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낮은 누출량으로 고전압 MOSFET 새로운 측면 변수 도핑 기술

  • High Voltage MOSFET with Low Leakage New Lateral Variable Doping Technology
원래 장소 광동, CN
브랜드 이름 REASUNOS
가격 Confirm price based on product
포장 세부 사항 방진, 방수, 정전기 방지 관형 포장으로 판지 상자 안에 포장되어 있습니다.
배달 시간 2-30일 (총 수량에 따라 다름)
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공급 능력 5KK/월

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제품 상세 정보
전압 정격 고전압/초고압 Ultra-HV MOSFET 애플리케이션 스마트 미터, 캐비닛 전원 공급 장치, 산업용 스위칭 전원 공급 장치, 전력 시스템 등
제품 이름 고전압 MOSFET 임베디드 FRD HV MOSFET 애플리케이션 모터 시리즈, 인버터, 하프 브리지/풀 브리지 회로 애플리케이션 등
HV MOSFET 애플리케이션 LED 드라이버, 어댑터, 산업용 스위칭 전원 공급 장치, 인버터 등 장점 새로운 측면 가변 도핑 기술, 특수 Power MOS 구조, 고온 특성이 우수합니다.
기술 MOSFET 누출 낮은 누설은 1 µ A 미만에 도달할 수 있습니다.
강조하다

낮은 누출 고전압 MOSFET

,

고전압 MOSFET
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
제품 설명

제품 설명:

고전압 MOS-게이트 트랜지스터 (High Voltage MOS-Gate Transistors) 는 일반적으로 HV MOSFET로 알려진 전기 신호를 전환하는 데 사용되는 반도체 장치의 일종이다.그들은 LED 드라이버와 같은 다양한 응용 프로그램에서 널리 사용됩니다., 어댑터, 산업용 스위치 전원 공급 장치, 인버터, 모터 시리즈 및 반 브릿지 또는 풀 브릿지 회로 응용 프로그램. HV MOSFET는 고전압 및 초고전압의 전압 등급을 제공합니다.,그리고 1μA 이하의 낮은 누출 전류. 게다가, 그들은 낮은 전원 저항을 제공하여 전류 흐름의 정확한 제어가 필요한 응용 프로그램에 이상적입니다.

 

기술 매개 변수:

매개 변수 설명
기술 MOSFET
전압 등급 고전압/극대고전압
저항력 낮은 전원 저항
초고압 MOSFET 적용 스마트 미터, 캐비닛 전원 공급, 산업 스위칭 전력 공급, 전기 전력 시스템, 등
누출 낮은 누출은 1μA 이하로 도달 할 수 있습니다.
장점 새로운 변동성 도핑 기술, 특수 전력 MOS 구조, 높은 온도에서 우수한 특성.
제품 이름 고전압 MOSFET
종류 N
HV 모스페트 적용 LED 드라이버, 어댑터, 산업용 스위치 전원 공급 장치, 인버터 등
열 분산 큰 열 분산
 

응용 프로그램:

고전압 MOSFET

고전압 MOSFET, 고전압 MOS-Gate 트랜지스터로도 알려져 있으며, 중국 광둥에 본사를 둔 REASUNOS가 제조하는 hv mosfet 통합 회로 또는 부품의 일종입니다.이 제품의 가격은 주문량에 따라 달라집니다.. 먼지, 방수, 반 정적 튜버 포장에 포장되어 있으며, 카튼 상자 안에 포장되어 있습니다. 배송 시간은 2~30일입니다.그리고 지불 조건은 100% T/T Advance (EXW)공급 능력은 5KK/월이며 누출량은 1μA 미만으로 낮습니다.

고전압 MOSFET는 주로 스마트 미터, 캐비닛 전원 공급 장치, 산업 스위치 전원 공급 장치, 전기 전력 시스템 등에 사용됩니다.그것은 고전압 또는 초고전압 등급의 N MOSFET의 일종입니다..

지원 및 서비스:

고전압 MOSFET 기술 지원 및 서비스

우리는 우리의 고전압 MOSFET 제품에 대한 포괄적인 기술 지원 및 서비스 옵션을 제공합니다. 우리의 전문가 팀은 귀하의 질문에 대한 도움으로 사용할 수 있습니다.우리의 제품의 특징과 사양을 이해하는 것문제 해결에 도움이 됩니다.

우리는 우리의 온라인 티켓 시스템을 통해 기술 지원을 제공하고, 우리의 지식있는 팀은 전화 및 이메일로 연락 할 수 있습니다. 우리는 또한 우리의 웹 사이트에서 사용할 수 있는 유용한 자원의 범위가 있습니다,FAQ 를 포함 합니다, 설명서, 비디오.

우리는 고전압 MOSFET 제품에 대한 수리 및 교체 서비스를 제공합니다. 우리의 팀은 보증 관련 문의에 도움을 줄 수 있습니다.

 

포장 및 운송:

고전압 MOSFET 의 포장 및 운송

고전압 MOSFET는 ESD (전도 정전화 방출) 보호 패키지 안에 보관되어야 합니다. 그들은 정적 방전 용지 안에 배치되어야 합니다. 그리고 정적으로 보호된 용기에 배치되어야 합니다.용기에는 적절한 ESD 경고 기호가 표시되어야 합니다..

고전압 MOSFET를 운송할 때 정적 분산 용기에 포장하고 적절한 ESD 경고 기호로 표시해야 합니다.컨테이너는 또한 구성 요소가 정적 전하로부터 보호되도록 정적 방지 테이프로 밀폐되어야 합니다..

패키지는 또한 내용과 목적지 주소를 명확하게 표시해야합니다. 또한 화폐표, 포장용 서류,그리고 다른 필요한 문서.

 

FAQ:

Q1: 고전압 MOSFET의 브랜드 이름은 무엇입니까?

A1: 고전압 MOSFET의 브랜드 이름은 REASUNOS입니다.

Q2: 고전압 MOSFET의 원산지는 어디입니까?

A2: 고전압 MOSFET의 원산지는 CN 광둥입니다.

Q3: 고전압 MOSFET의 가격은 무엇입니까?

A3: 고전압 MOSFET의 가격은 제품에 따라 확인됩니다.

Q4: 고전압 MOSFET의 포장 세부 사항은 무엇입니까?

A4: 고전압 MOSFET의 포장 세부 사항은 튼튼하고 방수적이며 반 정적 인 튜브형 포장지이며, 카튼 상자 안에 배치됩니다.

Q5: 고전압 MOSFET의 배달 시간은 무엇입니까?

A5: 고전압 MOSFET의 배송 시간은 2-30일입니다 (총량에 따라 다릅니다).

꼬리표:

안정적인 고전압 전원 모스페트

고전압 시크 모스페트

산업용 초고전압 트랜지스터