Все продукты
Практический высоковольтный транзистор, многоцелевой N-канал питания
| Место происхождения | Гуандун, CN |
|---|---|
| Фирменное наименование | REASUNOS |
| Цена | Confirm price based on product |
| Упаковывая детали | Прочная, водонепроницаемая и антистатическая трубчатая упаковка, помещенная в картонную коробку в ка |
| Время доставки | 2-30 дней (зависит от общего количества) |
| Условия оплаты | 100% T/T заранее ((EXW) |
| Поставка способности | 5кк/месяц |
Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.
WhatsApp:0086 18588475571
Вичат: 0086 18588475571
Скайп: sales10@aixton.com
Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.
xПодробная информация о продукте
| Сопротивление | Низкое На-сопротивление | Оценка напряжения тока | Высоковольтное/ультравысокое напряжение тока |
|---|---|---|---|
| тепловыделение | Большее тепловыделение | Врезанное применение MOSFET HV FRD | Серия мотора, инвертор, половинный мост/полные применения мостиковой схемы, Etc. |
| Преимущества | Новая боковая переменная давая допинг технология, особенная структура MOS силы, превосходные характе | Утечка | Низкая утечка может достигнуть меньше чем 1 µ a |
| Технологии | MOSFET | Наименование продукта | Высоковольтный MOSFET |
| Выделить | Практический высоковольтный транзистор,N-канальный высоковольтный транзистор,Многоцелевой N-канал питания |
||
Вы можете отметить нужные вам продукты и связаться с нами на доске объявлений.
| No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | Diode Trr(nS) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | RSF38N30F | N | 38 | 300 | 0.09 | 0.11 | TO-220F | 1000 | 80 | |
| 2 | RSF45N50W | N | 45 | 500 | 0.1 | 0.125 | TO-247 | 600 | 95 | |
| 3 | RSF5N50D | N | 5 | 500 | 1.5 | 1.85 | TO-252 | 2500 | 61 | |
| 4 | RSF7N50D | N | 7 | 500 | 1.1 | 1.5 | TO-252 | 2500 | 100 | |
| 5 | RSF3N60D | N | 3 | 600 | 2.8 | 3.4 | TO-252 | 2500 | 55 | |
| 6 | RSF4N60D | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | 60 | |
| 7 | RSF4N60F | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | 60 | |
| 8 | RS2N65D | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 9 | RS2N65F | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 10 | RS4N65D | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 11 | RS4N65MD | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 12 | RS4N65F | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 13 | RS5N65D | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 14 | RS5N65F | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 15 | RS6N65D | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 16 | RS6N60F | N | 6 | 600 | 1 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 17 | RS6N65F | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 18 | RS7N65D | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 19 | RS7N65MD | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 20 | RS7N65F | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 21 | RS8N60F | N | 8 | 600 | 0.75 | 0.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 22 | RS8N65F | N | 8 | 650 | 0.95 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 23 | RS10N65D | N | 10 | 650 | 0.93 | 1.05 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 24 | RS10N65F | N | 10 | 650 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 25 | RS10N60F | N | 10 | 600 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 26 | RS12N65F | N | 12 | 650 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 27 | RS12N60F | N | 12 | 600 | 0.5 | 0.62 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 28 | RS13N65F | N | 13 | 650 | 0.52 | 0.65 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 29 | RS16N65F | N | 16 | 650 | 0.45 | 0.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 30 | RS20N65F | N | 20 | 650 | 0.35 | 0.45 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 31 | RS5N50D | N | 5 | 500 | 1.25 | 1.45 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 32 | RS6N50D | N | 6 | 500 | 1.2 | 1.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 33 | RS9N50D | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 34 | RS9N50F | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 35 | RS10N50F | N | 10 | 500 | 0.66 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 36 | RS11N50F | N | 11 | 500 | 0.48 | 0.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 37 | RS13N50F | N | 13 | 500 | 0.39 | 0.46 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 38 | RS15N50F | N | 15 | 500 | 0.35 | 0.42 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 39 | RS18N50F | N | 18 | 500 | 0.28 | 0.34 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 40 | RS20N50F | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 41 | RS20N50W | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 42 | RS25N50F | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 43 | RS25N50W | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 44 | RS28N50W | N | 28 | 500 | 0.14 | 0.18 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 45 | RS30N50W | N | 30 | 500 | 0.085 | 0.12 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 46 | RS4N80F | N | 4 | 800 | 3.2 | 3.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 47 | RS8N80F | N | 8 | 800 | 1.35 | 1.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 48 | RS10N80F | N | 10 | 800 | 1 | 1.2 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 49 | RS3N90MD | N | 3 | 900 | 4 | 4.8 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 50 | RS4N90D | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 51 | RS4N90F | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 52 | RS6N90F | N | 6 | 900 | 1.7 | 2.05 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 53 | RS9N90F | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 54 | RS9N90PF | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-3PF | 300 | -- | |
| 55 | RS2N100D | N | 2 | 1000 | 6 | 7.2 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 56 | RSE3N100F | N | 3 | 1000 | 4.6 | 5.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 57 | RS6N100F | N | 6 | 1000 | 1.2 | 1.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 58 | RS2N120D | N | 2 | 1200 | 10.5 | 12.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 59 | RS3N120D | N | 3 | 1200 | 7.3 | 8.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 60 | RS6N120T | N | 6 | 1200 | 2.1 | 2.5 | TO-220 | 1000 | -- | |
| 61 | RS3N150F | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 62 | RS3N150PF | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-3PF | 300 | -- | |
| 63 | RS3N150W | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO247-3 | 600 | -- |
Характер продукции
Ультравысоковольтный N-МОСФЕТ с большим рассеиванием тепла
Описание продукта:
MOSFET высокого напряжения - это тип MOSFET сверхвысокого напряжения с применением FRD HV MOSFET.Он использует новую технологию латерального переменного допинга и специальную структуру MOS мощности, чтобы обеспечить отличные характеристики при высоких температурах и низкой утечке, которая может достигать менее 1μAОн подходит для различных высоковольтных приложений, таких как серия двигателей, инвертор, полумостовые / полные мостовые схемы, светодиодный драйвер, адапторы, промышленное питание,ИнверторыЭтот тип MOSFET является N-типом, обеспечивающим оптимальное решение для применения высокого напряжения.
