व्यावहारिक उच्च वोल्टेज ट्रांजिस्टर, बहुउद्देश्यीय एन चैनल पावर मोस्फेट

उत्पत्ति के प्लेस गुआंग्डोंग, सीएन
ब्रांड नाम REASUNOS
मूल्य Confirm price based on product
पैकेजिंग विवरण डस्टप्रूफ, वॉटरप्रूफ और एंटी-स्टैटिक ट्यूबलर पैकेजिंग, डिब्बों में कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर रखी गई ह
प्रसव के समय 2-30 दिन (कुल मात्रा पर निर्भर करता है)
भुगतान शर्तें अग्रिम में 100% टी/टी (EXW)
आपूर्ति की क्षमता 5KK/माह

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उत्पाद विवरण
प्रतिरोध कम प्रतिरोध वेल्टेज रेटिंग उच्च वोल्टेज/अल्ट्रा-उच्च वोल्टेज
ताप लोपन महान ताप अपव्यय एंबेडेड एफआरडी एचवी एमओएसएफईटी एप्लीकेशन मोटर सीरीज, इन्वर्टर, हाफ ब्रिज/फुल ब्रिज सर्किट अनुप्रयोग, आदि।
लाभ नई लेटरल वेरिएबल डोपिंग तकनीक, विशेष पावर एमओएस संरचना, उच्च तापमान में उत्कृष्ट विशेषताएं। रिसाव के कम रिसाव 1 μA से कम तक पहुंच सकता है
तकनीकी MOSFET उत्पाद का नाम उच्च वोल्टेज MOSFET
प्रमुखता देना

व्यावहारिक उच्च वोल्टेज ट्रांजिस्टर

,

एन चैनल हाई वोल्टेज ट्रांजिस्टर

,

बहुउद्देश्यीय एन चैनल पावर मोस्फेट

आप अपनी ज़रूरत के उत्पादों को टिक कर सकते हैं और हमारे साथ संदेश बोर्ड में संचार कर सकते हैं।
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
उत्पाद विवरण

अति-उच्च वोल्टेज N MOSFET महान गर्मी विसर्जन के साथ

उत्पाद का वर्णन:

उच्च वोल्टेज MOSFET एक प्रकार का अति उच्च वोल्टेज पावर MOSFET है जिसमें FRD HV MOSFET अनुप्रयोग है।यह एक नई पार्श्व चर डोपिंग प्रौद्योगिकी और एक विशेष शक्ति एमओएस संरचना का उपयोग उच्च तापमान और कम रिसाव में उत्कृष्ट विशेषताएं प्रदान करने के लिए करता है जो 1μA से कम तक पहुंच सकता है. यह विभिन्न उच्च वोल्टेज फीट अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त है जैसे मोटर श्रृंखला, इन्वर्टर, हाफ ब्रिज/फुल ब्रिज सर्किट अनुप्रयोग, एलईडी ड्राइवर, एडाप्टर, औद्योगिक स्विचिंग पावर सप्लाई,इन्वर्टर, आदि। यह प्रकार का एमओएसएफईटी एन प्रकार का है, जो उच्च वोल्टेज अनुप्रयोगों के लिए एक इष्टतम समाधान प्रदान करता है।

 

तकनीकी मापदंडः

पैरामीटर विनिर्देश
रिसाव कम रिसाव 1 माइक्रोन ए से कम तक पहुंच सकता है
ताप विसर्जन बड़ी गर्मी विसर्जन
लाभ नई पार्श्व परिवर्तनीय डोपिंग तकनीक, विशेष शक्ति एमओएस संरचना, उच्च तापमान में उत्कृष्ट विशेषताएं।
अल्ट्रा-एचवी एमओएसएफईटी अनुप्रयोग स्मार्ट मीटर, कैबिनेट पावर सप्लाई, इंडस्ट्रियल स्विचिंग पावर सप्लाई, इलेक्ट्रिकल पावर सिस्टम आदि।
उत्पाद का नाम उच्च वोल्टेज MOSFET
एचवी एमओएसएफईटी अनुप्रयोग एलईडी ड्राइवर, एडाप्टर, औद्योगिक स्विचिंग पावर सप्लाई, इन्वर्टर, आदि
एम्बेडेड FRD HV MOSFET अनुप्रयोग मोटर श्रृंखला, इन्वर्टर, हाफ ब्रिज/फुल ब्रिज सर्किट एप्लिकेशन, आदि।
वोल्टेज रेटिंग उच्च वोल्टेज/अति उच्च वोल्टेज
प्रकार एन
प्रौद्योगिकी एमओएसएफईटी
 

