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Transistor à haute tension pratique, multi-fonctionnel à N canaux
| Lieu d'origine | Guangdong, NC |
|---|---|
| Nom de marque | REASUNOS |
| Prix | Confirm price based on product |
| Détails d'emballage | Emballages tubulaires à l'épreuve de la poussière, de l'eau et antistatiques, placés dans une boîte |
| Délai de livraison | 2 à 30 jours (selon la quantité totale) |
| Conditions de paiement | 100% T/T à l'avance |
| Capacité d'approvisionnement | 5KK/mois |
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xDétails sur le produit
| Résistance | Basse Sur-résistance | Estimation de tension | Tension à haute tension/ultra-haute |
|---|---|---|---|
| dissipation thermique | Grande dissipation thermique | Application incluse de transistor MOSFET de HT de FRD | Série de moteur, inverseur, demi pont/pleines applications de montage en pont, etc. |
| Avantages | Nouvelle technologie de dopage variable latérale, puissance spéciale MOS Structure, excellentes cara | Fuite | La basse fuite peut atteindre moins de 1 µ A |
| Technologie | Transistor MOSFET | Nom du produit | Transistor MOSFET à haute tension |
| Mettre en évidence | Transistor à haute tension pratique,Transistors à haute tension de canal N,Mosfet de puissance multifonctionnel de canal N |
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| No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | Diode Trr(nS) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | RSF38N30F | N | 38 | 300 | 0.09 | 0.11 | TO-220F | 1000 | 80 | |
| 2 | RSF45N50W | N | 45 | 500 | 0.1 | 0.125 | TO-247 | 600 | 95 | |
| 3 | RSF5N50D | N | 5 | 500 | 1.5 | 1.85 | TO-252 | 2500 | 61 | |
| 4 | RSF7N50D | N | 7 | 500 | 1.1 | 1.5 | TO-252 | 2500 | 100 | |
| 5 | RSF3N60D | N | 3 | 600 | 2.8 | 3.4 | TO-252 | 2500 | 55 | |
| 6 | RSF4N60D | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | 60 | |
| 7 | RSF4N60F | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | 60 | |
| 8 | RS2N65D | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 9 | RS2N65F | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 10 | RS4N65D | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 11 | RS4N65MD | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 12 | RS4N65F | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 13 | RS5N65D | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 14 | RS5N65F | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 15 | RS6N65D | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 16 | RS6N60F | N | 6 | 600 | 1 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 17 | RS6N65F | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 18 | RS7N65D | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 19 | RS7N65MD | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 20 | RS7N65F | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 21 | RS8N60F | N | 8 | 600 | 0.75 | 0.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 22 | RS8N65F | N | 8 | 650 | 0.95 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 23 | RS10N65D | N | 10 | 650 | 0.93 | 1.05 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 24 | RS10N65F | N | 10 | 650 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 25 | RS10N60F | N | 10 | 600 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 26 | RS12N65F | N | 12 | 650 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 27 | RS12N60F | N | 12 | 600 | 0.5 | 0.62 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 28 | RS13N65F | N | 13 | 650 | 0.52 | 0.65 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 29 | RS16N65F | N | 16 | 650 | 0.45 | 0.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 30 | RS20N65F | N | 20 | 650 | 0.35 | 0.45 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 31 | RS5N50D | N | 5 | 500 | 1.25 | 1.45 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 32 | RS6N50D | N | 6 | 500 | 1.2 | 1.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 33 | RS9N50D | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 34 | RS9N50F | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 35 | RS10N50F | N | 10 | 500 | 0.66 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 36 | RS11N50F | N | 11 | 500 | 0.48 | 0.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 37 | RS13N50F | N | 13 | 500 | 0.39 | 0.46 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 38 | RS15N50F | N | 15 | 500 | 0.35 | 0.42 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 39 | RS18N50F | N | 18 | 500 | 0.28 | 0.34 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 40 | RS20N50F | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 41 | RS20N50W | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 42 | RS25N50F | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 43 | RS25N50W | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 44 | RS28N50W | N | 28 | 500 | 0.14 | 0.18 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 45 | RS30N50W | N | 30 | 500 | 0.085 | 0.12 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 46 | RS4N80F | N | 4 | 800 | 3.2 | 3.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 47 | RS8N80F | N | 8 | 800 | 1.35 | 1.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 48 | RS10N80F | N | 10 | 800 | 1 | 1.2 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 49 | RS3N90MD | N | 3 | 900 | 4 | 4.8 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 50 | RS4N90D | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 51 | RS4N90F | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 52 | RS6N90F | N | 6 | 900 | 1.7 | 2.05 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 53 | RS9N90F | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 54 | RS9N90PF | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-3PF | 300 | -- | |
| 55 | RS2N100D | N | 2 | 1000 | 6 | 7.2 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 56 | RSE3N100F | N | 3 | 1000 | 4.6 | 5.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 57 | RS6N100F | N | 6 | 1000 | 1.2 | 1.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 58 | RS2N120D | N | 2 | 1200 | 10.5 | 12.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 59 | RS3N120D | N | 3 | 1200 | 7.3 | 8.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 60 | RS6N120T | N | 6 | 1200 | 2.1 | 2.5 | TO-220 | 1000 | -- | |
| 61 | RS3N150F | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 62 | RS3N150PF | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-3PF | 300 | -- | |
| 63 | RS3N150W | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO247-3 | 600 | -- |
Description de produit
MOSFET N à ultra-haute tension avec une grande dissipation de chaleur
Description du produit:
Le MOSFET haute tension est un type de MOSFET de puissance ultra-haute tension avec une application FRD HV MOSFET.Il utilise une nouvelle technologie de dopage variable latérale et une structure MOS de puissance spéciale pour fournir d'excellentes caractéristiques à haute température et à faible fuite pouvant atteindre moins de 1μAIl convient à diverses applications de haute tension telles que la série de moteurs, l'onduleur, les applications de circuit à demi-pont/plein pont, le pilote LED, les adaptateurs, l'alimentation électrique de commutation industrielle,autres appareils, etc. Ce type de MOSFET est de type N, offrant une solution optimale pour les applications haute tension.
