Trasistor ad alta tensione pratico, multiuso N-Channel Power Mosfet

Luogo di origine Guangdong, CN
Marca REASUNOS
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Imballaggi particolari Imballaggi tubulari antipolvere, impermeabili e antistatici, collocati all'interno di una scatola di
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Dettagli
Resistenza Su resistenza bassa Valutazione di tensione Tensione ad alta tensione/ultraelevata
dissipazione di calore Grande dissipazione di calore Applicazione inclusa del MOSFET di alta tensione di FRD Serie del motore, invertitore, mezzo ponte/applicazioni complete del ponte, ecc.
Vantaggi Tecnologia di verniciatura variabile laterale nuova, potere speciale MOS Structure, caratteristiche Perdita La perdita bassa può raggiungere meno di 1 µ A
Tecnologia MOSFET Nome del prodotto MOSFET ad alta tensione
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Trasistor ad alta tensione pratico

,

Transistor ad alta tensione di canale N

,

Mosfet di potenza multiuso N-Channel

Puoi spuntare i prodotti di cui hai bisogno e comunicare con noi nella bacheca.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
Descrizione di prodotto

MOSFET N ad altissima tensione con grande dissipazione del calore

Descrizione del prodotto:

Il MOSFET ad alta tensione è un tipo di MOSFET ad altissima tensione con applicazione FRD HV MOSFET.Utilizza una nuova tecnologia di doping laterale variabile e una struttura MOS speciale di potenza per fornire eccellenti caratteristiche ad alta temperatura e bassa perdita che possono raggiungere meno di 1μA. È adatto a varie applicazioni ad alta tensione come serie di motori, inverter, applicazioni di circuito half bridge/full bridge, driver LED, adattatori, alimentatori industriali,inverter, ecc. Questo tipo di MOSFET è di tipo N, fornendo una soluzione ottimale per applicazioni ad alta tensione.

 

Parametri tecnici:

Parametri Specificità
Perforazione Le perdite possono raggiungere meno di 1 μA
Dissipazione del calore Grande dissipazione del calore
Vantaggi Nuova tecnologia di doping laterale variabile, Struttura MOS di potenza speciale, eccellenti caratteristiche ad alta temperatura.
Applicazione del MOSFET ad ultrasuoni Misuratore intelligente, alimentatore per gabinetti, alimentatore per commutazioni industriali, sistema di alimentazione elettrica, ecc.
Nome del prodotto MOSFET ad alta tensione
Applicazione HV MOSFET Conduttori a LED, adattatori, alimentatori industriali, inverter, ecc.
Applicazione MOSFET FRD HV incorporata Serie di motori, inverter, applicazioni di circuito a mezzo ponte/pieno ponte, ecc.
Valore nominale della tensione Alta tensione/ultraalta tensione
Tipo N
Tecnologia MOSFET
 

Applicazioni:

REASUNOS Mosfet ad alta tensione è un tipo di transistor a mosfet di potenza, appositamente progettato per applicazioni ad alta tensione e ultra-alta tensione.Dotato di una nuova tecnologia di doping laterale variabile e di una struttura speciale MOS di potenza, ha eccellenti caratteristiche ad alta temperatura e offre una bassa perdita, una bassa resistenza e prestazioni ad alta tensione/ultraalta tensione.È ideale per applicazioni come gli inverter solari, motor drives, sistemi UPS e elettronica di potenza automobilistica.

REASUNOS High Voltage Mosfet può essere acquistato da Guangdong, Cina ad un prezzo competitivo.collocati all'interno di una scatola di cartone in cartone per la massima sicurezza. Il tempo di consegna è di solito tra 2-30 giorni, a seconda della quantità totale ordinata. Termini di pagamento sono 100% T / T in anticipo (EXW).

 

Supporto e servizi:

I prodotti MOSFET ad alta tensione sono supportati e serviti con le seguenti caratteristiche:

  • Schede di dati e specifiche del prodotto
  • Nota di domanda
  • Strumenti di progettazione e simulazione
  • Supporto tecnico
  • Campioni di prodotti
  • Formazione sui prodotti
  • Supporto tecnico per applicazioni sul campo
  • Servizi di garanzia e riparazione
 

Imballaggio e trasporto:

Imballaggio e spedizione del MOSFET ad alta tensione

I prodotti MOSFET ad alta tensione devono essere confezionati e spediti seguendo le seguenti linee guida:

 

  • I prodotti MOSFET ad alta tensione devono essere confezionati in un sacchetto protetto da ESD.
  • Il sacchetto deve essere chiaramente etichettato con le informazioni sul prodotto e l'indirizzo di spedizione.
  • Tutti i prodotti MOSFET ad alta tensione devono essere spediti in un contenitore di spedizione statico-dissipativo.
  • Il contenitore deve essere etichettato con le informazioni sul prodotto, l'indirizzo di spedizione e eventuali opportuni avvertimenti.
  • Il contenitore deve essere sigillato e fissato prima della spedizione.
  • I prodotti MOSFET ad alta tensione devono essere spediti secondo le istruzioni del cliente.

 

 

FAQ:

D: Qual è il marchio?
R: Il marchio è REASUNOS.
D: Da dove proviene il MOSFET ad alta tensione?
R: Il luogo di origine è Guangdong, CN.
D: Qual è il prezzo?
R: Il prezzo deve essere confermato in base al prodotto.
D: Come si imballa il MOSFET ad alta tensione?
R: Imballiamo il MOSFET ad alta tensione con un imballaggio tubulare antipolvere, impermeabile e antistatico, collocato all'interno di una scatola di cartone in cartone.
D: Qual è il tempo di consegna?
R: Il tempo di consegna è di 2-30 giorni, a seconda della quantità totale.