अनुप्रयोग:

REASUNOS हाई वोल्टेज मोस्फेट एक प्रकार का पावर मोस्फेट ट्रांजिस्टर है, जिसे विशेष रूप से उच्च वोल्टेज और अल्ट्रा-उच्च वोल्टेज अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है।एक नई पार्श्व परिवर्तनीय डोपिंग प्रौद्योगिकी और एक विशेष शक्ति एमओएस संरचना की विशेषता, उच्च तापमान में उत्कृष्ट विशेषताएं हैं और कम रिसाव, कम प्रतिरोध और उच्च वोल्टेज/अति उच्च वोल्टेज प्रदर्शन प्रदान करता है।यह सौर इन्वर्टर जैसे अनुप्रयोगों के लिए आदर्श है, मोटर ड्राइव, यूपीएस सिस्टम और ऑटोमोबाइल पावर इलेक्ट्रॉनिक्स।

REASUNOS हाई वोल्टेज मोस्फेट को गुआंग्डोंग, चीन से प्रतिस्पर्धी मूल्य पर खरीदा जा सकता है। यह धूल-रोधी, जलरोधी और विरोधी स्थैतिक ट्यूबलर पैकेजिंग में पैक किया जाता है,अधिकतम सुरक्षा के लिए एक कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर रखा गया. डिलीवरी का समय आम तौर पर 2-30 दिनों के बीच होता है, जो आदेशित कुल मात्रा के आधार पर होता है। भुगतान की शर्तें 100% टी/टी अग्रिम (एक्सडब्ल्यू) होती हैं। कंपनी की आपूर्ति क्षमता 5KK/माह है।

 

सहायता एवं सेवाएं:

उच्च वोल्टेज MOSFET उत्पादों को निम्नलिखित सुविधाओं के साथ समर्थित और सेवा दी जाती है:

  • डाटाशीट और उत्पाद विनिर्देश
  • आवेदन नोट्स
  • डिजाइन और सिमुलेशन उपकरण
  • तकनीकी सहायता
  • उत्पाद के नमूने
  • उत्पाद प्रशिक्षण
  • फील्ड एप्लिकेशन इंजीनियरिंग सहायता
  • वारंटी और मरम्मत सेवाएं
 

पैकिंग और शिपिंगः

उच्च वोल्टेज MOSFET के लिए पैकेजिंग और शिपिंग

उच्च वोल्टेज MOSFET उत्पादों को निम्नलिखित दिशानिर्देशों का उपयोग करके पैक और शिप किया जाना चाहिएः

 

  • उच्च वोल्टेज MOSFET उत्पादों को एक ESD संरक्षित बैग में पैक किया जाना चाहिए।
  • बैग पर उत्पाद की जानकारी और शिपिंग पता स्पष्ट रूप से लिखा होना चाहिए।
  • सभी उच्च वोल्टेज MOSFET उत्पादों को एक स्थिर-विसारक शिपिंग कंटेनर में भेजा जाना चाहिए।
  • कंटेनर पर उत्पाद की जानकारी, शिपिंग पता और कोई भी उचित चेतावनी दी जानी चाहिए।
  • शिपमेंट से पहले कंटेनर को अच्छी तरह से सील और सुरक्षित किया जाना चाहिए।
  • उच्च वोल्टेज MOSFET उत्पादों को ग्राहक के निर्देशों के अनुसार शिप किया जाना चाहिए।

 

 

अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न:

प्रश्न: ब्रांड नाम क्या है?
उत्तर: ब्रांड नाम REASUNOS है।
प्रश्न: उच्च वोल्टेज एमओएसएफईटी का मूल स्थान कहाँ है?
उत्तरः मूल स्थान गुआंग्डोंग, सीएन है।
प्रश्न: कीमत क्या है?
A: उत्पाद के आधार पर मूल्य की पुष्टि की जानी चाहिए।
प्रश्न: आप हाई वोल्टेज मोस्फेट को कैसे पैक करते हैं?
उत्तर: हम उच्च वोल्टेज मोस्फेट को धूल, पानी और एंटी-स्टेटिक ट्यूबलर पैकेजिंग के साथ पैक करते हैं, जो एक कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर कार्टन में रखा जाता है।
प्रश्न: डिलीवरी का समय क्या है?
उत्तर: डिलीवरी का समय कुल मात्रा के आधार पर 2-30 दिन है।
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