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実用的な高電圧トランジスタ,多目的Nチャンネル電源モスフェット

  • Practical High Voltage Transistor , Multipurpose N Channel Power Mosfet
起源の場所 広東省、CN
ブランド名 REASUNOS
価格 Confirm price based on product
パッケージの詳細 防塵,防水,防静的管状の包装,紙箱の中に詰め込まれる
受渡し時間 2~30日 (総量によって異なります)
支払条件 100%T/T 前払い (EXW)
供給の能力 5KK/月

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商品の詳細
抵抗 低いオン抵抗 電圧評価 高圧/超高度の電圧
熱放散 大きい熱放散 埋め込まれたFRD HV MOSFETの塗布 モーター シリーズ、インバーター、半分橋/完全なブリッジ・サーキットの塗布、等。
利点 新しい側面可変的な添加の技術、特別な力MOSの構造、高温の優秀な特徴。 漏れ 低い漏出は1つ以下のµ Aに達することができる
テクノロジー MOSFET 製品名 高圧MOSFET
ハイライト

実用的な高電圧トランジスタ

,

Nチャネル高電圧トランジスタ

,

多目的Nチャネル電源モスフェット
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
メッセージ
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
製品の説明

超高電圧 N MOSFET

製品説明:

高電圧MOSFETは,FRDHVMOSFETアプリケーションを持つ超高電圧電源MOSFETの一種である.それは1μA未満に達する高温と低リークで優れた特性を提供するために,新しい横向変数ドーピング技術と特別なパワーMOS構造を使用自動車シリーズ,インバーター,半ブリッジ/フルブリッジ回路アプリケーション,LEDドライバ,アダプター,産業スイッチング電源,インバーターこのタイプのMOSFETはN型であり,高電圧アプリケーションに最適なソリューションを提供します.

 

技術パラメータ:

パラメータ 仕様
漏れ 低漏れは1μA未満に達する
熱散 熱 の 散らばる 大量
利点 新しい横変形ドーピング技術 特殊パワーMOS構造 高温での優れた特性
ウルトラHV MOSFET 適用 スマートメーター,キャビネット電源,産業用スイッチング電源,電気電力システムなど
製品名 高電圧MOSFET
HV MOSFETの適用 LEDドライバ,アダプター,産業用スイッチング電源,インバーターなど
組み込み FRD HV MOSFET アプリケーション モーターシリーズ,インバーター,ハーフブリッジ/フルブリッジ回路のアプリケーションなど
定位電圧 高電圧/超高電圧
タイプ N
テクノロジー MOSFET
 

応用:

REASUNOS 高電圧モスフェットは,特に高電圧および超高電圧アプリケーションのために設計された電源モスフェットトランジスタの一種である.新しい横変形ドーピング技術と特殊なパワーMOS構造を備えています高温で優れた性能があり,低漏れ,低電阻,高電圧/超高電圧性能を提供します.太陽光インバーターなどのアプリケーションに最適です,モータードライブ,UPSシステム,そして自動車電源電子機器.

REASUNOS 高電圧モスフェットは,競争力のある価格で,中国広東から購入できます. それは,防塵,防水,反静的管状のパッケージで梱包されています.最大限の安全のために,紙箱の中に入れる配送時間は通常,注文された総量に応じて2-30日間です. 支払条件は100%T/T事前 (EXW) です. 会社は月5KKの供給能力を持っています.

 

サポートとサービス

高電圧MOSFET製品は,以下の機能でサポートされ,保守されます.

  • データシートと製品仕様
  • 申請書
  • 設計とシミュレーションツール
  • 技術支援
  • 製品サンプル
  • 製品研修
  • フィールドアプリケーションエンジニアリングサポート
  • 保証と修理サービス
 

梱包と輸送:

高電圧 MOSFET の 梱包 と 輸送

高電圧MOSFET製品は,次のガイドラインに従って梱包および出荷する必要があります.

 

  • 高電圧MOSFET製品は,ESD保護袋に梱包する必要があります.
  • 袋には,製品情報と送料の住所が明瞭に記載されている必要があります.
  • すべての高電圧MOSFET製品は静的分散型輸送コンテナで出荷する必要があります.
  • 容器には,製品情報,出荷住所,および適切な警告が記載されなければなりません.
  • 輸送前にコンテナはしっかりと密封して固定する必要があります.
  • 高電圧MOSFET製品は,顧客の指示に従って出荷する必要があります.

 

 

FAQ:

Q: ブランド名は何ですか?
A: ブランド名は REASUNOS.
Q: 高電圧MOSFETの原産地は?
A: 原産地は中国領広東です.
Q: 値段は?
A: 価格は製品によって確認する必要があります.
Q: 高電圧MOSFETのパッケージは?
A: 高電圧MOSFETは 防塵・防水・防静的管状のパッケージで カートン箱に入れます
Q: 配達時間は?
A: 配達時間は2~30日です. 総量によって異なります.
札:

安定した高電圧電源モスフェット

耐熱 高電圧 シック モスフェット

工業用超高電圧トランジスタ