Paramètres techniques:
| Paramètres | Spécification |
|---|---|
| Faillite | Une faible fuite peut atteindre moins de 1 μA |
| Dissipation de la chaleur | Une grande dissipation de chaleur |
| Les avantages | Nouvelle technologie de dopage variable latérale, structure MOS de puissance spéciale, excellentes caractéristiques à haute température. |
| Application du MOSFET à ultrasons | Les appareils électroménagers doivent être équipés d'un compteur électrique, d'un compteur électrique, d'un compteur électrique, d'un compteur électrique, etc. |
| Nom du produit | MOSFET haute tension |
| Application du MOSFET HV | Conducteur LED, adaptateurs, alimentation électrique par commutation industrielle, onduleurs, etc. |
| Application FRD HV MOSFET intégrée | Série de moteurs, onduleur, demi-pontes/circuits de pont complet, etc. |
| Rating de la tension | Voltage élevé/ultra-haute |
| Le type | N |
| Technologie | MOSFET |
Applications:
REASUNOS High Voltage Mosfet est un type de transistor à puissance mosfet, spécialement conçu pour les applications à haute tension et ultra-haute tension.Doté d'une nouvelle technologie de dopage latéral variable et d'une structure MOS de puissance spéciale, il a d'excellentes caractéristiques à haute température et offre une faible fuite, une faible résistance et des performances à haute tension/ultra-haute tension.Il est idéal pour des applications telles que les onduleurs solaires, les moteurs, les systèmes UPS et l'électronique de puissance automobile.
REASUNOS High Voltage Mosfet peut être acheté à Guangdong, en Chine à un prix compétitif.placés dans une boîte en carton dans des cartons pour une sécurité maximale. Le délai de livraison est généralement compris entre 2-30 jours, selon la quantité totale commandée. Les conditions de paiement sont 100% T/T à l'avance (EXW).
Assistance et services:
Les produits MOSFET haute tension sont pris en charge et entretenus avec les caractéristiques suivantes:
- Fiches de données et spécifications du produit
- Notes sur la demande
- Outils de conception et de simulation
- Assistance technique
- Échantillons de produits
- Formation sur les produits
- Appui technique aux applications sur le terrain
- Services de garantie et de réparation
Emballage et expédition
Emballage et expédition du MOSFET haute tension
Les produits MOSFET haute tension doivent être emballés et expédiés selon les directives suivantes:
- Les produits MOSFET haute tension doivent être emballés dans un sac protégé par ESD.
- Le sac doit être clairement étiqueté avec les informations sur le produit et l'adresse d'expédition.
- Tous les produits MOSFET à haute tension doivent être expédiés dans un conteneur de transport à dissipation statique.
- Le contenant doit être étiqueté avec les informations sur le produit, l'adresse d'expédition et les avertissements appropriés.
- Le conteneur doit être bien scellé et sécurisé avant expédition.
- Les produits MOSFET haute tension doivent être expédiés conformément aux instructions du client.
FAQ:
Q: Quelle est la marque?
R: Le nom de marque est REASUNOS.
Q: D'où provient le MOSFET haute tension?
R: Le lieu d'origine est Guangdong, CN.
Q: Quel est le prix?
R: Le prix doit être confirmé en fonction du produit.
Q: Comment emballer le MOSFET haute tension?
R: Nous emballons le MOSFET haute tension avec un emballage tubulaire antipoussière, imperméable à l'eau et antistatique, placé dans une boîte en carton dans des cartons.
Q: Quel est le délai de livraison?
R: Le délai de livraison est de 2 à 30 jours, selon la quantité totale.
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