Технические параметры:
| Параметры | Спецификация |
|---|---|
| Утечка | Низкая утечка может достигать менее 1 мкА |
| Рассеивание тепла | Большое рассеивание тепла |
| Преимущества | Новая технология латерального переменного допинга, специальная структура MOS с мощностью, отличные характеристики при высоких температурах. |
| Применение ультра-ВВ MOSFET | Умный счетчик, электроснабжение кабинета, промышленное переключающее электроснабжение, система электроэнергии и т.д. |
| Наименование продукта | MOSFET высокого напряжения |
| Применение HV MOSFET | Диодный драйвер, адаптеры, промышленные переключатели питания, инверторы и т.д. |
| Встроенное приложение FRD HV MOSFET | Моторные серии, инверторы, Half Bridge/Full Bridge Circuit приложения и т.д. |
| Направление напряжения | Высокое напряжение/Ультравысокое напряжение |
| Тип | N |
| Технологии | MOSFET |
Применение:
REASUNOS Высоковольтный мосфет - это тип транзистора мосфета мощности, специально разработанный для высоковольтных и сверхвысоковольтных приложений.С новой технологией латерального переменного допинга и специальной силовой структурой MOS, имеет отличные характеристики при высоких температурах и обеспечивает низкую утечку, низкое сопротивление и высокое напряжение / ультравысокое напряжение.Он идеально подходит для таких приложений, как солнечные инверторы, двигатели, системы УПС и электроника для автомобилей.
REASUNOS High Voltage Mosfet можно купить в Гуандун, Китай по конкурентоспособной цене. Он упакован в пылестойкую, водонепроницаемую и антистатическую трубчатую упаковку,помещенные в картонную коробку в картонных пачках для максимальной безопасности. Время доставки обычно составляет от 2 до 30 дней, в зависимости от общего количества заказов. Условия оплаты 100% T / T заранее (EXW).
Поддержка и услуги:
Высоковольтные MOSFET-продукты поддерживаются и обслуживаются следующими функциями:
- Информационные листы и спецификация продукта
- Примечания к заявке
- Инструменты проектирования и моделирования
- Техническая поддержка
- Образцы продукции
- Обучение продукту
- Поддержка в области инженерных приложений
- Гарантийные и ремонтные услуги
Упаковка и перевозка:
Упаковка и транспортировка высоковольтного MOSFET
Высоковольтные MOSFET-продукты должны быть упакованы и отправлены в соответствии со следующими рекомендациями:
- Высоковольтные MOSFET-продукты должны быть упакованы в защищенный ESD мешок.
- На пакете должна быть четкая маркировка с информацией о продукте и адресом доставки.
- Все высоковольтные MOSFET-продукты должны быть отправлены в статико-диссипативный контейнер.
- Контейнер должен быть маркирован с информацией о продукте, адресом доставки и любыми соответствующими предупреждениями.
- Контейнер должен быть надежно запечатан и закреплен перед перевозкой.
- Высоковольтные MOSFET-продукты должны быть отправлены в соответствии с инструкциями клиента.
Часто задаваемые вопросы
Вопрос: Какое название бренда?
Ответ: Бренд REASUNOS.
Вопрос: Где расположен высоковольтный MOSFET происхождения?
A: Место происхождения - Гуандун, Китайская Народная Республика.
Вопрос: Какова цена?
Ответ: Цена должна быть подтверждена в зависимости от продукта.
Вопрос: Как упаковать высоковольтный MOSFET?
О: Мы упаковываем высоковольтный MOSFET в пылестойкую, водонепроницаемую и антистатическую трубчатую упаковку, помещенную в картонную коробку в картонные коробки.
Вопрос: Каково время доставки?
О: Время доставки 2-30 дней, в зависимости от общего количества.
Порекомендованные продукты
