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MOSFET industriel à basse tension multifonctionnel pour la station de base 5G
| Consommation d'électricité: | Perte de puissance faible |
|---|---|
| Capacité EAS: | Capacité EAS élevée |
| Résistance: | Le bas RDS (DESSUS) |
Conducteur moteur basse tension Mosfet, Multiscene basse Vgs N canal Mosfet
| Avantages du procédé de tranchée: | Un RSP plus petit, les configurations série et parallèle peuvent être librement combinées et utilisé |
|---|---|
| Résistance: | Le bas RDS (DESSUS) |
| Application du procédé de tranchée: | Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen |
MOSFET à basse tension de canal P Durable pour une charge sans fil basse
| Application du procédé de tranchée: | Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen |
|---|---|
| Application de processus de SGT: | Conducteur de moteur, station de la base 5G, stockage de l'énergie, commutateur à haute fréquence, r |
| Nom du produit: | MOSFET basse tension |
Chargement rapide Faible puissance Fet Stable Multifonctionnel Bas seuil
| l'efficacité: | Haute efficacité et fiabilité |
|---|---|
| Nom du produit: | MOSFET basse tension |
| Capacité EAS: | Capacité EAS élevée |
Stockage de l'énergie MOSFET basse tension pratique N-canal Haute capacité EAS
| Capacité EAS: | Capacité EAS élevée |
|---|---|
| Avantages du procédé de tranchée: | Un RSP plus petit, les configurations série et parallèle peuvent être librement combinées et utilisé |
| Processus de structuration: | Tranchée/SGT |
FET à basse tension polyvalent, mousfet à faible puissance durable.
| Résistance: | Le bas RDS (DESSUS) |
|---|---|
| Application du procédé de tranchée: | Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen |
| Processus de structuration: | Tranchée/SGT |
MOSFET à basse tension multifonctionnel à haut rendement pour convertisseur
| Avantages de processus de SGT: | Optimisation de la percée FOM, couvrant plus d'application. |
|---|---|
| Capacité EAS: | Capacité EAS élevée |
| Avantages du procédé de tranchée: | Un RSP plus petit, les configurations série et parallèle peuvent être librement combinées et utilisé |
Transistors Mosfet à faible puissance 20V 60V pour la charge sans fil
| Avantages du procédé de tranchée: | Un RSP plus petit, les configurations série et parallèle peuvent être librement combinées et utilisé |
|---|---|
| Avantages de processus de SGT: | Optimisation de la percée FOM, couvrant plus d'application. |
| Capacité EAS: | Capacité EAS élevée |
Multi-scène basse tension MOSFET P canal pour le stockage de l'énergie
| Nom du produit: | MOSFET basse tension |
|---|---|
| l'efficacité: | Haute efficacité et fiabilité |
| Application du procédé de tranchée: | Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen |
SGT Puissance à basse tension industrielle Mosfet, Mosfet stable Voltage de seuil de basse porte
| Processus de structuration: | Tranchée/SGT |
|---|---|
| Avantages du procédé de tranchée: | Un RSP plus petit, les configurations série et parallèle peuvent être librement combinées et utilisé |
| Résistance: | Le bas RDS (DESSUS) |