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SGT à basse tension MOSFET à basse résistance pratique 30V 40V

  • Trench SGT Low Voltage MOSFET Practical Low On Resistance 30V 40V
Lieu d'origine Guangdong, NC
Nom de marque REASUNOS
Prix Confirm price based on product
Détails d'emballage Emballages tubulaires à l'épreuve de la poussière, de l'eau et antistatiques, placés dans une boîte
Délai de livraison 2 à 30 jours (selon la quantité totale)
Conditions de paiement 100% T/T à l'avance
Capacité d'approvisionnement 5KK/mois

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Détails sur le produit
Application de processus de SGT Conducteur de moteur, station de la base 5G, stockage de l'énergie, commutateur à haute fréquence, r Avantages de processus de SGT Optimisation de la percée FOM, couvrant plus d'application.
Application du procédé de tranchée Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen Nom du produit MOSFET basse tension
l'efficacité Haute efficacité et fiabilité Processus de structuration Tranchée/SGT
Consommation d'électricité Perte de puissance faible Capacité EAS Capacité EAS élevée
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MOSFET à basse tension de tranchée

,

MOSFET à basse tension à faible résistance

,

Mosfet de basse tension de seuil pratique
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Description de produit

MOSFET à basse tension de tranchée/SGT

Description du produit:

Le MOSFET basse tension est un type de transistor de puissance qui peut fournir des performances de commutation rapides et fiables, une efficacité élevée et une faible perte de puissance.comme la recharge sans filAvec son optimisation FOM révolutionnaire et un RSP plus petit, il est possible de créer un système de charge rapide, un pilote de moteur, un convertisseur CC/CC, un commutateur haute fréquence et une rectification synchrone.le MOSFET basse tension basé sur le processus de tranchée peut couvrir plus d'applications et être librement combiné et utilisé à la fois en série et en configuration parallèleIl offre également une haute capacité EAS et peut être utilisé dans le pilote de moteur, la station de base 5G, le stockage d'énergie, le commutateur à haute fréquence et la rectification synchrone lorsqu'il est basé sur le processus SGT.

 

Paramètres techniques:

Paramètre Le processus de la tranchée Procédure SGT
Capacité du système EAS Capacité EAS élevée Capacité EAS élevée
Consommation d'électricité Faible perte de puissance Faible perte de puissance
Efficacité Très efficace et fiable Très efficace et fiable
Application du projet Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur CC/DC, commutateur haute fréquence, rectification synchrone. Conducteur, station de base 5G, stockage d'énergie, commutateur haute fréquence, rectification synchrone.
Processus de la structure Une tranchée GTS
Les avantages Les RSP plus petits, à la fois en série et en parallèle, peuvent être librement combinés et utilisés. Optimisation FOM révolutionnaire, couvrant plus d'application.
résistance Rds bas ((ON) Rds bas ((ON)
 

Applications:

SGT MOSFET à basse tension

Le MOSFET basse tension REASUNOS SGT est un composant de puissance haute performance qui offre une commutation de puissance basse tension avec une efficacité inégalée.il offre d'excellentes performances et fiabilitéLe processus SGT offre une optimisation FOM révolutionnaire, couvrant plus d'applications.et les deux séries et les configurations parallèles peuvent être librement combinés et utilisésIl convient à des applications telles que le conducteur de moteur, la station de base 5G, le stockage d'énergie, le commutateur à haute fréquence, la rectification synchrone.

Le REASUNOS SGT Low Voltage MOSFET est disponible à l'achat au Guangdong, en Chine. Le prix est confirmé en fonction du produit.et emballage tubulaire antistatiqueLe délai de livraison est de 2 à 30 jours en fonction de la quantité totale, et le paiement est accepté via 100% T/T à l'avance (EXW).L'entreprise a une capacité d'approvisionnement de 5KK/mois.

 

Assistance et services:

Support technique et services pour les MOSFET basse tension

Nous offrons un soutien technique et des services pour vous aider à tirer le meilleur parti de votre appareil MOSFET basse tension.Notre équipe d'experts est disponible pour répondre à toutes vos questions concernant votre appareil MOSFET basse tension, et de fournir des solutions à tous les problèmes auxquels vous pourriez être confronté.

Documentation du produit

Nous fournissons une documentation complète du produit et des spécifications techniques pour votre appareil MOSFET basse tension, y compris des fiches de données, des notes d'application et des guides d'utilisation.

Appui technique

Nous offrons un soutien technique pour votre appareil MOSFET basse tension, y compris le dépannage et l'assistance à la configuration.Notre équipe d'experts est disponible pour répondre à toutes vos questions concernant votre appareil MOSFET basse tension, et de fournir des solutions à tous les problèmes auxquels vous pourriez être confronté.

Mises à jour logicielles et du micrologiciel

Nous fournissons des mises à jour logicielles et du micrologiciel pour votre appareil MOSFET basse tension, afin de vous assurer que votre appareil fonctionne au maximum de ses performances.Notre équipe d'experts est disponible pour répondre à toutes vos questions concernant les mises à jour, et de fournir des solutions à tous les problèmes auxquels vous pourriez être confronté.

Formation et éducation

Nous offrons une formation complète et des ressources éducatives pour votre appareil MOSFET basse tension, y compris des séminaires et des webinaires, pour vous aider à tirer le meilleur parti de votre appareil.Notre équipe d'experts est à votre disposition pour répondre à toutes vos questions sur les ressources de formation et d'éducation, et de fournir des solutions à tous les problèmes auxquels vous pourriez être confronté.

 

Emballage et expédition

Les MOSFET basse tension doivent être correctement emballés et expédiés pour assurer la protection et la sécurité.

  • Les MOSFET basse tension doivent être placés dans des sacs ou des boîtes antistatiques.
  • L'emballage doit être bien scellé pour éviter toute pénétration d'humidité ou de poussière.
  • L'emballage doit également être clairement étiqueté avec le nom du produit, le modèle et toute autre information pertinente.
  • L'emballage doit être clairement marqué avec le signe " FRAGILE ".
  • L'emballage doit être protégé par des matériaux d'amortissement appropriés afin d'éviter tout dommage pendant le transport.
  • Le colis doit être expédié en utilisant des méthodes de transport fiables et sécurisées, telles que le fret aérien, le fret maritime ou le courrier express.
 

FAQ:

Questions et réponses:

Q1: Quel est le nom de marque de ce MOSFET basse tension?
R1: La marque est REASUNOS.

Q2: Quel est le lieu d'origine de ce MOSFET basse tension?
R2: Le lieu d'origine est le Guangdong, en Chine.

Q3: Quelle est la structure de prix de ce MOSFET basse tension?
R3: Le prix est confirmé en fonction du produit.

Q4: Comment le produit est-il emballé?
R4: Le produit est emballé dans un emballage tubulaire antipoussière, imperméable à l'eau et antistatique, placé dans une boîte en carton.

Q5: Combien de temps dure la livraison?
R5: Le délai de livraison varie de 2 à 30 jours, selon la quantité totale.

Étiquettes:

N-canal Mosfet basse tension de seuil

Mosfet de canal P à faible puissance stable

MOSFET basse tension de la station de base