المتاحة على موقعنا على الانترنت،بما في ذلك الأسئلة الشائعة، الدلائل، والفيديوهات.
نحن نقدم خدمات إصلاح واستبدال لمنتجات MOSFET عالية الجهد، مع فريقنا المتاح لمساعدتك في أي استفسارات تتعلق بالضمان.
التعبئة والشحن:
يجب تخزين MOSFETs عالية الجهد في عبوات واقية من ESD (الافراج الكهربائي) يجب وضعها في كيس مضاد للثبات ، ثم وضعه في حاوية محمية بشكل ثابت.يجب وضع علامة تحذير ESD المناسبة على الحاوية.
عند شحن MOSFETs عالية الجهد ، يجب تعبئتها في حاوية تشتت ثابتة وتسميتها برمز تحذير ESD المناسب.يجب أيضاً أن تغلق الحاوية بشريط مضاد للستاتيك لضمان حماية المكونات من الشحنات الثابتة.
يجب أن تكون العبوة ملصقة بوضوح بمحتوياتها وعنوان الوجهة. ومن المهم أيضا أن تضم الوثائق المناسبة مثل شهادة الشحن، ورقة التعبئة،والوثائق الأخرى المطلوبة.
الأسئلة الشائعة:
ج1: اسم العلامة التجارية لـ MOSFET عالي الجهد هو REASUNOS.
A2: مكان المنشأ من MOSFET الجهد العالي هو غوانغدونغ، CN.
A3: سعر MOSFET الجهد العالي هو تأكيد السعر على أساس المنتج.
A4: تفاصيل التعبئة والتغليف من MOSFET الجهد العالي هو الغبار المقاومة للماء، ومكافحة التثبيت التعبئة والتغليف الأنبوبية، وضعت داخل صندوق من الورق المقوى في الكرتون.
ج5: وقت التسليم من MOSFET الجهد العالي هو 2-30 يوما (يعتمد على الكمية الإجمالية).