실용적인 고전압 트랜지스터, 다목적 N 채널 전원 모스페트

원래 장소 광동, CN
브랜드 이름 REASUNOS
가격 Confirm price based on product
포장 세부 사항 방진, 방수, 정전기 방지 관형 포장으로 판지 상자 안에 포장되어 있습니다.
배달 시간 2-30일 (총 수량에 따라 다름)
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공급 능력 5KK/월

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제품 상세 정보
저항 낮은 온 저항 전압 정격 고전압/초고압
방열 뛰어난 열 방출 임베디드 FRD HV MOSFET 애플리케이션 모터 시리즈, 인버터, 하프 브리지/풀 브리지 회로 애플리케이션 등
장점 새로운 측면 가변 도핑 기술, 특수 Power MOS 구조, 고온 특성이 우수합니다. 누출 낮은 누설은 1 µ A 미만에 도달할 수 있습니다.
기술 MOSFET 제품 이름 고전압 MOSFET
강조하다

실용적 인 고전압 트랜지스터

,

N 채널 고전압 트랜지스터

,

다목적 N 채널 전원 모스페트

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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
제품 설명

큰 열분해와 함께 초고압 N MOSFET

제품 설명:

고전압 MOSFET는 FRD HV MOSFET 응용 프로그램을 가진 초고전압 전력 MOSFET의 일종이다.그것은 새로운 측면 변수 도핑 기술과 특별한 전력 MOS 구조를 활용하여 1μA 이하에 도달 할 수있는 높은 온도와 낮은 누출에서 우수한 특성을 제공합니다.그것은 모터 시리즈, 인버터, 반 브릿지 / 풀 브릿지 회로 애플리케이션, LED 드라이버, 어댑터, 산업 스위칭 전원 공급,인버터이 유형의 MOSFET는 N 타입이며, 고전압 애플리케이션에 최적의 솔루션을 제공합니다.

 

기술 매개 변수:

매개 변수 사양
누출 낮은 누출은 1μA 이하로 도달 할 수 있습니다.
열 분산 큰 열 분산
장점 새로운 변동성 도핑 기술, 특수 전력 MOS 구조, 높은 온도에서 우수한 특성.
초고압 MOSFET 적용 스마트 미터, 캐비닛 전원 공급, 산업 스위칭 전력 공급, 전기 전력 시스템, 등
제품 이름 고전압 MOSFET
HV MOSFET 적용 LED 드라이버, 어댑터, 산업용 스위치 전원 공급 장치, 인버터 등
임베디드 FRD HV MOSFET 애플리케이션 모터 시리즈, 인버터, 하프 브리지 / 풀 브리지 회로 응용 프로그램, 등
전압 등급 고전압/극대고전압
종류 N
기술 MOSFET
 

응용 프로그램:

REASUNOS 고전압 모스페트는 전력 모스페트 트랜지스터의 일종으로, 특히 고전압 및 초고전압 애플리케이션을 위해 설계되었습니다.새로운 변변성 후측 도핑 기술과 특수 전력 MOS 구조를 갖추고 있습니다, 그것은 고온에서 우수한 특성을 가지고 있으며 낮은 누출, 낮은 전압 저항 및 고전압 / 초고전압 성능을 제공합니다.태양광 인버터와 같은 응용 프로그램에 이상적입니다., 모터 드라이브, UPS 시스템, 자동차 전력 전자.

REASUNOS 고전압 모스페트는 중국 광둥에서 경쟁력 있는 가격에 구입할 수 있습니다. 그것은 먼지, 방수, 그리고 반 정적 튜버 포장에 포장됩니다.최대 안전성을 위해 카드 박스 안에 박스 안에 배치. 배달 시간은 일반적으로 2-30 일 사이입니다, 전체 주문량에 따라. 지불 조건은 100% T / T 사전 (EXW). 회사는 5KK / 월의 공급 능력을 가지고 있습니다.

 

지원 및 서비스:

고전압 MOSFET 제품은 다음과 같은 기능으로 지원되고 유지보수됩니다.

  • 데이터 시트 및 제품 사양
  • 신청서
  • 설계 및 시뮬레이션 도구
  • 기술 지원
  • 제품 샘플
  • 제품 교육
  • 현장 응용 엔지니어링 지원
  • 보증 및 수리 서비스
 

포장 및 운송:

고전압 MOSFET 의 포장 및 운송

고전압 MOSFET 제품은 다음과 같은 지침을 사용하여 포장 및 배송되어야합니다.

 

  • 고전압 MOSFET 제품은 ESD 보호 된 가방에 포장해야합니다.
  • 가방에는 제품 정보와 배송 주소가 명확하게 표시되어야 합니다.
  • 모든 고전압 MOSFET 제품은 정적 분산 운송 컨테이너에 운송되어야 합니다.
  • 컨테이너에는 제품 정보, 배송 주소 및 적절한 경고가 표시되어야 합니다.
  • 컨테이너는 운송 전에 잘 밀폐되고 안전해야합니다.
  • 고전압 MOSFET 제품은 고객의 지침에 따라 배송되어야 합니다.

 

 

FAQ:

Q: 브랜드 이름은 무엇입니까?
A: 브랜드 이름은 REASUNOS입니다.
Q: 고전압 MOSFET는 어디에서 생산되는가?
A: 원산지는 CN 광둥입니다.
질문: 가격은 얼마인가요?
A: 상품에 따라 가격을 확인해야 합니다.
Q: 고전압 MOSFET을 어떻게 포장합니까?
A: 우리는 고전압 MOSFET를 먼지, 물, 반 정적 튜버로 포장하고,
Q: 배송시간은 얼마인가요?
A: 배달 시간은 전체 양에 따라 2-30일입니다.